|
Оптическая ориентация спинов
Оптическая ориентация спинов, состоящая
в изменении равновесных заселенностей вырожденных уровней, была
обнаружена в начале прошлого века Р. Вудом в его знаменитых экспериментах
по исследованию поляризации резонансной флуоресценции паров ртути
и натрия.
В 1924 году В. Ханле объяснил поведение поляризации
излучения в магнитном поле. Общие принципы явления были установлены
позже - в конце 40-х начале 50-х в ходе блестящих исследований А.
Кастлера и его сотрудников (В 1966 г. А. Кастлер был удостоен Нобелевской
премия по физике "за открытие и разработку оптических методов
исследования резонансов Герца в атомах"). В конце 60-х начале
70-х годов началось изучение оптической ориентации спинов в полупроводниках.
Оптическая ориентация в полупроводниках была обнаружена французским
ученым Г. Лампелем (G. Lampel, 1968).
Усилиями ученых СССР (ФТИ, Ленинград) и Франции
(Парижский университет, Ecole Normale) впоследствии было получено
много фундаментальных результатов по оптической ориентации электронных
и ядерных спинов Si, GaAs, CdS и других полупроводниках. Были открыты
оптическая ориентация электронов, дырок, ядер, экситонов, оптическое
выстраивание дипольных моментов экситонов, а также выстраивание
импульсов свободных электронов [Оптическая ориентация, под ред.
Б.П. Захарчени и Ф. Майера, Наука, 1989]. Группе ученых ФТИ им.
А.Ф. Иоффе была присуждена Государственная премия СССР.
|