Харламов Владимир Сергеевич

Владимир Сергеевич Харламов родился в Ленинграде 27-го марта 1971 года.

В 1988 г. закончил Физико-математическую школу N239 .
С 1988 по 1994 год обучался на кафедре Физики твёрдого тела Физико-технического факультета Санкт-Петербургского Государственного Технического Университета. В 1994 году с отличием закончил университет (красный диплом, степень магистра). С 1994 по 1998 год обучался там же в аспирантуре и в 1998 г. защитил диссертацию кандидата физико-математических наук по теме "Динамическое моделирование баллистических процессов в многокомпонентных и многослойных структурах при высокодозном ионном облучении".

После защиты был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской Академии наук. С этого времени В.Харламов работает в группе Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах   сектора Теоретических основ микроэлектроники   Отделения Твердотельной электроники Физико-технического института.

За время научной работы В.С.Харламов опубликовал более 25 статей в российских и зарубежных научных журналах. В 1995 и 1998 гг. он награждался грантом для аспирантов в рамках научно-образовательной программы Международного фонда Сороса.

Научные интересы

• Теория и компьютерное моделирование физических процессов в твёрдых телах;
• Радиационные повреждения в многокомпонентных материалах;
• Физические основы радиационных технологий;
• Ионная имплантация и распыление.

Список публикаций

Текущая должность

• научный сотрудник сектора Теоретических основ микроэлектроники Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

Контактная информация