Центр физики наногетероструктур
 

Лаборатория Полупроводниковой Люминесценции и Инжекционных Излучателей

Основное направление деятельности:

Разработка, исследование и изготовление мощных полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 800 - 1800 нм.

Основное оборудование:

  • Установка МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100
  • Установка МОС-гидридной эпитаксии EPIQUIP VP-50RP
  • Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
    • Фотолитография
    • Химическое и плазмохимическое травление (установка "ALCATEL")
    • Напыление диэлектрических покрытий
    • Напыление омических контактов
  • Установки монтажа и корпусирования лазерных диодов
  • Характеризация и тестирование лазерных диодов
  • Деградационные стенды

Основные преимущества:

  • 30-летний опыт работы по разработке и изготовлению полупроводниковых лазеров
  • Наличие полного цикла по изготовлению диодных лазеров - от роста гетероструктур до готовых приборов
  • Гибкость производственного процесса - возможность разработки и изготовления диодных лазеров с требуемыми параметрами

Основное оборудование:

  • Одномодовые Фабри-Перо лазеры:
    • Диапазон длин волн - 800 - 1800 нм
    • Непрерывная излучаемая рабочая мощность - до 200 мВт
    • Типы корпусов: SOT-148 (ø 9 мм), открытый теплоотвод, носитель
  • Многомодовые Фабри-Перо лазеры:
    • Диапазон длин волн - 800 - 1800 нм
    • Непрерывная излучаемая рабочая мощность - до 4 Вт
    • Импульсная излучаемая рабочая мощность - до 100 Вт
    • Типы корпусов: HHL, открытый теплоотвод, носитель

Основные применения:

  • Накачка волоконных и твердотельных лазеров
  • Телекоммуникации
  • Метрология (локация, контроль волокна, дальнометрия)
  • Медицина (терапия, акупунктура, микрохирургия)
  • Технологические процессы (резка и сварка металлов, гравировка)
  • Военная промышленность (приборы ночного видения, дистанционные пускатели)
Научно-образовательные курсы, разработанные в рамках проекта "Разработка принципов генерации мощного импульсного лазерного излучения в полупроводниковых наногетероструктурах InGaAs/AlGaAs/GaAs с эпитаксиально-интегрированными тиристорными переключателями", выполненного при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение 8694
  • Ознакомление с физическими и технологическими принципами работы мощных импульсных полупроводниковых лазеров с интегрированным тиристорным переключателем
  • Мощные импульсные полупроводниковые лазеры - физические основы и практическое применение

Заведующий лабораторией

д.ф.-м.н. Илья Сергеевич Тарасов

Контакты:

Никита Александрович Пихтин
Тел:   + 7-(812)-292-7379
Факс: +7-(812)-292-7379