Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур является подразделением Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Руководство лабораторией осуществляет доктор физико-математических наук Цацульников Андрей Федорович.
Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур была образована в ФТИ им. А.Ф Иоффе в 1999 г. Нобелевским лауреатом, академиком Ж.И. Алферовым.
Развитие технологии получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 является одним из важнейших направлений современных нанотехнологий. Такие наногетероструктуры служат основой для создания полупроводниковых приборов для современной твердотельной электроники и оптоэлектроники.
Основными направлениями работы лаборатории являются разработка технологии эпитаксиального роста А3В5 и III-N гетероструктур методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и газофазной эпитаксии из металл-органических соединений (ГФЭ МОС), создание и исследование приборов на основе таких гетероструктур.
В настоящее время тематика лаборатории охватывает следующие фундаментальные и прикладные направления:
Исследования МОС-гидридной эпитаксии нитридов III группы и гетероструктур на их основе.
Гетероструктуры и приборы на основе полупроводниковых соединений А3В5, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Исследования в лаборатории проводятся в сотрудничестве с другими подразделениями ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ведущими Российскими научными организациями. Результаты научно-исследовательской деятельности сотрудников лаборатории опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов. Исследования проводятся при финансовой поддержке национальных и международных организаций, таких как РФФИ, РАН (программы Президиума РАН), Министерства образования и науки РФ, и др. Достижения коллектива нашли отражение в приглашенных докладах на авторитетных российских и международных конференциях, в присуждении сотрудникам национальных и международных премий и зарегистрированных результатах интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патентах).
