руководство лаборатории

Юрий Павлович Яковлев

Юрий Павлович Яковлев — профессор, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО) в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург. Основные научные интересы: физика и технология узкозонных твердых растворов на основе соединений A³B⁵; гетероструктуры и наногетероструктуры; оптоэлектронные приборы.

Юрий Павлович Яковлев родился 17 октября 1939 года. Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина). Научную деятельность в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе начал в 1969 году в лаборатории, возглавляемой Дмитрием Николаевичем Наследовым. Защитил кандидатскую диссертацию «Создание и исследование варизонных p-n структур на основе GaAlAsSb» в 1978 году. В 1995 году защитил докторскую диссертацию «Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия» и получил степень доктора физико-математических наук.

Первые работы Ю. П. Яковлева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе связаны с созданием и исследованием светодиодов на основе GaAs и GaP, серийное производство которых затем было организовано на заводе «Старт». Научными исследованиями в области инфракрасной оптоэлектроники Ю. П. Яковлев занимается с 1982 года. На протяжении этих лет им и сотрудниками была разработана технология создания как узкозонных твердых растворов и гетеророструктур на основе соединений A³B⁵, так и оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2-5 мкм. В 1988 году им совместно с профессором А. А. Рогачевым впервые был предложен и создан квантово-размерный лазер на основе GaSb/GaAlAsSb гетероструктур II типа (λ= 2μm), работающий при комнатной температуре.

В 1986-1996 годах Ю. П. Яковлев с сотрудниками разработали светодиоды и лазеры на основе InGaAsSb/AlGaAsSb и InAsSb/InAsSbP гетероструктур для спектрального диапазона 1.6-5.0 мкм; перестраиваемые лазеры для диапазона 2.7-3.7 мкм, работающие при Т=77-200K; лавинные и pin- фотодиоды для 2-5 мкм.

В 1995 году Ю.П. Яковлев организовал и возглавил лабораторию инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО) в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Являлся научным руководителем 12 кандидатских диссертаций и получил звание профессора в 1999 году. Научная деятельность проф. Ю.П. Яковлева неоднократно была поддержана как российскими, так и зарубежными научными фондами, включая РФФИ, МНТС и др. В 2005 году он с коллегами был награжден премией имени А. Ф. Иоффе за работы по исследованию оптических и магнитотранспортных свойств гетеропереходов II типа на основе полупроводников A³B⁵.

В 2005 году Ю.П. Яковлев с сотрудниками основал компанию АИБИ (IBSG), успешно работающую в области оптоэлектронных приборов для среднего ИК диапазона.

Ю.П. Яковлев является автором и соавтором 80 патентов, более 200 статей, обзоров и разделов в книгах.

Несколько основных публикаций представлены ниже:

1. Yu.P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev and M. P. Mikhailova «Optoelectronic LED-photodiode Pairs for Moisture and Gas sensors in the spectral range 1.8-4.8 μm», Proc. SPIE, v.1510, 1991, p.128.
2. A.N.Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, Yu.P.Yakovlev, «2.7-3.9 μm InAsSb/InAsSbP lasers», Appl.Phys.Lett., 64, 2480 (1994).
3. Yu.P.Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev et al. «Injection InAsSb/InAsSbP lasers for high-resolution spectroscopy.» Kvantovaya Electronika, 20(9), 1-9 (1993).
4. Yu.P.Yakovlev, K. D. Moiseev, M. P. Mikhailova, O. G. Ershov, G. G. Zegrya «Longwavelength (λ=3.26 μm) with a single isolated GaInAsSb/p-InAs type II heterojunction in an active layer» (Tech.Phys.Lett.) 21(12), 482-484.
5. A.A.Popov, V. V. Sherstnev, A. N. Baranov, C. Aliber and Yu.P.Yakovlev «Continuous-wave operation of single mode GaInAsSb lasers emitting near 2,2 μm at peltier temperatures» Elect. Lett., 34 (1998).
6. S.Civis, A. N. Imenkov, A. P. Danilova, N. M. Kolchanova, V. V. Sherstnev, Yu.P.Yakovlev, A. D. Walters «A tunable single-mode 3.2 μm laser based on an InAsSb/InAsSbP double heterostructure with drive-current tuning range of 10 cm^-1» Spectrochemica Acta, Part A, 56, 2125-2130 (2000).
7. M.P. Mikhailova, K. D. Moiseev and Yu.P. Yakovlev «Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterostructures» (topical review), Semicond. Sci. Technol., 19, 109-128 (2004).
8. T.N. Danilova, B. E. Zhurtanov, A. N. Imenkov, Yu.P. Yakovlev «Light emitting diodes based on GaSb alloys for mid-infrared 1.6-4.4 μm spectral range», Semiconductors, 2005
9. K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev «Interface Lasers with Asymmetric Band Offset Confinement». A. Krier (Ed.). Springer series in optical sciences. 2006, pp.219-235.