руководство лаборатории

Константин Дмитриевич Моисеев

Константин Дмитриевич Моисеев – доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО), координатор исследований наногетерострутур. Область научных интересов:  физика полупроводниковых гетероструктур; создание и исследование наногетероструктур для ИК оптоэлектроники; квантовые явления в низкоразмерных гетероструктурах (люминесценция, циклотронный резонанс); квантовый магнитотранспорт.

Константин Дмитриевич Моисеев родился 17 февраля 1965 года в городе Ленинграде (в настоящее время – Санкт-Петербург). В 1988 году окончил радиофизический факультет Ленинградского политехнического института по специальности «физика полупроводников» и поступил на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Защитил кандидатскую диссертацию 1995 году. В 2005 году защитил докторскую диссертацию, посвященную исследованиям гетеропереходов II рода на основе узкозонных полупроводников А3В5 (оптические и магнитотранспортные свойства), и получил степень доктора физико-математических наук. Область научных интересов К.Д. Моисеева: физика полупроводниковых гетероструктур; создание и исследование наногетероструктур для ИК оптоэлектроники (лазеров, светодиодов и фотодиодов); квантовые явления в низкоразмерных гетероструктурах (люминесценция, циклотронный резонанс); квантовый магнитотранспорт. Результатом приоритетных исследований стало создание ИК лазеров нового типа. С 1998 года является одним из ведущих исследователей в изучении оптических и квантовых магнитотранспортных явлений в гетероструктурах II типа с самосогласованными квантовыми ямами на гетерогранице в системе твердых растворов GaSb-InAs. За работы в данной области К.Д. Моисеев с коллегами в 1995 году были удостоены премии им. А.Ф. Иоффе. Новое направление его научных исследований – узкозонные наногетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми штрихами и квантовыми кольцами, на основе которых были созданы оптоэлектронные приборы для экологического мониторинга и медицины.

Научная работа К.Д. Моисеева была поддержана грантом Президента Российской Федерации (1997-2000) и грантом Фонда Содействия отечественной науки (2008-2009).

Ряд основных публикаций К.Д. Моисеева представлен ниже:

• K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, A.V. Ankudinov, E.V. Guschina, M.P. Mikhailova, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev “InSb/InAs quantum dots grown by liquid-phase epitaxy” // Phys. Tech. Lett., 33, 295 (2007)
• V.A. Berezovets, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev, V.I. Nizhankovskii “VerticaltransportinaGaInAsSb/p-InAs broken-gaptypeIIheterojunction” // J. Low-Temp. Phys.,33, 137 (2007)
• K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Room-temperature electroluminescence of AlSb/InA.sSb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett., 88, 132102 (2006)
• K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev Interface lasers with asymmetric band offset confinements // Chapter in book: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics (ed. A. Krier), Springer Series in Optical Sciences, pp. 219-235 (2006)
• K. A. Korolev, K. D. Moiseev, V. A. Berezovets, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, R.V. Parfeniev, C. J. Meining, B. D. McCombe Interface Related Radiative Recombination on a Type-II Brocken-Gap Single GaInAsSb/InAs heterojunction // Springer Proceedings in Physics, Vol. 110, pp. 329-332 (2005).
• M.P.Mikhailova, K.D.Moiseev, Yu.P.Yakovlev  “Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterostructures”  Semicond. Sci. Technol. 19, R109-R128 (2004)
• N.A.Averkiev, K.D.Moiseev, V.A.Berezovets, M.P.Mikhailova, V.I.Nizhankovskii, R.V.Parfeniev “Peculiarities of energy band spectrum and quantum magnetotransport in type II heterojunctions”  Sol. St. Phys. 46, 2083 (2004)
• K.D.Moiseev, A.Krier, Yu.P.Yakovlev  “Room-temperature photoluminescence of Ga0.96In0.04As0.11Sb0.89 lattice-matched to InAs” Journ. Electron. Mat., 33, 867 (2004)
• K.D.Moiseev, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev “Mid-Infrared lasing from self-consistent quantum wells at a type II single broken-gap heterointerface” Physica E, 20, 491 (2003)
• S.V.Ivanov, V.A.Solov’ev, K.D.Moiseev, I.V.Sedova, Ya.V.Terent’ev, A.A.Toropov, B.Ya.Meltser, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev, P.S.Kop’ev  “Room-temperature mid-infrared electroluminescence from asymmetric AlSbAs/InAs/CdMgSe heterostructures grown by molecular beam epitaxy” Appl. Phys. Lett., 78, 1655 (2001)
• K.D.Moiseev, V.A.Berezovets, M.P.Mikhailova, V.I.Nizhankovskii, R.V.Parfeniev, Yu.P.Yakovlev  "Quantum magnetotransport at a type II broken-gap single heterointerface” Surf. Sci. 482, 1083-1089 (2001)
• M.P.Mikhailova, B.E.Zhurtanov, K.D.Moiseev, A.N.Imenkov, O.G.Ershov Yu.P.Yakovlev  “3.2 and 3.8 mm emission and lasing in AlGaAsSb/InGaAsSb double heterostructures with asymmetric band offset confinements” Mat. Res. Soc. Proc., 484, 101 (1998)