СЕКЦИЯ E. Органические полупроводники
|
| E01 | M. Abdelghany, E.V. Kolobkova, M.M. Sychov
Influence of glass composition on the formation of nanocrystals CuCl in fluorophosphate glasses |
| E02 | В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро, А.А. Кононов
Низкочастотная фотоиндуцированная дисперсия диэлектрической проницаемости в аморфных слоях халькогенидных стекол |
| E03 | П.И. Лазаренко, С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, С.П. Тимошенков, М.С. Михайлова
Исследование эффекта памяти в тонких пленках Ge2Sb2Te5 при постоянном и импульсном напряжениях |
| E04 | Дж.И. Гусейнов, М.И. Мургузов, Ш.С. Исмаилов, Э.М. Годжаев
О магнитосопротивлении в системе сплавов (SnSe)1-x(DySe)x |
| E05 | В.С. Минаев, С.П. Тимошенков, В.В. Калугин, Д.Ж. Мукимов, Т. Кремерова, А. Лисевская
Температуроиндуцированные изменения структуры простых стеклообразных и жидких галогенидов АII В2VII |
| E06 | В.А. Рыжов, Д. Арсова
Длинноволновые инфракрасные спектры состава Ge15Sb15Tе70 в стеклообразном и кристаллическом состоянии |
| E07 | Х.Ф. Нгуен, М. Вереш, В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин
Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей |
| E08 | А.А. Жохова, Г.М. Абрамова, А.С. Крылов, А.В. Шабанов, А.С.Александровский
Лазерно-индуцированная микромодификация поверхностного слоя дисульфида меди-хрома |
| E09 | Н.В. Мельникова, О.Л. Хейфец, Е.А. Долгих, К.В. Курочка, Н.И. Кадырова
Влияние состава на атомную структуру и электрические свойства стеклообразных материалов AgGe1+xAs1-xS3 |
| E10 | Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин
Особенности барических зависимостей электрических свойств аморфных и кристаллических халькогенидов как средство оценивания величины давления |
| E11 | А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, Д.Г. Громов, А.В. Бабич
Исследование кинетики кристаллизации в тонких пленках Ge2Sb2Te5, легированных Bi и Ti |
| E12 | Д.И. Исмаилов, Н.К. Керимова, А.Ч. Мамедова
Образование твердых растворов составов Cu(In1-xGax)5Se8 |
| E13 | Э.Ш. Гаджиев
Исследование образования тонких пленок YbAs4S7 с различной субструктурой |
| E14 | Г.П. Яблонский, М.С. Леоненя, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Т.Г. Нагиев, С.Г. Асадуллаева
Излучательные свойства кристалла Ca0.5Ba0.5Ga2S4: Eu,Er |
| E15 | М.С. Леоненя, Г.П. Яблонский, Т.Г. Нагиев, О.Б. Тагиев
Фотолюминесценция халькогенидных полупроводников CaxBa1-xGa2S4, активированных ионам Eu2+ |
| E16 | О.Б. Тагиев, С.А. Абущов, Е.Г. Асадов
Рентгенофазовый анализ и люминесцентные свойства соединение Ca(AlxGa1-x)2S4 |
| E17 | А.А. Дедюхин, П.Н. Крылов
Получение и исследование мультислойных наноразмерных струкутр ZnSe/Al2O3 |
| E18 | О.Б. Тагиев, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Ибрагимова
Электролюминесценции в EuGa2S4 |
| E19 | Е.В. Александрович, В.С. Минаев, С.П. Тимошенков
Структурные и фазовые изменения в стеклообразном GeSe2 при его изотермическом отжиге ниже и выше TG |
| E20 | O. Paiuk, A. Meshalkin, A. Stronski, E. Achimova, A. Prisacar, G. Triduh, O. Lytvyn
Relief formation in Ge5As37S58-Se nanomultilayers |
| E21 | И.В. Боднарь, И.В. Викторов, Л.В. Котковец
Выращивание монокристаллов Cu2ZnSnSe4 химических газотранспортных реакций |
| E22 | И.В. Боднарь, И.В. Викторов, М.А. Жафар, С.В. Труханов
Твердые растворы в системе FeIn2S4-CuIn5S8 |
| E23 | Г.З. Багиева, Н.М. Ахундова, Т.Д. Алиева, Д.Ш. Абдинов
Структурные собственные дефекты и транспортные свойства монокристаллов Pb1-xMnxTe |
| E24 | А.М. Пашаев, Б.Г. Тагиев, Р.А. Ибрагимов, А.А. Сафарзаде
Туннельная микроскопия полупроводниковых слоистых кристаллов GaSe, GaS и InSe |
| E25 | Д.И. Блецкан, В.В. Вакульчак
Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллического SI2TE3 и стеклообразного SI15TE85 |
| E26 | Р.И. Алекберов, Г.А. Исаева, С.И. Мехтиева, А.И. Исаев, Н.Т. Гасанов
Низкочастотные спектры комбинационного рассеяния света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As-Se-S и As-Se-Te, легированных самарием |
| E27 | С.У. Атаева, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова
Влияние примеси редкоземельного элемента sm, на оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95Te5 |
| E28 | Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, Т.Ю. Рабчанова, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, К.У. Бобохужаев
Проблемы определения состава халькогенидных стекол AsmSenTe1-m-n методом рентгенофлуоресцентного анализа |
| E29 | К.У. Бобохужаев, А.В. Марченко, А.В. Николаева, Н.П. Серегин, А. Шалденкова
Модель U-минус центров олова в халькогенидных стеклообразных полупроводниках |
| E30 | Е.В. Школьников
ЯГР спектры и структурно-химическая модель кристаллизующихся полупроводниковых стекол AsSe1.5Snx |
| E31 | М.М. Тагиев, Т.Д. Алиева, Г.Д. Абдинова, Н.М. Ахундова
Структура и кинетические свойства экструдированных образцов твердого раствора BI85SB15 с различными размерами кристалликов |
| E32 | К.Д. Цэндин, Н.В. Совтус
Численное исследование процесса шнурования тока, возникающего при переключении в халькогенидных стеклообразных полупроводниках |
| E33 | Н.М. Сергеева, С.П. Богданов
Структурные и спектрально-оптические свойства полидисперсного сульфида цинка и твёрдого раствора ZnxCd1-xS |
| E34 | А.Б. Абасов, О.М. Гасанов, Дж.И. Гусейнов
Электрофизические свойства соединений Pb-Yb-Se |
| E35 | С.А. Дюсембаев, Ж.К. Толепов, Н.Р. Гусейнов, Н.Ж. Алмасов, О.Ю. Приходько, С.Я. Максимова, А.Е. Базаркулова
Электрические параметры тонких пленок GST, легированные медью |
| E36 | А.П. Авачев, С. П. Вихров, Н.В. Вишняков, М.В. Мальцев, Н. М. Толкач
Исследование фазового состояния пленок Ge2Sb2Te5 методом комбинационного рассеяния света |
| E37 | В.Т. Аванесян
Фотополяризационные процессы в халькогенидных стеклах сложного состава |
| E38 | В.Я. Когай
Cинтез нанокристаллических пленок селенида серебра в режиме взрывной кристаллизации |
| E39 | В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Г.А. Ильчук, М.С. Сергинов
Новая безвакуумная технология получения анизотипных фоточувствительных гетеропереходов собственный окисел GaSb(Oх)/п-GaSb |
| E40 | В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Г.А. Ильчук
Результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетеропереходов р-GаSb(Oх)/n-GaSb |
| E41 | А.П. Авачев, С. П. Вихров, Н.В. Вишняков, М.В. Мальцев, Н.М. Толкач
Исследование различий фазовых состояний пленки Ge2Sb2Te5 в области воздействия лазерного луча |
СЕКЦИЯ F. Технологии и методы получения
|
| F01 | S.M. Manakov, B.A. Akanaev
Light trapping effects in thin film solar cells |
| F02 | А.В. Медведев, Н.A. Феоктистов, С.A. Грудинкин, А.А. Дукин, В.Г. Голубев
Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния |
| F03 | Л.С. Хорошко, Н.В. Гапоненко, В.С. Кортов, В.А. Пустоваров
Рентгено- и катодолюминесценция алюмоиттриевых композитов, легированных тербием, в пористом анодном оксиде алюминия |
| F04 | Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, С.А. Яковлев, Д.А. Кириленко, Ю.А. Кукушкина, В.Г. Голубев
Получение фотонных кристаллов с иерархической структурой пор на основе монодисперсных сферических мезопористых частиц аморфного SiO2 |
| F05 | С.A. Грудинкин, Н.A. Феоктистов, А.В. Медведев, А.А. Дукин, В.Г. Голубев
Планарный микрорезонатор на основе a-Si1-xCx:H /a-SiO2 c люминесцентными алмазными наночастицами в активном слое |
| F06 | Н.В. Пермяков А.В. Ильинский, В.А. Мошников, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин
Электроннолучевая модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках диоксида ванадия |
| F07 | С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова
Колебания проводимости при переключении в пленках халькогенидов системы Ge-Sb-Te в условиях ограничения тока |
| F08 | Ю.В. Воробьев, Н.Б. Рыбин, Н. М. Толкач
Повышение точности методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики поверхности фотоэлектрических преобразователей |
| F09 | М.В. Руденко, Н.В. Гапоненко
Зависимость структуры и морфологии танталата стронция висмута от температуры термообработки |
| F10 | О.Я. Березина, А.Л. Пергамент, Д.С. Яковлева
Модификация структурных свойств и морфологии поверхности тонких пленок гидратированного пентаоксида ванадия при электрохромном эффекте |
| F11 | Е.М. Ершенко, А.В. Чуриков, А.В. Бобыль, Е.И. Теруков
Исследование емкостных и структурно-фазовых характеристик LiFePO4 |
| F12 | Х. Сохраби Анараки, Н.В. Гапоненко, C.М. Завадский, Д.А. Голосов, А.Н. Петлицкий, В.В. Колос
Конденсаторные структуры на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом |
| F13 | Г.А. Иванов, В.Н. Вербицкий, А.В. Бобыль, Е.И. Теруков, Г.А. Горбатовский
Разработка гибридной энергоустановки на основе тонкопленочных фотоэлектрических модулей с накоплением энергии в аккумуляторных батареях различного типа |
| F14 | А.И. Попов, C.М. Сальников, А.А. Дудин, Ю.В. Ануфриев
Влияние тепловых процессов на работоспособность ячеек памяти на фазовых переходах |
| F15 | Л.С. Хорошко, Н.В. Гапоненко, Е.Н. Крутько, А.И. Кулак, В.Е. Борисенко
Микроструктурированные пленки TiO2/Al2O3 для фотокаталитической очистки воды |
| F16 | А.С. Саласюк, Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, Е.Ю. Стовпяга, А.В. Щербаков, J. Jager, А.В. Акимов, A.J. Kent, Д.Р. Яковлев, M. Bayer, В.Г. Голубев
Возбуждение гиперзвуковых колебаний мезопористых сфер диоксида кремния с порами, заполненными никелем |
| F17 | С.С. Балаганский, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, С.И. Мальченко
Метод измерения удельного сопротивления тонких пленок неупорядоченных полупроводников с помощью проводящей атомно-силовой микроскопии |
| F18 | А.В. Алпатов, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, С.М. Мурсалов, Н.В. Рыбина
Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур |
| F19 | Н.В. Вишняков, А.В. Ермачихин, В.Г. Литвинов
Алгоритм нахождения оптимального числа усреднений для уменьшения погрешностей при измерении спектров НЧ шума в полупроводниковых структурах |
| F20 | А.В. Ермачихин, С.А. Кострюков, В.Г. Литвинов
Разработка методики исследования электрофизических характеристик полупроводниковых структур с квантовыми ямами с использованием спектроскопии НЧ шума |
| F21 | Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, Е.Ю. Стовпяга, С.А. Яковлев, В.Г. Голубев
Получение фотонных стекол из монодисперсных сферических частиц аморфного кремнезема |
| F22 | А.А. Шерченков, Ю.И. Штерн, П.И. Лазаренко, А.О. Якубов, А.А. Бабич, М.Ю. Штерн, И.С. Караваев
Разработка, создание и ввод в эксплуатацию программно-аппаратных комплексов для исследования вольтамперных характеристик и термо-ЭДС тонких пленок фазовой памяти в широком диапазоне температур |
| F23 | С.М. Филиппов, А.С. Долгин, М.В. Кескинова, К.А. Огурцов, М.М. Сычев, Ф.И. Высикайло, В.В. Беляев
Синтез цинксульфидных люминофоров легированных фторидом кальция |
| F24 | М.В. Кескинова, К.А. Огурцов, И.А. Туркин, В.Р. Белялов, А.Ю. Постнов, М.М. Сычев
Микроволновый синтез хлорсиликатного люминофора |
| F25 | О.В. Купреева, С.К. Лазарук, В.Б. Борисенко
Формирование наноразмерного оксида титана с конусовидной структурой для антиотражающих покрытий |
| F26 | H. Martinez, A. Kosarev. A. Itzmoyotl
Effect of TCO material and frontal interface on characteristics of Si:H p-i-n junction |
| F27 | A. Fuentes-Garcia, B.A. Martinez Irivas, M.L. Arroyo Carrasco, J.C. Ramirez-San-Juan, M.D. Iturbe-Castillo, R. Ramos-Garcia
Hybrid a:Si-liquid crystals device for low power nonlinear optics applications |
| F28 | Н.П. Маркова, Д.А. Кириенко, В.П. Зломанов, О.Я. Березина, М.Е. Марков
Электрическое переключение с памятью в структурах на основе диоксида ванадия |
| F29 | А.С. Ильин, М.Н. Мартышов, И.А. Ситников, Н.П. Фантина, П.А. Форш, П.К. Кашкаров
Детектирование диоксида азота с помощью нанокристаллического оксида индия при комнатной температуре |
| F30 | С.Е. Никитин, О.И. Коньков, А.В. Бобыль, Е.И. Теруков, С.В. Тимофеев, И.Н. Трапезникова
Методика определения микроколичеств переходных металлов и оксидов на поверхности кремния с помощью электрохимических ячеек на основе перфторированных мембран |
| F31 | Д.А. Зезин, Э.Н. Воронков
Деградации тонкоплёночных солнечных элементов на основе a-Si:H в темноте |
| F32 | Г.М. Аблаев, А.С. Абрамов, Ю.К. Выграненко, Д.В. Жилина, А.В. Кукин, В.В. Левицкий, И.А. Няпшаев, А.Ю. Сазонов, А.В. Семенов, М.З. Шварц, Е.И. Теруков
Солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния на гибкой полимерной подложке |
| F33 | В.Ю. Москвичев, Э.Н. Воронков
Как долго может жить солнечный элемент |
| F34 | S.N. Abolmasov and P. Roca i Cabarrocas
In situ photoluminescence studies of c-Si surface passivation in a PECVD environment |
| F35 | В.П. Афанасьев, Г.А. Коноплев, Е.И. Теруков, А.В. Тимофеев
Электронное обучение при реализации программ повышения квалификации в области солнечной энергетики |
| F36 | А.В. Ершов, О.Б. Гусев, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.И. Машин
Повышение спонтанной эмиссии нанокристаллов кремния в микрорезонаторе Фабри-Перо с распределенными отражателями |
| F37 | В.П. Афанасьев, И.Н. Кашкул, Е.Е. Терукова
Постростовое модифицирование свойств тонких пленок оксида цинка |
| F38 | С.И. Нестеров
Двуслойный фоторезист высокого разрешения на основе халькогенидного стекла |
| F39 | V.V. Privezentsev, V.S. Kulikauskas, N.Yu. Nabachkova, A.A. Batrakov
Nanoparticle formation in Si by 64Zn+ ion implantation with a high dose and low energy |
Напечатать