TM Department   Group of the Theory and Computer Simulation of Defects in Crystals  
 Home People Publications Conferences&Visits Grants&Projects Photos

 Eng / Rus  

 

   

Сафонов Кирилл Леонидович

Кирилл Леонидович Сафонов родился в Ленинграде 2-го декабря 1981 года.

В 1998 закончил лицей "Физико-техническая школа" и поступил на на кафедру Физики твёрдого тела Физико-технического факультета  Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета

С сентября 2000 года К.Л.Сафонов является членом группы Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах   сектора Теоретических основ микроэлектроники   Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

В 2001 был награжден студенческим грантом А.Ф.Иоффе.

Научные интересы

  • Теория дефектов в кристаллах;
  • Радиационные повреждения в многокомпонентных материалах;
  • Ионная имплантация;
  • Физические основы радиационных технологий;
  • Компьютерное моделирование физических процессов в многокомпонентных материалах.

List of publications

Текущая должность

  • Аспирант кафедры Физики твёрдого тела Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета;
  • сотрудник группы Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах сектора Теоретических основ микроэлектроники Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

Контактная информация

E-mail: kir@theory.ioffe.ru
Тел.:   +7 (812) 247-9147
Факс:   +7 (812) 247-1017
Адрес: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая д.26, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

 



TM Department homepage    Ioffe Institute homepage