Лаборатория инфракрасной оптоэлектроники
Laboratory of InfraRed Optoelectronics
 
 
 


Альберт Николаевич Именков - д.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО). Родился в городе Белая Церковь, Украина, 9 февраля 1937 года. Окончил Политехнический институт (в настоящее время Санкт-Петербургский Политехнический университет) в 1960 году. В 1962 году начал научную деятельность в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН. В 1968 году защитил кандидатскую диссертацию, в 1987 году - докторскую диссертацию. Основные научные интересы А.Н. Именкова – исследование туннельных, электролюминесцентных явлений и генерации лазерного излучения в полупроводниках А3В5 и многокомпонентных твердых растворах, а также разработка оптоэлектронных приборов на их основе. Его работы внесли важный вклад в создание отечественных туннельных диодов, светодиодов на основе GaP и GaAs, а также солнечных фотоэлектрогенераторов с варизонным полем. В 1990-2006 гг. А.Н. Именков развил новое научное направление по созданию и исследованию перестраиваемых полупроводниковых лазеров для среднего ИК диапазона. Им предложены новые принципы одномодовой лазерной генерации с быстрой перестройкой частоты на основе нелинейных оптических явлений. Эти идеи легли в основу создания нового лазерного спектрометра с высоким разрешением для задач молекулярной спектроскопии, экологического мониторинга и медицинской диагностики.
Под руководством Альберта Николаевича Именкова защищены 6 кандидатских диссертаций, и в 1997 году ему присвоено звание профессора.
А.Н. Именковым получено 50 авторских свидетельств и опубликовано более 180 научных трудов.

Некоторые из его основных публикаций представлены ниже:

  • T.N. Danilova, B.E. Zhurtanov, A.N. Imenkov, Yu.P. Yakovlev ”Light emitting diodes based on GaSb alloys for mid-infrared 1.6-4.4 mm spectral range”, Semiconductors, 2005
  • A.P. Astakhova, A.N. Imenkov, N.M. Kolchanova, Yu.P. Yakovlev, P. Kubat, S. Civis and A. Walters “Single mode laser based on InGaSb/InAsSbP double heterostructure with tuning from 3,244 to 3,234 mm”. IEE Proc.-Optoelectron, Vol.149, No1, 2002.
  • A.P. Danilova, A.N. Imenkov, T.N. Danilova, N.M. Kolchanova, M.V. Stepanov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev “Fast tuning of 3.3 mm InAsSb/InAsSbP diode lasezs due to nonlinear optical effects.” Spectrochimica Acta Part A, 55, 2077-2082 (1999).
  • S. Civis, P. Kubat, Z. Zelinger, V. Hozka, A.N. Imenkov, N.M. Kolchanova, Yu.P. Yakovlev “InAsSb/InAsSbP current-tuneble laser with narrow spectral line width” Appl.Phys. B76, 633-637(2003).