Публикации и награды

Премия им. Я.И.Френкеля

2007

Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М. (Лаб. В.И. Иванова-Омского, Ю.П. Яковлева)

Обнаружение и исследование явления отрицательной люминесценции в полупроводниках, и создание приборов                                                

Премия им. А.Ф.Иоффе

2005

Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Парфеньев Р.В., Титков А.Н., Яковлев Ю.П.

Гетеропереходы II типа на основе полупроводников A³B⁵ (система GaSb-InAs): создание, физические свойства и применение в оптоэлектронике

Премия Физико-технического института

2007

Моисеев К.Д., Березовец В.А., Михайлова М.П., Парфеньев Р.В., Яковлев Ю.П. (Лаб. Ю.П. Яковлева, Р.В. Парфеньева)

Переход полуметалл-изолятор в сильном магнитном поле в 2D-системе на одиночной гетерогранице II типа GaInAsSb/p-InAs

2005

Полупроводниковые WGM лазеры среднего ИК диапазона

2001

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.В.

Диодные пары источник-приемник отрицательного и положительного контраста для диапазона 3-6 мкм

1999

Березовец В.А., Парфеньев Р.В., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Рогов А.Е., Яковлев Ю.П.

Квантовый магнетотранспорт в полуметаллическом канале на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs

1994

Моисеев К.Д., Ершов О.Г., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Зегря Г.Г.

Генерация когерентного излучения (λ = 3-4 мкм) в лазерных структурах на основе изотипного разъединенного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/p-InAs