Программа

Среда, 9 июля 2014 года

Большой актовый зал ФТИ им. А.Ф.Иоффе

СЕКЦИЯ E. Халькогенидные и стеклообразные полупроводники

10:00А.А. Шерченков, С.А. Козюхин А.В. Бабич
Исследование особенностей механизма и кинетики кристаллизации в тонких пленках на основе Ge2Sb2Te5 с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии
10:20Б.Т. Мелех, М.П. Волков, Н.Ф. Картенко, Д.Д. Прокофьев
Структура и электрические свойства сплавов халькогенидной системы Fe1-xMx(Se,Te) (M=Ge, Sn, Pb, Cu, Zn)
10:40В.С. Минаев, Е.В. Александрович, С.П. Тимошенков, Д.Ж. Мукимов
Девитрификация стеклообразного GeSe2 с позиций ДСК
11:00А.Б. Певцов, М.М. Воронов, С.А. Яковлев, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев
Взаимодействие дифракционных резонансов в пленочных гибридных структурах опал/Ge2Sb2Te5
11:40Д.А. Явсин, В.М. Кожевин, С.А. Гуревич, С.А. Яковлев, Б.Т. Мелех, А.Б. Певцов
Структурные и электрические свойства аморфных пленок Ge2Sb2Te5 полученных методом лазерного электродиспергирования
12:00Е.Н. Зинченко, К.Б. Алейникова, Н.В. Мельникова, А.В. Саввин
Анализ атомной структуры полупроводникового стекла AgGeAsSe3
12:20Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин
Изменение знака эффективной корреляционной энергии электронов в электрическом поле
12:40В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин, А.Н. Смирнов, В.В. Соколов, А.И. Варгунин
Состав и структура стекол системы AsxS100-x (xR-60)

СЕКЦИЯ F. Технологии и методы получения

14:10А.В. Ершов, О.Б. Гусев, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.И. Машин
Повышение спонтанной эмиссии нанокристаллов кремния в микрорезонаторе Фабри-Перо с распределенными отражателями
14:50Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, Д.А. Кириленко, М.А. Яговкина, В.Г. Голубев
Многофункциональные сферические частицы mSiO2/Gd2O3:Eu3+@mSiO2 для тераностики
15:30И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, В.Н. Павловский, Н.В. Ржеуцкий, А.Г. Войнилович, Е.В. Муравицкая, Г.П. Яблонский, В.Я. Ширипов, С.М. Насточкин, Е.А. Хохлов, С.О. Когновицкий
Оптические, люминесцентные и фотовольтаические свойства слоёв и гетероструктур ZnO/CdS/CuInGaSe2/Mo/стекло для солнечных элементов
15:50П.И. Лазаренко, А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев
Особенности влияния модифицирующей примеси висмута на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5
16:10С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.Б. Высоцкий, В.А. Лабунов
МЭМС на основе энергии горения наноструктурированного кремния
16:30А.А. Степанов, А.Г. Смирнов, Я.В. Сацкевич, Я.А. Соловьев
Формирование структуры солнечного элемента на основе диода Шоттки с наносетчатым электродом
16:50А.В. Бобыль, А.С. Абрамов, Е.И. Теруков, К.Д. Цэндин
Механизмы стабилизации фотоэлектрических свойств структур на основе гидрогенизированного Si
17:10Д.С. Кусакин, В.Г. Литвинов
Разработка методики локального измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с использованием атомно-силовой микроскопии

17:30-19:00

Стендовая сессия

(c) 2014, Ioffe Institute, AMS9