/
 |
Синицын Михаил Алексеевич |
Место и год рождения:
1955 Дзержинск, Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 1987
«Разработка МОС-гидридного метода получения Al-Ga-As для задач СВЧ и оптоэлектроники»
Должность (в настоящее время):
старший научный сотрудник
Опыт работы:
1977 - по настоящее время, ГИ «Салют», ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Образование:
1972 - 1977, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет имени Н. И. Лобачевского (ННГУ им. Н.И.Лобачевского), Физический факультет,
"Физика диэлектриков и полупроводников".
Награды и премии за научную деятельность:
2008 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы».
Область научных интересов:
МОС-гидридная эпитаксия гетероструктур на основе системы материалов InAlGaN для создания высокоэффективных InGaN/GaN светодиодов видимого диапазона и источников белого света, AlInN/AlN/GaN и AlGaN/AlN/GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов и других полупроводниковых приборов на их основе.
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
Патент № 2369942 «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника»;
Патент № 2371806 «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа»;
Публикации
Автор и соавтор более чем 50 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых Scopus 3, РИНЦ 43.
Индекс Хирша в Scopus 3 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=36150190200
