http://www.ioffe.ru

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Российской академии наук

Центр физики наногетероструктур

index.html

Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

rfflag.jpg/ukflag.jpg

line

line

Главная

Сотрудники

Публикации

Награды

События

Контакты

Новости и события

24.06.2019Объявление о защите.

27 июня 2019 г. в 10:00 на заседании диссертационного совета Д 002.205.02 при ФТИ им. А.Ф. Иоффе состоится защита диссертации на тему «Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 Физика полупроводников.
Соискатель: к.ф.-м.н., Цацульников Андрей Федорович.
Место проведения: Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Большой актовый зал, главное здание ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

01.07.2019Семинар.

3 июля 2019г. в 15:00 состоится совместный семинар
НТЦ Микроэлектроники РАН и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур.
Докладчик: Федотов С. Д., научный сотрудник,
ЛАИРТ АО «Эпиэл», Институт НМСТ НИУ МИЭТ.
Тема: "Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками". (по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»)
Место проведения: Комната 604 корп. Микроэлектроники блок Б.

09.07.2019Семинар.

15 июля 2019г. в 15:00 состоится совместный семинар
НТЦ Микроэлектроники РАН и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур.
Докладчик: Иванов К. А., инженер, Университет ИТМО,
МНЦ функциональных материалов и устройств оптоэлектроники.
Тема: "Исследование спонтанного излучения в периодических наноструктурах". (по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)
Место проведения: Комната 604 корп. Микроэлектроники блок Б.

11.07.2019Семинар.

17 июля 2019г. в 15:00 состоится совместный семинар
НТЦ Микроэлектроники РАН и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур.
Докладчик: Резник Р. Р., м.н.с., СПбАУ РАН, Университет ИТМО.
Тема: "Гибридные структуры на основе III-V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии". (по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)
Место проведения: Комната 604 корп. Микроэлектроники блок Б.