Группа эпитаксиальных диэлектриков

Комплекс для лазерной и традиционной молекулярно-лучевой эпитаксии

Установка предназначена для выращивания эпитаксиальных слоев методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (laserMBE), который является усовершенствованной версией известного метода импульного лазерного осаждения (pulsed laser deposition, PLD).

В этом методе мишень подвергается воздействию мощных наносекундных импульсов Kr-F эксимерного лазера. Аблированный материал мишени формирует плазменный факел и в таком виде летит на нагретый образец. Контролировать режим роста можно, выбирая состав и давление буферного газа, а также температуру подложки и энергию импульсов лазера.

Имеется возможность непосредственно во время эпитаксии регистрировать картины дифракции быстрых электронов.

Основная часть установки соединена тоннелем с камерой для традиционной молекулярно-лучевой эпитаксии. Это позволяет переносить образцы для нанесения дополнительных слоев этим методом без их выноса на атмосферу.

Оборудование и методика трехмерного картографирования обратного пространства (3D-RHEED)

Мы активно используем в работе дифракцию быстрых электронов. Для получения более полной информации о кристаллической структуре эпитаксиальных слоев картины ДБЭ, снятые при разных углах поворота образца, собираются в трехмерную карту, которую потом можно вращать и нарезать, как удобно ].

Двухкамерная установка для выращивания гетероструктур фторид - халькогенид на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Установка предназначена для эпитаксиального роста транзисторных структур. Как следует из названия, MBE DUO состоит из двух частей. Первая камера предназначена для роста фторидов на кремнии. Во второй камере планируется на эпитаксиальные слои фторидов наносить тонкие пленки двумерных кристаллов дихалькогенидов переходных металлов, чтобы в дальнейшем на основе этих структур создавать полевые транзисторы нового поколения.

Установка оснащена дифрактометром быстрых электронов, что позволяет наблюдать картины дифракции непосредственно во время роста.

Кроме того, установка «MBE DUO» оснащена масс-спектрометром для анализа остаточных газов в камере.

Установка для проведения электрофизических измерений МДП-структур