/
 |
Лундин Всеволод Владимирович |
Место и год рождения:
1972, Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 1998
«Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств».
Защита диссертации в ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Должность (в настоящее время):
старший научный сотрудник
Опыт работы:
1998 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
1995 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
2009 - по настоящее время, Академический Университет, доцент.
Образование:
1988 - 1995 – Ленинградский электротехнический институт
им. В. И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники - базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
1995 - 1998 – аспирантура, Ленинградский электротехнический институт
им. В. И. Ульянова (Ленина), базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Награды и премии за научную деятельность:
2008 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы».
2009 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия».
2015 г., Сертификат «За выдающийся вклад в рецензирование», журнал Journal of Crystal Growth.
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур».
Членство в ведущих научных сообществах, участие в редколлегиях ведущих рецензируемых научных изданий:
Ассоциированный редактор журнала “Progress in Crystal Growth and Characterization of materials” издательства Elsevier.
Член программных комитетов конференций EW MOVPE 2011, 2013, 2015, 2017 гг.
Член программных комитетов конференций IC-MOVPE 2014, 2016, 2018, 2020 гг.
Член программных комитетов конференций ISGN 2012, 2014, 2015 гг.
Область научных интересов:
Разработка технологии и оборудования для МОС-гидридной эпитаксии III-N гетероструктур.
Преподавательская деятельность:
Разработка и чтение курса лекций:
«Газофазная эпитаксия» в
Санкт-Петербургском Академическом университете - научно-образовательном центре нанотехнологий РАН.
Руководитель диссертаций на соискание степени к.ф.-м.н.:
Заварин Е.Е. (2008г.), Рожавская М.М. (2013г.).
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
Патент № 2504048 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент на полезную модель № 102849 «Светоизлучающий кристалл»;
Патент на полезную модель № 119165 «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)»;
Патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент № 2371806 «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа»;
Патент № 2369942 «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника»;
Патент № 2426197 «Нитридное полупроводниковое устройство»;
Патент № 2650352 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент № 2650597 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент № 2642472 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент №2414549 «Способ выращивания слоя нитрида галлия и способ получения нитридного полупроводникового устройства»;
Патент на полезную модель № 169283 «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As»;
Патент на полезную модель № 169284 «Гетероструктурный полевой транзистор»;
Патент № 2673515 «Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы и устройство для его осуществления»;
Публикации
Автор и соавтор более чем 250 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 205, Scopus 217, РИНЦ 264.
Индекс Хирша в WoS 15 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/A-9137-2014
