/
 |
Усов Сергей Олегович |
Место и год рождения:
1981 г., Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 2016 г.
«Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN».
Защита диссертации в ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Должность (в настоящее время):
младший научный сотрудник
Опыт работы:
2001 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2009 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
Образование:
1999 - 2005 – Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПбГПУ), Радиофизический факультет.
2005 - 2008 – аспирантура, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Награды и премии за научную деятельность:
2006 г., Медаль "За лучшую научную работу", по итогам открытого конкурса на лучшую научную работу студентов по естественным, техническим и гуманитарным наукам в вузах Российской Федерации.
2009 г., Почетная грамота «победитель программы «Участник Молодежного Научно-Инновационного Конкурса» («УМНИК»)».
2009 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия».
2016 г., Диплом за лучшую презентацию «InAlN/AlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors» на на «3-ей Школе-конференции с международным участием 3rd International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2016” по Оптоэлектронике, Фотонике, Приборам и Наноструктурам».
Область научных интересов:
Экспериментальные и теоретические исследования структурных, оптических и электрических свойств квантоворазмерных гетероструктур на основе систем материалов InAlGaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС). Исследование спектральных характеристик InGaN/GaN светодиодов и лазеров видимого диапазона и источников белого света на их основе. Изучение структурных и электрофизических свойств гетероструктур InAlN/AlN/GaN и AlGaN/AlN/GaN барьерными слоями AlGaN и InAlN для полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT).
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
Патент на полезную модель № 169284 «Гетероструктурный полевой транзистор»;
Публикации
Автор и соавтор более чем 80 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 28, Scopus 38, РИНЦ 34.
Индекс Хирша в WoS 6 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/A-9137-2014
