|
Программа
Среда, 9 июля 2014 года
Большой актовый зал ФТИ им. А.Ф.Иоффе
СЕКЦИЯ E. Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
|
10:00 | А.А. Шерченков, С.А. Козюхин А.В. Бабич Исследование особенностей механизма и кинетики кристаллизации в тонких пленках на основе Ge2Sb2Te5 с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии |
10:20 | Б.Т. Мелех, М.П. Волков, Н.Ф. Картенко, Д.Д. Прокофьев Структура и электрические свойства сплавов халькогенидной системы Fe1-xMx(Se,Te) (M=Ge, Sn, Pb, Cu, Zn) |
10:40 | В.С. Минаев, Е.В. Александрович, С.П. Тимошенков, Д.Ж. Мукимов Девитрификация стеклообразного GeSe2 с позиций ДСК |
11:00 | А.Б. Певцов, М.М. Воронов, С.А. Яковлев, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев Взаимодействие дифракционных резонансов в пленочных гибридных структурах опал/Ge2Sb2Te5 |
11:40 | Д.А. Явсин, В.М. Кожевин, С.А. Гуревич, С.А. Яковлев, Б.Т. Мелех, А.Б. Певцов Структурные и электрические свойства аморфных пленок Ge2Sb2Te5 полученных методом лазерного электродиспергирования |
12:00 | Е.Н. Зинченко, К.Б. Алейникова, Н.В. Мельникова, А.В. Саввин Анализ атомной структуры полупроводникового стекла AgGeAsSe3 |
12:20 | Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин Изменение знака эффективной корреляционной энергии электронов в электрическом поле |
12:40 | В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин, А.Н. Смирнов, В.В. Соколов, А.И. Варгунин Состав и структура стекол системы AsxS100-x (xR-60) |
СЕКЦИЯ F. Технологии и методы получения
|
14:10 | А.В. Ершов, О.Б. Гусев, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.И. Машин Повышение спонтанной эмиссии нанокристаллов кремния в микрорезонаторе Фабри-Перо с распределенными отражателями |
14:50 | Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, Д.А. Кириленко, М.А. Яговкина, В.Г. Голубев Многофункциональные сферические частицы mSiO2/Gd2O3:Eu3+@mSiO2 для тераностики |
15:30 | И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, В.Н. Павловский, Н.В. Ржеуцкий, А.Г. Войнилович, Е.В. Муравицкая, Г.П. Яблонский, В.Я. Ширипов, С.М. Насточкин, Е.А. Хохлов, С.О. Когновицкий Оптические, люминесцентные и фотовольтаические свойства слоёв и гетероструктур ZnO/CdS/CuInGaSe2/Mo/стекло для солнечных элементов |
15:50 | П.И. Лазаренко, А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев Особенности влияния модифицирующей примеси висмута на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 |
16:10 | С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.Б. Высоцкий, В.А. Лабунов МЭМС на основе энергии горения наноструктурированного кремния |
16:30 | А.А. Степанов, А.Г. Смирнов, Я.В. Сацкевич, Я.А. Соловьев Формирование структуры солнечного элемента на основе диода Шоттки с наносетчатым электродом |
16:50 | А.В. Бобыль, А.С. Абрамов, Е.И. Теруков, К.Д. Цэндин Механизмы стабилизации фотоэлектрических свойств структур на основе гидрогенизированного Si |
17:10 | Д.С. Кусакин, В.Г. Литвинов Разработка методики локального измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с использованием атомно-силовой микроскопии |
|
17:30-19:00 |
|
| |
| |