/
| Все | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 |
| 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 |
| 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 |
| 2004 | 2003 | 2002 | 2001 | 2000 |
| 1999 | Патенты | ⇑Наверх |
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Список публикаций сотрудников
| Все | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 |
| 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 |
| 2005 | 2004 | 2003 | 2002 | 2001 | 2000 | 1999 |
| Патенты |
G. Pozina, A.R. Gubaydullin, M.I. Mitrofanov, M.A. Kaliteevski, I.V. Levitskii, G.V. Voznyuk, E.E. Tatarinov, V.P. Evtikhiev, S.N. Rodin, V.N. Kaliteevskiy, L.S. Chechurin Approach to high quality GaN lateral nanowires and planar cavities fabricated by focused ion beam and metal-organic vapor phase epitaxy
// Scientific Reports. 2018. - V.8. №1. - P. 7218.
DOI: 10.1038/s41598-018-25647-7.
М.И. Митрофанов, Я.В. Левицкий, Г.В. Вознюк, Е.Е. Татаринов, С.Н. Родин, М.А. Калитеевский, В.П. Евтихиев Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления // Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №7. - С. 816–818.
DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46058.8797.
M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevski, V. P. Evtikhiev Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching // Semiconductors. 2018. - V.52. №7. - P. 954-956.
DOI: 10.1134/S1063782618070151.
Исследование статистического уширения в твёрдых растворах InGaN / Артеев Д. С., Сахаров А. В., Заварин Е. Е., Лундин В. В., Смирнов А. Н., Давыдов В. Ю., Яговкина М.А., Усов С. О., Цацульников А. Ф. // Тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб, Санкт-Петербург, 23-25 октября 2018.
Investigation of the statistical broadening in the InGaN solid solutions / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of international conference Physics.SPb (St. Petersburg, 23-25 October 2018). - St. Petersburg, 2018.
Arteev D.S., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Usov S.O., Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Yagovkina M.A., Tsatsulnikov A.F., Investigation of Statistical Broadening in InGaN Alloys
// Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1135. - P.
012050/1-6.
DOI: 10.1088/1742-6596/1135/1/012050.
Poltavtsev S.V., Solovev I.A., Akimov I.A., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yakovlev D.R., Bayer M. Long coherent dynamics of localized excitons in (In,Ga)N/GaN quantum wells
// Physical Review B. 2018. - V. 98. №1. - P. 195315.
DOI: 10.1103/PhysRevB.98.195315.
Применение искусственных нейронных сетей для предсказания параметров эпитаксиальных слоёв AlGaN, выращенных методом МОГФЭ / Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 20-ой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, (Санкт-Петербург, 26-30 ноября 2018г.). – Санкт-Петербург, 2018. – C. 13.
The application of the artificial neural networks for prediction of the parameters of the AlGaN epitaxial layers grown by MOVPE eptaxy / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 20th All-Russian Youth Conference on the Physics of Semiconductors and Nanostructures, (St. Petersburg, 26-30 November 2018). - St. Petersburg, 2018. - P. 13.
Оборудование и технология эпитаксиального роста AlGaInN гетероструктур для транзисторов методом МОС-гидридной эпитаксии / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Д.А. Закгейм, А.Е. Николаев, В.М. Устинов // Тезисы докладов I-ой международной научно-технической конференции «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА – 2018», (Минск, Беларусь, 22–26 октября 2018 г.). – Минск, 2018. – C. 66-69.
The equipment and technology for epitaxial growth of AlGaInN heterostructures for transistors by MOVPE epitaxy method / А.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.E. Nikolaev, V.M. Ustinov // Abstracts of the 1st International Scientific and Technical Conference "OPTO-, MICRO- and UHF-ELECTRONICS - 2018", (Minsk, Belarus, October 22–26, 2018). - Minsk, 2018. - p. 66-69.
Осаждение Si3N4 и твердых растворов Si3N4-GaN и Si3N4-AlN для электронных применений в установке газофазной эпитаксии / А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, С.Н. Родин, Т.Б. Попова, М.В. Заморянская, М.А. Яговкина, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.Г. Тихомиров, А.C. Евсеенков / Тезисы докладов I-ой международной научно-технической конференции «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА – 2018», (Минск, Беларусь, 22–26 октября 2018 г.). – Минск, 2018. – C. 90-93.
Deposition of the Si3N4 and Si3N4-GaN and Si3N4-AlN solid solutions for electronic applications in the MOVPE epitaxy system / A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.E. Nikolaev, S.N. Rodin, TB Popova, M.V. Zamoryanskaya, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Tikhomirov, A.C. Evseenkov / Proceedings of the 1st International scientific and technical conference "OPTO-, MICRO- and MICROWAVE –ELECTRONICS – 2018», (Minsk, Belarus, 22–26 October, 2018). – Minsk, 2018. – PP. 90-93.
Lundin W.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Zakheim D.A., Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Eliseyev I.A., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Lundina E.Yu., Markov L.K., Tsatsulnikov A.F. Growth of III-N/graphene heterostructures in single vapor phase epitaxial process // Journal of Crystal Growth. 2018. - V. 504. - P. 1-6.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.017.
Study of growth conditions effect on GaN doping with carbon from propane and methane / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE-XIX (Nara, Japan, 3-8 June 2018).
Study of silicon nitride deposition in III-N MOVPE reactors / W.V. Lundin, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, A.E.Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE-XIX (Nara, Japan, 3-8 June 2018).
Carrier Redistribution in Blue-Cyan InGaN Dichromatic Light-Emitting Diodes / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, S.O. Usov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov / Proceedings of the International Conference Laser Optics (ICLO) 2018, (St. Petersburg, 4-8 June 2018). – St. Petersburg, 2018 – p. 134-134.
DOI: 10.1109/LO.2018.8435734.
Zakheim D.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina E.Y., Tsatsulnikov A.F., Karpov S.Yu. Dependence of leakage current in Ni/Si3N4/n-GaN Schottky diodes on deposition conditions of silicon nitride // Semicondor Science and Technology. 2018. - V.33. №11. - P. 115008/1-8.
DOI: 10.1088/1361-6641/aae242.
Sakharov A.V., Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sokolovskii G.S., Tsatsulnikov A.F., Rafailov E.U. Di-chromatic InGaN based color tuneable monolithic LED with high color rendering index // Applied Sciences. 2018. - V.8. №7. - P. 1158/1-8.
DOI: 10.1088/10.3390/app8071158.
Analysis of electroluminescence spectrum of InGaN/GaN light-emitting diode with dual-wavelength emission and mesh-like electrode / I. Khmyrova,Y. Nishidate, J. Kholopova, E.Polushkin, S.Larkin, A.Kovalchuk, A. Tsatsul’nikov, V. Zemlyakov, S. Shapoval / Proceedings of the 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018). – Minsk, 2018 – p. 25-26.
Ultrathin barrier InAlN/GaN heterostructures for HEMTs / A.V. Sakharov,W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, M.A.Yagovkina, P.E. Sim, O.I. Demchenko, N.Y. Kurbanova, L.E. Velikovskiy / Proceedings of 26th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018 г.). – Minsk, 2018. – C. 99-100.
Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Zakheim D.A., Usov S.O., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Sim P.E., Demchenko O.I., Kurbanova N.Y., Velikovskiy L.E., Ultrathin barrier InAlN/GaN heterostructures for HEMTs
// Semiconductors. 2018. - V.52. №14. - P. 1843–1845.
DOI: 10.1134/S1063782618140257.
FIB lithography challenges of Si3N4/GaN mask preparation for selective epitaxy / M.I. Mitrofanov, I.V. Levitskii, G.V. Voznyuk, E.E. Tatarinov, S.N. Rodin, W.V. Lundin, V.P. Evtikhiev, M.N. Mizerov / Proceedings of the 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018). – Minsk, 2018 – p. 157-158.
Лундин В.В., Цацульников A.Ф.,. Родин С.Н, Сахаров А.В., Усов С.О., Митрофанов М.И., Левицкий Я.В., Евтихиев В.П. Селективный эпитаксиальный рост III−N-структур с использованием ионной нанолитографии // Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №10. - С. 1237-1243.
DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46467.8861.
Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Rodin S.N., Sakharov A.V., Usov S.O., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Evtikhiev V.P. Selective epitxial growth of III−N structures using ion beam nanolithography // Semiconductors Vol. 52. №10. 1357–1362 (2018).
DOI: 10.1134/S106378261810007X.
Емцев В.В., Гущина Е.В., Петров В.Н., Тальнишних Н.А., Черняков А.Е., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М., Усиков А.С., Карташова А.П., Зыбин А.А., Козловский В.В., Кудояров М.Ф., Сахаров А.В., Полоскин Д.С., Лундин В.В., Оганесян Г.А. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
// Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №7. - С.
804-811.
DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46056.8805.
Emtsev V.V., Gushchina E.V., Petrov V.N., Tal’nishnih N.A., Chernyakov A.E., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Usikov A.S., Kartashova A.P., Zybin A.A., Kozlovski V.V., Kudoyarov M.F., Saharov A.V., Oganesyan A.G., Poloskin D.S., Lundin V.V. Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System
// Semiconductors Vol. 52. №7. 942–949 (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618070072.
Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Закгейм Д.А., Николаев А.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
// Письма в Журнал Технической Физики. 2018. - Т. 44. №13. - С.
51-58.
DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310.
Lundin V.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Zakgeim D.A., Nikolaev A.E., Brunkov P.N., Yagovkina M.A., Tsatsul’nikov A.F. The Effect of the Method by Which a High-Resistivity GaN Buffer Layer Is Formed on Properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures with 2D Electron Gas
// Technical Physics Letters Vol. 44. №7. 577–580 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018070106.
Karpov S.Yu., Zakheim D.A., Lundin W, Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina, E.Yu., Tsatsulnikov A.F. Barrier height modification and mechanism of carrier transport in Ni/in situ grown Si3N4/n-GaN Schottky contacts
// Semicondor Science and Technology. 2018. - V.33. №2. - P.
025009/1-10.
DOI: 10.1088/1361-6641/aaa603.
Артеев Д.С., Сахаров А.В. Рекомбинация и перераспределение носителей заряда в сине-голубых дихромных светодиодах на основе InGaN // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание / [Электронный ресурс]. - Режим доступа: URL:
http://kmu.ifmo.ru/collections_article/7460/rekombinaciya_i_pereraspredelenie_nositeley_zaryada_v_sine-golubyh_dihromnyh_svetodiodah_na_osnove_InGaN.htm.
Non-radiative coupled donor-acceptor pair recombination in nanostructures based on nitrides and related phenomena / Talnishnikh N.A., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Chernyakov A.E., Arteev D.S., Zybin A.A. // Proceedings of International School and Conference “SPb Open 2018” (Saint Petersburg, Russia, 2-5 April, 2018) // Journal of Physics: Conference Series. 2018.
Резонансные брэгговские структуры с GaN/AlGaN квантовыми ямами
/ Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, С.О. Усов,
В.В. Чалдышев, А.С. Большаков, М.А.Яговкина, А.Ф. Цацульников //
Тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб,
(Санкт-Петербург, 24-26 октября 2017 г.). – Санкт-Петербург, 2017. –
C. 316 // Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1038. -
P.012119.
DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012119.
Resonant Bragg structures with GaN/AlGaN Quantum Wells
/ D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, S.O. Usov,
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov
// Proceedings of international conference Physics.SPb (St.
Petersburg, 24-26 October 2017). - St. Petersburg, 2017. - P. 316.
// Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1038. -
P.012119.
DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012119.
Non-radiative coupled donor-acceptor pair recombination in nanostructures based on nitrides and related phenomena
/ Talnishnikh N.A., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Chernyakov A.E.,
Arteev D.S., Zybin A.A. // Proceedings of International School and
Conference “SPb Open 2018” (Saint Petersburg, Russia, 2-5 April,
2018) // Journal of Physics: Conference Series. 2018.
DOI: 10.1088/1742-6596/1124/4/041023 .
Монолитные полихромные InGaN/GaN светодиоды / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, С.Н. Родин, Лундина Е.Ю., Н.А. Черкашин, С.Ю. Карпов // Тезисы докладов 13-ой Российской конференции по физике полупроводников, (Екатеринбург, 02–06 октября 2017 г.). – Екатеринбург, 2017. – C. 419.
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее // Научное приборостроение. 2017. - Т. 27. №1. - С. 5-9.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники // Физика Твердого Тела. 2017. - Т. 51. №9. - С. 1680-1683.
DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44836.072.
Savchenko, G.M., Dudelev, V.V., Lundin, V.V., Sakharov, A.V., Tsatsul’nikov, A.F., Kognovitskaya, E.A., Losev, S.N., Deryagin, A.G., Kuchinskii, V.I., Averkiev, N.S., Sokolovskii, G.S. Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation // Physics of the Solid State. 2017. - V.59. №9. - P. 1702-1705.
DOI: 10.1134/S106378341709027X.
III-N гетероструктуры для монолитных полихромных светоизлучающих приборов / А.Ф . Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев // Тезисы докладов 11-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 22 – 26 мая 2017 г.). – Минск, 2017. – C. 70-71.
Модуляция отражения в III-N экситонной Брэгговской структуре / А.В . Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, Д.С. Артеев, В.В. Чалдышева, А.С. Большаков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 22 – 26 мая 2017 г.). – Минск, 2017. – C. 75-77.
Study of silicon nitride deposition in III-N MOVPE reactors / W.V. Lundin, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.A. Sinitsyn, A. F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17), (Grenoble, France, 18-21 June 2017). - Grenoble, 2017.
Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based LEDs / D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M. Korytov, N. Cherkashin, M.J. Hytch, S.Yu. Karpov // Proceedings of the International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 26-30 June 2017). - Saint-Petersburg, 2017. – C. 49-50.
Absorption suppression in InGaN/GaN resonant Bragg structures / A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 26-30 June 2017). - Saint-Petersburg, 2017. – C. 108-109.
High Q Gallium Nitride Microring Resonators
/ E. Stassen, M. Pu, E. Semenova, E. Zavarin, W. Lundin, K. Yvind //
Proceedings of the Conference on Lasers and Electro-Optics Europe /
European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC), (Munich,
Germany, 25-29 June 2017). - Munich, 2017.
DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2017.8086619.
Mitrofanov M.I., Rodin S.N., Levitskii I.V., Troshkov S.I., Sakharov A.V., Lundin W.V., Evtikhiev V.P. Ga focused ion beam etching of a Si3N4/GaN substrate for submicron selective epitaxy // Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V.816. - P.012009/1-5.
Arteev D. S., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Usov S. O., Lundin W. V., Tsatsulnikov A. F., Luminescence peculiarities of InGaN/GaN dichromatic LEDs
// Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V. 816. - P.
012038/1-7.
DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012038.
Galimov A.I., Shalygin V.A., Moldavskaya M.D., Melentev G.A., Vinnichenko M.Ya., Artemyev A.A., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Lundina E.Yu., Lundin W.V. Optical properties of GaN/AlGaN nanostructures in the terahertz frequency range
// Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V.816. -
P.012019/1-8.
DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012019.
Kholopova Y., Khmyrova I. , Larkin S., Zemlyakov V., Egorkin V., Tsatsul'nikov A., Nishidate Y., Shapoval S. Blue-green InGaN/GaN light-emitting diode with mesh-like top metal electrode
// Microelectronic Engineering. 2017. - V.174. - P. 80-84.
DOI: 10.1016/j.mee.2017.02.014..
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A. Room temperature exciton-polariton resonant reflection and suppressed absorption in periodic systems of InGaN quantum wells
// Journal of Applied Physics. 2017. - V.121. №13. - P.133101.
DOI: 10.1063/1.4979636.
D. Barettin, M. Auf der Maur, A. di Carlo, A. Pecchia, A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, M. Korytov, N. Cherkashin, M.J. Hÿtch, S.Yu. Karpov Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based light-emitting diodes
// Nanotechnology. 2017. - V.28. №27. - P. 275201.
DOI: 10.1088/1361-6528/aa75a8.
D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, A. Tsatsulnikov, A. Sakharov, W. Lundin, A. Nikolaev, S. Usov, N. Cherkashin, M. Hÿtch, A. Di Carlo, S. Karpov Influence of electromechanical coupling on optical properties of InGaN quantum-dot based light-emitting diodes
// Nanotechnology. 2017. - V.28. №1. - P.015701.
DOI: 10.1088/0957-4484/28/1/015701.
Лундин В.В., Родин С.Н., Сахаров А.В., Лундина Е.Ю., Усов С.О., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Цацульников А.Ф. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
// Физика и Техника Полупроводников. 2017. - Т. 51. №1. - С.
101-104.
DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44003.8293.
Lundin W.V., Rodin S.N., Sakharov A.V., Lundina E.Y., Usov S.O., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Tsatsulnikov A.F. InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length
// Semiconductors. 2017. - V.51. №1. - P.100-103.
DOI: 10.1134/S1063782617010122.
Единый ОГФЭ/МОГФЭ процесс формирования III-N/графен светодиодных структур на сапфире и их отделение от подложек / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.Ю. Лундина, И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, Л.К. Марков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 24-25.
Комплексное исследование легирования GaN углеродом из пропана при МОС-гидридной эпитаксии / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 30-31.
Исследование роста Si3N4 в реакторе для МОС-гидридной эпитаксии III-N структур / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 54-55.
Монолитные источники белого света / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, С.Ю. Карпов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 80-81.
InGaN/GaN нитевидные светодиодные микрокристаллы / В.В. Лундин, С.Н. Родин, А.В.Сахаров, Е.Ю. Лундина, С.О. Усов, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 86-87.
Разработка мощных GaN транзисторов L, S и Х диапазона / Л.Э. Великовский, П.Е. Сим, О.И. Демченко, Н.Е. Курбанова, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 114-115.
Резонансные брэгговские структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaN/AlGaN / В.В. Чалдышев, А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 160-161.
Особенности пассивации GaN сверхртонкими слоями SiN / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, П.Н.Брунков, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 172-173.
Оптические свойства структур GaN/AlGaN/Al2O3 в терагерцовом диапазоне частот / М.Д. Молдавская, В.А. Шалыгин, Г.А. Мелентьев, Д.А. Фирсов, А.И. Галимов, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.Ю. Лундина, В.В. Лундин // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 174-175.
Особенности люминесценции InGaN/GaN дихромных светодиодов / Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 18-ой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016г.). – Санкт-Петербург, 2017. – C. 119.
I.E. Titkov, A. Yadav, S.Yu. Karpov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, T.J. Slight, A. Gorodetsky, E.U. Rafailov Superior color rendering with a phosphor-converted blue-cyan monolithic light-emitting diode
// Laser & Photonics Reviews. 2017. - V.10. №6. - P.1031–1038.
DOI: 10.1002/lpor.201600196.
M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov, L.E. Velikovskiy Stress-dislocation management in MOVPE of GaN on SiC wafers
// Physica Status Solidi (a). 2016. - V. 213. №10. - P. 2759-2763.
DOI: 10.1002/pssa.201600210.
Усов С.О., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Устинов В.М. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур InAlN/AlN/GaN // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2016. – Выпуск 4. №243. - С. 47-57.
S.O. Usov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.E.
Nikolaev, M.A. Yagovkina, V.E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, V. M.
Ustinov
DOI: High electron mobility transistors based on InAlN/AlN/GaN heterostructures // Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 2016. - V. 243. №4 - P. 47-57.
Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions
// Journal of Crystal Growth. 2016. - V. 449. - P. 108–113.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002.
Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский , В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров , А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , Г.В. Медведев Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
// Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №12. - С.
1599-1604.
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29.
Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский , В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров , А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , Г.В. Медведев Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
// Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №12. - С.
1599-1604.
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29.
A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells
// Semiconductors. 2016. - V.50. №11. - P. 1431–1434.
DOI: 10.1134/S1063782616110051.
А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , М.А. Яговкина, А.В. Сахаров , С.О. Усов , В.Е. Земляков , В.И. Егоркин , К.А. Булашевич, С.Ю. Карпов , В.М. Устинов Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №10. - С. 1401-1407.
A.F. Tsatsulnikov, V.W. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Yagovkina, A.V. Sakharov, S.O. Usov, V.E. Zemlyakov, V.I. Egorkin, K.A. Bulashevich, S.Yu. Karpov, V.M. Ustinov Effect of the Parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN Heterostructures with a Two-Dimensional Electron Gas on their Electrical Properties and the Characteristics of Transistors on Their Basis
// Semiconductors. 2016. - V.50. №10. - P. 1383–1389.
DOI: 10.1134/S1063782616100237.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Соболева К.К., Лундин В.В., Сахаров А.В., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №20. - С. 40-48.
G. M.Savchenko, V. V.Dudelev, K. K.Soboleva, V. V.Lundin, A. V. Sakharov, E. A.Kognovitskaya, S. N.Losev, A. G.Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S.Averkiev, G. S. Sokolovskii Metamaterial for efficient second harmonic generation
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №20. - P. 1041-1044.
DOI: 10.1134/S1063785016100254.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Устинов В.М., Черкашин Н.А. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для НЕМТ транзисторов в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №9. - С. 1263-1269.
A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A.Cherkashin, "Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs",
Semiconductors Vol. 50, 1241 (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616090232.
Modeling a new geometry for blue-green LEDs:a quantum-dot sandwich / D. Barettin, N. Cherkashin, M. Auf der Maur, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov, A. Pecchia, A. di Carlo // Proceedings of the 23th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (Saint Petersburg, Russia, 27 June – 01 July, 2016).
Технология и оборудование для опытного производства гетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ электроники методом МОС-гидридной эпитаксии / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Н. Николаев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, В.В. Волков, В.М. Устинов / Сборник статей 5-ой Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», (Санкт-Петербург, 30 Мая - 2 Июня 2016г.). – Санкт-Петербург, 2016. - Т. 1. – C. 64-67.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN гетероструктур / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, В.В. Волков, В.М. Устинов / Сборник трудов 7-ой Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, (Москва, 25 Мая 2016г.). – Москва, 2016. – C. 35-36.
Growth of III-N/graphene heterostructures in single OVPE/MOVPE epitaxial process / W. Lundin, E. Zavarin , A. Sakharov , V. Davydov , A. Smirnov , D. Zakheim , L. Markov , A. Tsatsulnikov // Proceedings of the 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (San Diego, California, US, 10-15 July, 2016).
A comprehensive study of growth conditions effect on GaN doping with carbon from propane and its influence on GaN growth process / W. Lundin , E. Zavarin , A. Sakharov , D. Kazantsev , B. Ber , P. Brunkov , M. Yagovkina , A. Lobanova , R. Talalaev , A. Tsatsulnikov // Proceedings of the 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (San Diego, California, US, 10-15 July, 2016).
В.В. Емцев, Е.Е. Заварин, М.А. Козловский, М.Ф. Кудояров, В.В. Лундин, Г.А. Оганесян, В.Н. Петров, Д.С. Полоскин, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов, А.А. Зыбин, Я.М. Парнес, С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков, В.В. Козловский Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
// Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №21. - С.
39-46.
DOI: 10.21883/pjtf.2016.21.43839.16264.
V.V. Emtsev, E.E. Zavarin, M.A. Kozlovskii, M.F. Kudoyarov, V.V. Lundin, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, N.M. Shmidt, V.N. V’yuginov, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes, S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, A.E. Chernyakov, V.V. Kozlovskii Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №11. - P. 1079-1082.
DOI: 10.1134/S1063785016110031.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Соболева К.К., Лундин В.В., Сахаров А.В., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №20. - С. 40-48.
G. M.Savchenko, V. V.Dudelev, K. K.Soboleva, V. V.Lundin, A. V. Sakharov, E. A.Kognovitskaya, S. N.Losev, A. G.Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S.Averkiev, G. S. Sokolovskii Metamaterial for efficient second harmonic generation
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №20. - P. 1041-1044.
DOI: 10.1134/S1063785016100254.
В.В. Емцев , Е.Е. Заварин , Г.А. Оганесян , В.Н. Петров , А.В. Сахаров , Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов , А.А. Зыбин , Я.М. Парнес , С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №13. - С. 80-86.
V.V. Emtsev, E.E. Zavarin, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, V.N. V’yuginov, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes, S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, A.E. Chernyakov The Relationship between the Reliability of Transistors with 2D AlGaN/GaN Channel and Organization Type of Nanomaterial
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №7. - P. 701–703.
DOI: 10.1134/S1063785016070075.
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Синицын М.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN:С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №10. - С. 85-91.
W. V. Lundin , E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinitsyn, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsulnikov Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №5. - P. 539-542.
DOI: 10.1134/S106378501605028X.
Сканирующий ионно-лучевой нанолитограф: опыт изготовления и применения / В.П. Евтихиев, В.В. Лундин, М.Н. Мизеров, М.И. Митрофанов, А.В. Сахаров, С.Н. Родин // Сборник материалов научно-практической конференции «Научное приборостроение – современное состояние и перспективы развития» (Москва, 15-16 ноября 2016 г.). – Москва, 2016. – C. 137-139.
Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов // Сборник материалов научно-практической конференции «Научное приборостроение – современное состояние и перспективы развития» (Москва, 15-16 ноября 2016 г.). – Москва, 2016. – C. 11-13.
Metamaterial for the Second Harmonic Generation
/ G.M. Savchenko, V.V. Dudelev, K.K. Soboleva, V.V. Lundin, A.V.
Sakharov, A.G. Deryagin, V.I. Kuchinskii, N.S. Averkiev, G.S.
Sokolovskii // Proceedings of International Conference Laser Optics
(LO) (St. Petersburg, Russia, 27 June-1 July 2016). – St.
Petersburg, 2016. – Vol. 7549748, PP. R338.
DOI: 10.1109/LO.2016.7549748.
Correlation between p-GaN growth environment with electrical and optical properties of blue LEDs
/ M. Zulonas, I.E. Titkov, A. Yadav, K.A. Fedorova, A.F.
Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, T. Slight, W. Meredith,
E.U. Rafailov // Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and
Applications for Solid State Lighting XX, 97680N (8 March 2016). –
2016. - Proceedings of SPIE V. 9768. - P. 97680N/1-9.
DOI: 10.1117/12.2211046.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина,С.И. Трошков, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №8. - С. 86-93.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsulnikov The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy
// Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №4. - P. 431–434.
DOI: 10.1134/S1063785016040192.
InAlN/AlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors
/ Usov S. O., Sakharov A. V., Tsatsulnikov A. F., Lundin V.W.,
Zavarin E.E., Nikolaev A.E., Yagovkina M.A., Zemlyakov V.E., Egorkin
V.I., Ustinov V.M. // Proceedings of International School and
Conference “Saint Petersburg OPEN 2016” (Saint Petersburg, Russia,
28-30 March, 2016) // Journal of Physics: Conference Series. 2016. -
V.741. №1. - P. 012164/1-6.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012164.
Impact of nanomaterial arrangement on the reliability and the electron mobility in AlGaN/GaN HEMTs
/ S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, A.V.
Sakharov, E.I. Shabunina, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes // Proceedings of
International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2016”
(Saint Petersburg, Russia, 28-30 March, 2016) // Journal of Physics:
Conference Series. 2016. - V.741. №1. - P. 012172/1-4.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012172.
Study of electrical properties of single GaN nanowires grown by MOCVD with a Ti mask
/ A.A. Vasiliev, A.M. Mozharov, M.M. Rozhavskaya, V.V. Lundin, I.S.
Mukhin // Proceedings of International School and Conference “Saint
Petersburg OPEN 2016” (Saint Petersburg, Russia, 28-30 March, 2016)
// Journal of Physics: Conference Series. 2016. - V.741. №1. - P.
012007/1-4.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012007.
Тихомиров В.Г., Земляков В.Е., Волков В.В., Парнес Я.М., Вьюгинов В.Н., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Мизеров М.Н., Устинов В.М. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №2. - С. 245-249.
Tikhomirov V.G. , Zemlyakov V.E., Volkov V.V., Parnes Y.M., Vyuginov V.N., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F., Cherkashin N.A., Mizerov M.N., Ustinov V.M. Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
// Semiconductors. 2016. - V.50. №2. - P. 244-248.
DOI: 10.1134/S1063782616020263.
Karpov S.Yu., Cherkashin N.A., Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Sinitsin M.A., Usov S.O., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F. Multi-color monolithic III-nitride light-emitting diodes: Factors controlling emission spectra and efficiency
// Physica Status Solidi (a). 2015. - V. 213. №1. - P. 19-29.
DOI: 10.1002/pssa.201532491.
Д.В. Панькин, М.Б. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №8. - С. 1064–1069.
D. V. Pankin, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, E. E. Zavarin, W. V. Lundin Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices
// Semiconductors. 2016. - V.50. №8. - P. 1043–1048.
DOI: 10.1134/S1063782616080169.
Realistic model of LED structure with InGaN quantum-dots active region
/ D. Barettin, M. Auf Der Maur, A. Pecchia, , W. Rodrigues, A.F.
Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, N.
Cherkashin, M.J. Hytch, S.Y. Karpov, A. Di Carlo // Proceedings of
the EEE-NANO 2015 - 15th International Conference on Nanotechnology
(Rome, Italy, 27 – 30 July 2015). – Rome, 2016. – Vol. 7388939, p.
1543-1546.
DOI: 10.1109/NANO.2015.7388939.
Realistic modeling of InGaN quantum dots from experimental results / D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, W. Rodrigues, A. F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, N. Cherkashin, M. Korytov, S.Yu. Karpov, A. di Carlo // Proceedings of the 22nd Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” (Saint Petersburg, Russia, 23–27 June 2015). – Saint Petersburg, 2016.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Zavarin E. E., Usov S. O., Yagovkina M. A., Hÿtch M. J., Korytov M., Cherkashin N. Formation of Three-Dimensional Islands in the Active Region of InGaN Based Light Emitting Diodes Using a Growth Interruption Approach
// Science of Advanced Materials. 2015. - V.7. - P. 1629-1635.
DOI: 10.1166/sam.2015.2277.
Результаты создания и использования установки МОС-гидридной эпитаксии III-N гетероструктур для опытного производства / А.Ф. Цацульников, В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, М.Н. Мизеров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Л.Э. Великовский / Тезисы докладов Второй российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О. В. Лосева (Нижний Новгород, Россия, 17-19 ноября 2015 г.). – Нижний Новгород, 2015. – C. 254-257.
Стимулированная фазовая сепарация в InGaAlN гетероструктурах / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.М. Устинов / Тезисы докладов 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Россия, 21–25 сентября 2015 г.). – Ершово, 2015. – C. 25.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №11. - С. 1563-1568.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Nikolaev A. E., Sinitsyn M. A., Cherkashin N. A., Karpov S. Y., Effect of the design of the active region of monolithic multi-color LED heterostructures on their spectra and emission efficiency
// Semiconductors. 2015. - V.49. №11. - P. 1516–1521.
DOI: 10.1134/S1063782615110238.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин,М.Г.Попов, С.И.Трошков, А.В.Сахаров, И.П.Смирнова, М.М.Кулагина, В.Ю.Давыдов, А.Н.Смирнов, А.Ф.Цацульников Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2015. - Т. 41. №20. - С. 74-81.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.G. Popov, S.I. Troshkov, A.V. Sakharov, I.P. Smirnova, M.M. Kulagina, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, A.F. Tsatsulnikov The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy
// Technical Physics Letters. 2015. - V.41. №10. - P. 1006–1009.
DOI: 10.1134/S1063785015100247.
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Zavarin E.E. Resonant Bragg structures based on III-nitrides
// Journal of materials research. 2015. - V.30. №5. - P. 603-608.
DOI: 10.1557/jmr.2014.397.
С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, М.М.Рожавская, А.В.Мясоедов, С.И.Трошков, В.В.Лундин, Л.М.Сорокин, А.Ф.Цацульников Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN // Физика Твердого Тела. 2015. - Т. 57. №9. - С. 1850-1858.
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, M.M. Rozhavskaya, A.V. Myasoedov, S.I. Troshkov, V.V. Lundin, L.M. Sorokin, A.F. Tsatsul’nikov Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN
// Physics of the Solid State. 2015. - V.57. №9. - P. 1899–1907.
DOI: 10.1134/S1063783415090218.
Иванов П.А., Потапов А.С., Николаев А.E., Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Афанасьев А.В., Романов А.А., Осачев Е.В. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №8. - С. 1061-1064.
P.A. Ivanov, A.S. Potapov, A.E. Nikolaev,W.V. Lundin, A.V. Saharov, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Afanas’ev, A.A. Romanov, E.V. Osachev Capacitance–voltage characteristics of (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN MIS structures
// Semiconductors. 2015. - V.49. №8. - P. 1035-1038.
DOI: 10.1134/S1063782615080096.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii Determination of the diffusion lengths of Ga adatoms using GaN stripe profiling
// Physica Status Solidi (a). 2015. - V.212. №4. - P. 851-854.
DOI: 10.1002/pssa.201431912.
В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов МОС-гидридная эпитаксия III-N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса // Письма в Журнал Технической Физики. 2015. - Т. 41. №5. - С. 9-17.
W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskii, R.A. Talalaev, A.F. Tsatsulnikov, M.N. Mizerov, V.M. Ustinov MOVPE of III-N LED structures with short technological process
// Technical Physics Letters. 2015. - V.41. №3. - P. 213-216.
DOI: 10.1134/S1063785015030116.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, V.Yu. Davydov, S.I. Troshkov, A.A. Vasilyev, P.N. Brunkov, A.V. Baklanov, A. F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii Gallium nitride nanowires and microwires with exceptional length grown by metal organic chemical vapor deposition via titanium film
// Journal of Applied Physics. 2015. - V. 117. - P. 024301.
DOI: 10.1063/1.4905427.
Оптические решетки экситонов на основе системы квантовых ям InGaN/GaN / В.В. Чалдышев , А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 53-54.
Особенности люминесценции слоев InGaN и сверхрешеток InGaN/GaN / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, С.О. Усов, Н.А. Черкашин, М.Н. Корытов, Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Луценко / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 77-78.
Экспериментальные и теоретические исследования фононного спектра короткопериодных сверхрешеток GаN/AlN / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.М. Рогинский, Ю.Э. Китаев, М.Б. Смирнов, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 97-98.
МОС-гидридная эпитаксия III-N гетероструктур: как технология должна влиять на бизнес / В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, М.Г.Попов,, А.В. Сахаров,, А.Ф. Цацульников, Е.В.Яковлев, Д.С.Базаревский, Р.А.Талалаев / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 115-116.
Синтез нитевидных микро- и нанокристаллов нитрида галлия с рекордной скоростью роста / М.М. Рожавская , В.В. Лундин, С.И. Трошков, А.А. Васильев, В.Ю. Давыдов, С.О.Усов, Е.Ю. Лундина, Д.A. Кириленко, А.Ф. Цацульников, В.Г. Дубровский / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 123-124.
Рост HEMT гетероструктур AlGaN/GaN на подложках SiC отчественного производства / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Н.К. Травин,О.В. Венедиктов, В.П. Иванова, Я.М. Парнес, В.Е. Земляков, В.В. Волков, В.Н. Вьюгинов, М.А. Яговкина, В.Р. Тихомиров, М.Н. Мизеров / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 129-130.
Разработка мощных GaN транзисторов L-S-C диапазона / Л.Э. Великовский, П.Е. Сим, Ю.Н. Поливанова, Д.А. Шишкин, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 131-132.
Селективная МОС-гидридная эпитаксия n+ GaN и AlGaN подконтактных областей / М.Г. Попов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, И.П. Смирнова, М.М. Кулагина, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 155-156.
Конверсионные AlGaN/AlN сверхрешетки / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 157-158.
Чалдышев В.В., Большаков А.С., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Яговкина М.А. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №1. - С. 6-10.
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina Optical lattices of excitons in InGaN/GaN quantum well systems
// Semiconductors. 2015. - V.49. №1. - P. 4-8.
DOI: 10.1134/S1063782615010042.
Гетероструктуры InGaN/GaN с различной локализацией носителей / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, С.О. Усов, Н.А. Черкашин, М.Н. Корытов, Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Луценко / Тезисы докладов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 26–29 Мая 2015 г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 77-78.
А.В. Аладов, В.П. Валюхов, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, А.Ф. Цацульников Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения // НТВ СПбГПУ. Физико-математические науки. 2014. - Т.4(206). - С. 38-47.
Fast MOVPE of III-N device heterostructures / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, R.A.Talalaev // Proceedings of International Conference on MOVPE (Lausanne, Switzerland, 18-22 May, 2014). – Lausanne, 2014.
Optimization of MOVPE of nitride device structures for a wide range process conditions / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, S.O.Usov, P.N.Brunkov, V.V. Emtsev, M.A.Yagovkina, B.Ya. Ber, G.A.Oganesyan, D.Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, R.A.Talalaev // Proceedings of 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5) (Atlanta, GA, USA, 18-22 May, 2014), Invited presentation.
Control of properties of InGaN/GaN structures by growth sequence variation / A.V. Sakharov, N.A. Cherkashin, D.V Davydov, M.N. Korytov, W.V. Lundin, E.V. Lutsenko, A.E. Nikolaev, M.V. Rzheutskii, S.O. Usov, M.A. Yagovkina, E.E. Zavarin, A.F.Tsatsulnikov // Proceedings of IWN 2014 (Wroclav, Poland, 24-30 August, 2014).
Internal quantum efficiency and tunable colour temperature in monolithic white InGaN/GaN LED
/ I.E. Titkov, A Yadav, VL Zerova, M Zulonas, AF Tsatsulnikov, WV
Lundin, AV Sakharov, EU Rafailov // Proceedings of Conference on
Gallium Nitride Materials and Devices IX (San Francisco, CA, USA,
03-06 Febrary, 2014) // GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES IX
(Book Series: Proceedings of SPIE). 2014. - V. 8986. - P. 89862A.
DOI: 10.1117/12.2040086.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №9. - С. 89-95.
Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F. Properties of InGaN/GaN heterostructures obtained using growth interruption under various conditions
// Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №5. - P. 365-368.
DOI: 10.1134/S1063785014050095.
Рожавская М.М., Лундин В.В., Лундина Е.Ю., Сахаров А.В., Трошков С.И., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №9. - С. 17-23.
M. M. Rozhavskaya, W. V. Lundin, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov Synthesis of GaN nano- and microwire crystals induced by a titanium nanolayer
// Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №5. - P. 372-374.
DOI: 10.1134/S1063785014050125.
V.S. Kopp, V.M. Kaganer, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.V. Verkhovtceva, M.A. Yagovkina, N. Cherkashin X-ray determination of threading dislocation densities in GaN/Al2O3(0001) films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
// Journal of Applied Physics. 2014. - V. 115. - P. 073507.
DOI: 10.1063/1.4865502.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Усов С.О., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. О зависимости эффективности A IIIN светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2014. - Т. 48. №1. - С. 55-60.
Lundin W. V., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Usov S. O., Zavarin E. E., Brunkov P. N., Yagovkina M. A., Cherkashin N. A., Tsatsulnikov A. F., Dependence of the efficiency of III-N blue LEDs on the structural perfection of GaN epitaxial buffer layers
// Semiconductors. 2014. - V.48. №1. - P. 53-57.
DOI: 10.1134/S1063782614010199.
Рожавская М.М., Лундин В.В., Сахаров А.В. Синтез светодиодной структуры на гранях (11-20) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №1. - С. 37-42.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, A.V. Sakharov Synthesis of an LED structure on the (112¯0) and (0001) faces of mesa stripes grown by selective-area epitaxy
// Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №1. - P. 18-20.
DOI: 10.1134/S1063785014010106.
Корнышов Г.О., Сахаров А.В., Николаев А.Е. Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия // НТВ СПбГПУ. Физико-математические науки. 2013. - Т. 4-1. №182. - С. 31-36.
Исследование дислокационной структуры буферных слоев GaN методом профильного анализа рентгенодифракционных максимумов / Е.В. Верховцева, М.В. Байдакова, П.Н. Брунков, В.В. Лундин, А.Е.Николаев, Р.В.Соколов, М.А. Яговкина, В.М. Каганер, В.С.Копп // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 275-276.
Монолитные белые светодиоды со структурированным контактом / Ю.В Холопова, А.Ф. Цацульников, Е.А. Полушкин, В.Е. Земляков, Н.Е. Антонова, В.И.Миндерова, С.Ю. Шаповал // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 168-169.
Характеризация гетероструктур III-N на кремниевых подложках методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии / А.В. Мясоедов, А.Е. Калмыков, Л.М. Сорокин, В.В. Ратников, М.П. Щеглов, А.В.Сахаров, А.Е. Николаев, М.М. Рожавская, В.В. Лундин // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 149-150.
Оптические и структурные исследования твердых растворов InGaN, выращенных методами ГФЭMOС и MПЭ / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, А.В. Сахаров, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, S. Gwo // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 104-105.
Влияние начальной стадии роста на кривизну гетероструктуры и электролюминесценцию светодиодов / А.Е. Николаев, В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская, С.О. Усов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 39-40.
Реакторы для МОГФЭ III-N структур: настоящее и будущее / В.В.Лундин, Д.В.Давыдов, Е.Е. Заварин, А.Е.Николаев , М.А.Синицын, М.Г.Попов, А.В.Сахаров, А.Ф. Цацульников, М.Н.Мизеров, В.М.Устинов, Е.В.Яковлев, Д.С.Базаревский,А.В.Лобанова, Р.А.Талалаев // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 32-33.
Композитные InAlN/GaN/InGaN гетероструктуры / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, М.М.Рожавская, С.О. Усов, П.Н. Брунков, М.А. Синицын, Д.В. Давыдов, Н.А. Черкашин // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 30-31.
Fast MOVPE of III-nitride Materials at Super-atmospheric Pressure in Horizontal Flow Reactor / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, M.A. Sinitsyn, M.G. Popov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, M.N. Mizerov, V.M. Ustinov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, A.V. Lobanova, R.A.Talalaev // Proceedings of EWMOVPE 2013 (Aachen, Germany, 2-5 June, 2013).
Influence of sapphire substrate backside coating on InGaN/GaN growth / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, S.O.Usov, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of EWMOVPE 2013 (Aachen, Germany, 2-5 June, 2013).
Влияние InGaN/GaN-сверхрешетки на эффективность светодиодов видимого диапазона / А. В. Сахаров , А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов , А. Ф. Цацульников // Сборник статей 9-го Беларусско-Российского Семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе" (Минск, Беларусь, 28-31 Мая 2013г.). – Минск, 2013. – C. 134-137.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.E. Zavarin, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Selective area growth of GaN on r-plane sapphire by MOCVD,
Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of
III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (c). 2013. - V. 10(3).
- P. 373–376.
DOI: 10.1002/pssc.201200545.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, E.Yu. Lundina, S.I. Troshkov, V.Yu. Davydov, M.A. Yagovkina, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate,
Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of
III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (c). 2013. - V. 10(3).
- P. 441–444.
DOI: 10.1002/pssc.201200630.
V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, A. N. Smirnov, Yu. E. Kitaev, M. A. Yagovkina, R. N. Kyutt, M. M. Rozhavskaya, E. E. Zavarin, W. V. Lundin and M. B. Smirnov, Lattice dynamics of short-period AlN/GaN superlattices: Theory and experiment,
Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of
III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (a). 2013. - V.
210(3). - P. 484–487.
DOI: 10.1002/pssa.201200700.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M.M. Rozhavskaya, E.E.Zavarin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor,
Proceedings of the IC MOVPE XVI, May 20-25 2012 (Busan, Korea, 20-25
May, 2013) // Journal of Crystal Growth. 2013. - V. 370. - P. 7-11.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.09.056.
М.М.Рожавская , В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, С.И.Трошков, П.Н.Брунков, А.Ф.Цацульников Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2013. - Т. 47. №3. - С. 414-419.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Influence of the carrier Gas, trimethylgallium flow, and growth time on the character of the selective epitaxy of GaN
// Semiconductors. 2013. - V.47. №3. - P. 437-442.
DOI: 10.1134/S1063782613030226.
Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С. Журавлев Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом // Физика и Техника Полупроводников. 2013. - Т. 47. №1. - С. 36-47.
D.Yu. Protasov, T.V. Malin, A.V. Tikhonov, A.F. Tsatsulnikov, K.S. Zhuravlev Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas
// Semiconductors. 2013. - V.47. №1. - P. 33–44.
DOI: 10.1134/S1063782613010181.
А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN // Физика Твердого Тела. 2013. - Т. 55. №9. - С. 1706-1708.
Bol'shakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsul'nikov A.F., Yagovkina M.A. Resonance Bragg structure with double InGaN quantum wells
// Physics of the Solid State. 2013. - V.55. №9. - P. 1817-1820.
DOI: 10.1134/S1063783413090059.
E.V. Verkhovtceva, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, M.A. Yagovkina Strain Relaxation in Multilayer III–N Structures on Si(111) Substrates,
Proceedings of the 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray
Diffraction and Imaging, Saint-Petersburg, Russia, September 15-20,
2012 (Saint-Petersburg, Russia, 15-20 September, 2012) //
Crystallography Reports. 2013. - V. 58. - P. 970–975.
DOI: 10.1134/S1063774513070201.
R.N. Kyutt, M.P. Shcheglov, V.V. Ratnikov, M.A. Yagovkina, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, M.M. Rozhavskaya, E.E. Zavarin, W.V. Lundin X-Ray Diffraction Study of Short-Period AlN/GaN Superlattices
// Crystallography Reports. 2013. - V.58. №7. - P. 953–958.
DOI: 10.1134/S1063774513070109.
a-GaN grown by double-cross ELOG process / W.V. Lundin , E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, S.O. Usov, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, M.M. Rozhavskaya, A.N.Smirnov, V.Yu.Davidov and A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE XVI 2012 (Busan, Korea, 20-25 May, 2012).
Stimulated Formation of InGaN Quantum Dots by MOCVD (invited) / A. Tsatsulnikov, W. Lundin, A. Nikolaev, A. Sakharov, N. Cherkashin, M. Hytch // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Peculiarities of fast AlGaN growth in planetary reactor / W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M.M. Rozhavskaya, E.E.Zavarin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Structural characterization of short period superlattices GaN/AlN / R. Kyutt, M. Scheglov, V. Ratnikov, V. Davydov, A. Smirnov, M. Yagovkina, M. Rojavskaja, E. Zavarin, W. Lundin // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Influence of reactor pressure on InGaN/GaN MQW growth and properties / A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, S.O. Usov, E.E. Zavarin, and A.F. Tsatsulnikov // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2012 (St. Petersburg, Russia, 16-19 July, 2012).
Е.А. Чернышева, А.В. Сахаров, Н.А. Черкашин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки вып. 2. 2012. - Т. 2(146). - С. 32-36.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Рожавская М.М., Усов С.О., Брунков П.Н., Синицын М.А., Давыдов Д.В., Мизеров М.Н., Черкашин Н.А. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра // Физика и Техника Полупроводников. 2012. - Т. 46. №10. - С. 1304-1308.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E. E., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Rozhavskaya M. M., Usov S. O., Brunkov P. N., Synitsin M. A., Davydov D. V., Mizerov M. N., Cherkashin N. A., Composite InGaN/GaN/InAlN heterostructures emitting in the yellow-red spectral region
// Semiconductors. 2012. - V.46. №10. - P. 1281-1285.
DOI: 10.1134/S1063782612100168.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В, Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Мусихин Ю.Г., Усов С.О., Мизеров М.Н., Черкашин Н.А. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения // Физика и Техника Полупроводников. 2012. - Т. 46. №10. - С. 1357-1362.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E. E., Sakharov A. V., Musikhin Yu. G., Usov S. O., Mizerov M. N., Cherkashin N. A., InGaN/GaN heterostructures grown by submonolayer deposition
// Semiconductors. 2012. - V.46. №10. - P. 1335-1340.
DOI: 10.1134/S106378261210017X.
В. А. Шалыгин, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, М. Я. Винниченко, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников Эмиссия терагерцового излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем // Известия Российской академии наук. Серия Физическая. 2012. - Т. 76. №2. - С. 236-239.
V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, M. Ya. Vinnichenko, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, Emission of Terahertz Radiation from Selectively Doped AlGaN/GaN Heterostructures under the Heating of Two-Dimensional Electrons by an Electric Field
// Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. 2012. -
V.76. №2. - P. 207–210.
DOI: 10.3103/S1062873812020281.
Effect of stimulated phase separation on properties of blue, green and monolithic white LEDs
/ A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin,
S. O. Usov, A. E. Nikolaev, V. S. Sizov, A. L. Zakgeim, M. N.
Mizerov, N. A. Cherkashin, and M. Hytch // 9th International
Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) (Glasgow, UK, 10-15
July, 2011) // Physica Status Solidi (c). 2012. - V. 9. №3. - P.
774-777.
DOI: 10.1002/pssc.201100339.
W.V. Lundin, A.E Nikolaev, M. Yagovkina, P. Brunkov, M. Rozhavskaya, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Lobanova, R.A. Talalaev, High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor,
Proceedings of the 18th American Conference on Crystal Growth and
Epitaxy in conjunction with the 15th US Biennial Workshop on
Organometallic Vapor Phase Epitaxy, July 31 - August 5, 2011
(Monterey, California, USA, 31 July - 5 August, 2011) // Journal of
Crystal Growth. 2013. - V. 352. - P. 209–213.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.045.
С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, С.Г.Жуков, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, М.А.Синицын, М.М.Рожавская, А.Ф.Цацульников, С.И.Трошков, Н.А.Феоктистов Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. - Т. 38. №6. - С. 90-95.
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.G. Zhukov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov, S. I. Troshkov, N.A. Feoktistov Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide
// Technical Physics Letters. 2012. - V.38. №3. - P. 297-299.
DOI: 10.1134/S1063785012030261.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская , А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, С.И. Трошков, М.А.Синицын, Д.В.Давыдов, М.М.Кулагина, П.Н.Брунков, А.Ф. Цацульников Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. - Т. 38. №6. - С. 22-28.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. M. Rozhavskaya, A. E. Nikolaev, V. Sakharov, S. I. Troshkov, M. A. Sinitsyn, D. V. Davydov, M. M. Kulagina and P. N. Brunkov, A. F. Tsatsulnikov Double-cross epitaxial overgrowth of nonpolar gallium nitride layers
// Technical Physics Letters. 2012. - V.38. №3. - P. 265-267.
DOI: 10.1134/S1063785012030285.
В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, М.Н. Мизеров,Н . А. Черкашин, M. Hytch Монолитные белые светодиоды: подходы, технология, дизайн // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. - Т. 6. - С. 1–4.
V. M. Ustinov, A. F. Tsatsulnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, E. E. Zavarin, A. L. Zakgeim, A. E. Chernyakov, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, M. Hytch Monolithic White LEDs: Approaches, Technology, Design
// Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron
Techniques. 2012. - V.6. №3. - P. 501–504.
DOI: 10.1134/S1027451012060237.
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Yagovkina, Taek Kim, Y. Park Optical lattices of InGaN quantum well excitons
// Applied Physics Letters. 2011. - V. 99. №25. - P. 251103.
DOI: 10.1063/1.3670499.
Терагерцовое излучение 2D- и 3D-электронов при их разогреве электрическим полем в эпитаксиальных слоях А3В5 / В.А. Шалыгин, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, Г.А. Мелентьев, А.Н. Софронов, Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, А.Н. Семенов, С.В. Иванов, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, S. Suihkonen, H. Lipsanen / Тезисы докладов 10-й Российской конференции по физике полупроводников, (Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011.
Акустические и оптические фононы в короткопериодных гексагональных сверхрешетках GaN/AlN / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, М.А. Яговкина, М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин / Тезисы докладов 10-й Российской конференции по физике полупроводников, (Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011.
Влияние дизайна р-области на свойства InGaN/GaN светодиодов зеленого диапазона / А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. C. Сизов, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. Ю. Карпов / Тезисы докладов 8-го Беларусско-Российский Семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе", (Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г.). – Минск, 2011. – C. 153-154.
Эмиссия терагерцового излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем / Шалыгин В.А., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Софронов А.Н., Мелентьев Г.А., Винниченко М.Я., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф. / Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», (Нижний Новгород, 14 - 18 марта 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011. – C. 155-156.
Гетероструктуры для НЕМТ транзисторов на основе (In)GaAlN/GaN / А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, М.А. Яговкина, В.М. Устинов / Тезисы докладов Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, (Москва, 12−13 мая 2011 г.). – Москва, 2011. – C. 18-19.
Мощные интегральные гетероструктурные полевые транзисторы на нитриде галлия / Раков Ю. Н., Мончарес Н. В., Боброва Т. П., Щепина Л. В., Узельман Г. Ф., Мякишев Ю. Б., Бондарева Т. К., Цацульников А. Ф., Свешников Ю. Н. / Тезисы докладов 20-ой Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», (Севастополь, Крым, 13-17 сентября 2010 г.). – Севастополь, 2011. – C. 101.
High growth rate of Al(Ga)N in planetary reactor
/ W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, P.N.Brunkov,
D.V.Davydov, E.E. Zavarin, M.A.Yagovkina, M.M.Rozhavskaya,
M.A.Sinitsyn, M.N.Mizerov, A. F. Tsatsulnikov // Proceedings of the
14th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
(Wroclaw, Poland, 5-8 June, 2011) // Booklet of Extended abstracts.
2011. - P. 67. // Journal of Crystal Growth. 2011. - V. 352. №1. -
P. 209-213.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.045.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.М.Рожавская, С.И.Трошков, А.Ф.Цацульников Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах // Письма в Журнал Технической Физики. 2011. - Т. 37. №15. - С. 95-102.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.M. Rozhavskaya, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov Specific features of gallium nitride selective epitaxy in round windows
// Technical Physics Letters. 2011. - V.37. №8. - P. 735-738.
DOI: 10.1134/S1063785011080104.
V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov Blackbody-like emission of terahertz radiation from AlGaN/GaN heterostructure under electron heating in lateral electric field
// Journal of Applied Physics. 2011. - V. 76. - P. 073108.
DOI: 10.1063/1.3573489.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Сизов В.С., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Gerthsen D. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе // Физика и Техника Полупроводников. 2011. - Т. 45. №2. - С. 274-279.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E.E., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Sizov V. S., Usov S. O., Musikhin Yu. G., Gerthsen D. Influence of hydrogen on local phase separation in InGaN thin layers and properties of light-emitting structures based on them
// Semiconductors. 2011. - V.45. №2. - P. 271-276.
DOI: 10.1134/S1063782611020230.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov MOVPE of device-oriented wide-band-gap III-N heterostructures
// Semicond. Sci. Technol. 2011. - V. 26(1). - P. 014039.
DOI: 10.1088/0268-1242/26/1/014039.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, G.A. Valkovskiy, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, P.N. Brunkov, A.L. Zakgeim, A.E. Cherniakov, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov, Single quantum well deep-green LEDs with buried InGaN/GaN short-period superlattice,
15th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
(ICMOVPE-XV) (Hyatt Regency Lake Tahoe Incline Village, Nevada, USA,
23-28 May, 2010) // Journal of Crystal Growth. 2011. - V. 315(1). -
P. 267-271.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.043.
Terahertz Radiation Emission by Hot Electrons from AlGaN/GaN Heterostructure
/ V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, A.N. Sofronov, G.A.
Melentyev, W.V. Lundin A.E. Nikolaev , A.V. Sakharov, A.F.
Tsatsulnikov // Proceedings of the 14th International Symposium
Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, Lithuania, 23-25
August, 2010) // Acta Physica Polonica A. 2011. - V. 119. №2. - P.
241-243.
DOI: 10.12693/APhysPolA.119.241.
InGaN/GaN Short-Period Superlattices: Synthesis, Properties, Applications
/ A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E .E. Zavarin,
S. O. Usov, A. E. Nikolaev, N. V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, A. E.
Chernyakov, A. L. Zakgeim, N.A. Cherkashin, M. Hytch // Proceedings
of IWN2010 (Florida, USA, 19-24 September, 2010) // Physica Status
Solidi (c). 2011. - V. 8. №7 - 8. - P. 2308-2310.
DOI: 10.1002/pssc.201001040.
Светодиод на основе III- нитридов на кремниевой подложке с подслоем нанокарбида кремния / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков, E.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.М. Рожавская, Н.А. Феоктистов, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 25-26.
Влияние дизайна активной области на свойства монолитных светодиодных структур / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, В.М. Устинов, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, С.О. Усов, М.Н. Мизеров, Н.А. Черкашин, M. Hytch // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 27-28.
МОС-гидридная эпитаксия атомно-гладких слоев Al(Ga)N с высокой скоростью роста в планетарном реакторе / В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, П.Н.Брунков, С.И. Трошков, М.М. Рожавская, Д.В. Давыдов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 41-42.
Пространственная однородность и температурная стабильность полупрозрачного фотокатода p-GaN(Cs,O)/AlN/с-AlO3 / В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.В.Лундин, А.Е. Николаев , А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, А.А.Мармалюк, А.В. Мазалов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 91-92.
Исследования структуры и колебательного спектра короткопериодных сверхрешеток GаN/AlN, выращенных методом МОГФЭ / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, Я.М. Бельтюков, М.М. Рожавская, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 176-177.
Влияние состава и легирования AlGaN барьера для электронов на свойства InGaN/GaN светодиодов зеленого диапазона / А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, В.В. Лундин, С.О. Усов, В.C.Сизов, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, С.Ю.Карпов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 194-195.
Оптические характеристики источников белого света на основе смешивания излучения AlInGaN светодиодов различных спектральных диапазонов / С.О. Усов, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, М.А. Синицын, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 196-197.
Особенности селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах / М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников// Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 117-118.
Optoelectronic structures with InAlN layers grown by MOVPE
/ A. V. Sakharov, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, S. O.
Usov, A. E. Nikolaev, S. I. Troshkov, M. A. Yagovkina, D. V.
Davydov, N. A. Cherkashin, M. Hytch J., F. Hue, P. N. Brunkov, A. F.
Tsatsulnikov // Proceedings of ICPS2010 (Seoul, Korea, 25-30 July,
2010) // AIP Conf. Proc. 2011. - V. 1399. - P. 107-108.
DOI: 10.1063/1.3666279.
Deep green and monolithic white LEDs based on combination of short-period InGaN/GaN superlattice and InGaN QWs
/ A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E .E. Zavarin,
S. O. Usov, A. E. Nikolaev, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Chernyakov ,
A. L. Zakgeim , N.A. Cherkashin, M. Hytch // Proceedings of ICPS2010
(Seoul, Korea, 25-30 July, 2010) // AIP Conf. Proc. 2011. - V. 1399.
- P. 253-254.
DOI: 10.1063/1.3666350.
А.В. Аладов, Е.Д. Васильева, А.Л. Закгейм, Г.В. Иткинсон, В.В. Лундин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников О современных мощных светодиодах и их светотехническом применении // Светотехника. 2010. - Т. 3. - С. 8-16.
A.V. Aladov, E.D. Vasilieva, A.L. Zakgeim, G.V. Itkinson, V.V. Lundin, M.N. Mizerov, V. M. Ustinov, A.F. Tsatsul’nikov On modern high-power LEDs and their lighting application // Light & Engineering (Svetotekhnika). 2010. - V.18. №3. - P. 16-29.
В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, П.Н.Брунков, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе // Письма в Журнал Технической Физики. 2010. - Т. 36. №24. - С. 33-39.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, P.N. Brunkov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov High Growth Rate of AlN in a Planetary MOVPE Reactor
// Technical Physics Letters. 2010. - V.36. №12. - P. 1133–1135.
DOI: 10.1134/S1063785010120205.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Черняков А.Е., Цацульников А.Ф. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530-560 nm // Письма в Журнал Технической Физики. 2010. - Т. 36. №22. - С. 89-95.
Lundin W. V., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Sizov V. S., Zakgeim A. L., Chernyakov A. E., Tsatsul’nikov A. F. High-Efficiency InGaN/GaN/AlGaN Light-Emitting Diodes with Short-Period InGaN/GaN Superlattice for 530–560 nm Range
// Technical Physics Letters. 2010. - V.36. №11. - P. 1066-1068.
DOI: 10.1134/S1063785010110283.
Сизов В.С., Неплох В.В., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Минтаиров А.М., Merz J.L. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №12. - С. 1615-1623.
V.S. Sizov, V.V. Neploh, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.M. Mintairov, J.L. Merz Study of Tunneling Transport of Carriers in Structures with an InGaN/GaN Active Region
// Semiconductors. 2010. - V.44. №12. - P. 1567–1575.
DOI: 10.1134/S1063782610120067.
Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Сахаров А.В., Усов С.О., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Черкашин Н.А., Hytch M. Формирование композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №10. - С. 1382-1386.
Tsatsul’nikov A.F., Zavarin E.E., Kryzhanovskaya N.V., Lundin W.V., Saharov A.V., Usov S.O., Brunkov P.N., Goncharov V.V., Cherkashin N.A., Hytch M. Formation of Composite InGaN/GaN/InAlN Quantum Dots
// Semiconductors. 2010. - V.44. №7. - P. 1338-1341.
DOI: 10.1134/S1063782610100167.
В.С.Сизов, А.Ф.Цацульников, А.В.Сахаров, В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, Н.А.Черкашин, M.J.Hytch , А.Е.Николаев, А.М.Минтаиров , YanHe , J.L.Merz Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №7. - С. 955-961.
V.S. Sizov, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, N.A. Cherkashin, M.J. Hÿtch, A.E. Nikolaev, A.M. Mintairov, Yan He, J.L. Merz The Use of Short-Period InGaN/GaN Superlattices in Blue-Region Light-Emitting Diodes
// Semiconductors, 2010, vol. 44, №7, pp. 924-930.
DOI: 10.1134/S106378261007016X.
Усов С.О., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Синицын М.А., Трошков С.И., Леденцов Н.Н. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №7. - С. 981-985.
Usov S. O., Zavarin E. E., Tsatsulnikov A. F., Lundin V. V., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Sinitsyn M. A., Troshkov S. I., Ledentsov N. N. Structural and Optical Properties of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors
// Semiconductors, 2010, vol. 44, №7, pp. 949-953.
DOI: 10.1134/S1063782610070201.
Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Вальковский Г.А., Яговкина М.А., Усов С.О. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №6. - С. 875-863.
Kryzhanovskaya N. V., Lundin W. V., Nikolaev A. E., Tsatsul’nikov A. F., Sakharov A. V., Pavlov M. M., Cherkachin N. A., Hÿtch M. J., Valkovsky G. A., Yagovkina M. A., Usov S. O. Optical and Structural Properties of InGaN/GaN Short-Period Superlattices for the Active Region of Light-Emitting Diodes
// Semiconductors. 2010. - V.44. №6. - P. 828-834.
DOI: 10.1134/S1063782610060242.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Крыжановская Н.В., Синицын М.А., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Мизеров М.Н. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN сверхрешетками // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №6. - С. 837-840.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Nikolaev A. E., Kryzhanovskaya N. V., Synitsin M. A., Sizov V. S., Zakgeim A. L., Mizerov M. N. A Monolithic White LED with an Active Region Based on InGaN QWs Separated by Short-Period InGaN/GaN Superlattices
// Semiconductors. 2010. - V.44. №6. - P. 808-811.
DOI: 10.1134/S1063782610060205.
Лундин В. В., Заварин Е. Е., Синицын М.А., Сахаров А. В., Усов С.О., Николаев А.Е., Давыдов Д.В., Черкашин Н.А., Цацульников А. Ф. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №1. - С. 126-129.
Lundin W. V., Zavarin E. E., Sinitsyn M. A., Sakharov A. V., Usov S. O., Nikolaev A. E., Davydov D. V., Cherkashin N. A., Tsatsulnikov A. F. Effect of Pressure in the Growth Reactor on the Properties of the Active Region in the InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
// Semiconductors. 2010. - V.44. №1. - P. 123-129.
DOI: 10.1134/S1063782610010215.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Черкашин Н.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мизеров М.Н., Hee Seok Park, Hytch M., Hue F. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №1. - С. 96-100.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V. , Zavarin E. E., Usov S. O. , Nikolaev A. E., Cherkashin N. A., Ber B. Ya., Kazantsev D. Yu., Mizerov M. N., Hee Seok Park, M. Hytch, Hue F. Active region based on graded-gap InGaN/GaN superlattices for high-power 440- to 470-nm light-emitting diodes
// Semiconductors. 2010. - V.44. №1. - P. 93-97.
DOI: 10.1134/S1063782610010161.
Контроль поверхностных процессов в оптимизации роста III-N материалов / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, А.В. Лобанова, А.С. Сегаль // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 15-16.
Мост через «зеленую долину». По пути к RGB источникам белого света / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, Н.А. Черкашин, А.Е. Черняков, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 41-44.
Оптимизация активной области светодиодов на основе III-нитридов / В.С. Сизов, А.Ф Цацульников ,А.В. Сахаров ,В.В.Лундин ,Е.Е.Заварин , А.Е. Николаев // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 49-50.
Динамика кристаллической решетки сверхрешеточных структур GaN/AlN и GaN/AlGaN: теория и эксперимент / В.Ю. Давыдов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, А.Н. Смирнов, М.А. Яговкина, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 55-56.
InAlN/GaN и (AlN/GaN)/GaN гетероструктуры с двумерным электронным газом / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 117-118.
Использование диметилэтиаминалана как источника Al в нитридной МОГФЭ / А.Е. Баранов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 129-130.
Создание распределенных брэгговских отражателей на основе гетероструктур InAlN/GaN и исследование их свойств / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, С.И. Трошков, М.А. Яговкина, Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, Д.В. Давыдов, А.В. Лобанова, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 139-140.
Исследование оптических и структурных свойств распределенных брегговских отражателей на основе InAlN/GaN / С.О. Усов, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, М.А. Синицын, Н.В. Крыжановская, С.И. Трошков, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 141-142.
Исследование оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов / Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е.Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, Н.А. Черкашин, M. J. Hÿtch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 149-150.
Гетероструктуры InGaN/AlGaN для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона / М.М. Рожавская, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 159-160.
Использование слоев InAlN для оптического ограничения / А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, В.В. Лундин, Н.Ю. Гордеев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 161-162.
Оптимизация инжекции носителей заряда в активную область мощных InGaN/GaN светодиодов синего диапазона / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.В. Крыжановская, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 241-242.
Композитные InAlN/GaN/InGaN гетероструктуры / А.Р. Губайдуллин, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, П.С. Копьев // Тезисы 12-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 25–29 октября 2010г.). – Санкт-Петербург, 2010. – C. 41-42.
В.В.Гончаров, М.Н.Корытов, П.Н.Брунков, В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, С.Г.Конников Исслодование формирования квантовых точек InGaN на поверхности GaN // Известия академии наук, серия физическая. 2009. - Т. 73. №1. - С. 40-42.
V.V. Goncharov, M.N. Korytov, P.N. Brunkov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul’nikov, S.G. Konnikov Study of the Formation of InGaN Quantum Dots on GaN Surface // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2009. - V.73. №1. - P. 36–38.
Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, В.С. Сизов, А.Ф. Цацульников Формирование индий-обогащенных островковых структур методом in-situ наномаскирования // Письма в Журнал Технической Физики. 2009. - Т. 35. №21. - С. 88-95.
Zavarin E.E.; Sakharov A.V., Lundin W.V., Davydov D.V., Sizov V.S., Brunkov P.N., Goncharov V.V., Tsatsulnikov A.F. Indium-rich island structures formed by in-situ nanomasking technology
// Technical Physics Letters. 2009. - V.35. №11. - P. 1016-1019.
DOI: 10.1134/S1063785009110133.
Optimization of III-N heterostructures growth by MOVPE via surface processes control (Invited) / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V.Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
Low-temperature growth kinetics in III-nitride and III-V MOVPE / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, V.M. Lantratov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, A.S. Segal, E.V. Yakovlev, O.V. Bord // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
MOVPE growth and advanced characterization of InAlN/GaN distributed Bragg reflectors / W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. V. Sakharov, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, S. I. Troshkov, M. A. Yagovkina, E. V. Yakovlev, R. A. Talalaev, D. V. Davydov, A. V. Lobanova, N. A. Cherkashin, M. J. Hytch, P. N. Brunkov, and A. F. Tsatsulnikov // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Г.А. Михайловский, П.Н.Брунков, В.В.Гончаров, Б.Я.Бер, Д.Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN:Mg, выращенных методом МО ГФЭ // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №7. - С. 996-1001.
Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Nikolaev A.E., Mikhailovsky G.A., Brunkov P.N., Goncharov V.V, Ber B.Y., Kazantsev D.Y., Tsatsulnikov A.F., Effect of carrier gas and doping profile on the surface morphology of MOVPE grown heavily doped GaN:Mg layers
// Semiconductors. 2009. - V.43. №7. - P. 963-967.
DOI: 10.1134/S1063782609070276.
Сахаров А. В., Лундин В. В., Заварин Е. Е., Синицын М. А., Николаев А. Е., Усов С. О., Сизов В. С., Михайловский Г. А., Черкашин Н. А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е. В., Лобанова А.В., Цацульников А. Ф. Влияние релаксации напряжений на формирование активной области InGaN/(Al)GaN гетероструктур для светодиодов зеленого диапазона // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №6. - С. 841-846.
Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Nikolaev A.E., Usov S.O., Sizov V.S., Mikhailovsky G.A., Cherkashin N.A., Hytch M., Hue F., Yakovlev E.V., Lobanova A.V., Tsatsulnikov A.F. Effect of strain relaxation on active-region formation in InGaN/(Al)GaN heterostructures for green LEDs
// Semiconductors. 2009. - V.43. №6. - P. 812-817.
DOI: 10.1134/S1063782609060232.
В.С. Сизов, А. А. Гуткин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, П. Н. Брунков, А.Ф. Цацульников Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе InGaN квантовых точек в матрице GaN или AlGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №6. - С. 836-840.
Sizov V.S., Gutkin A.A., Sakharov A.V., Lundin V.V., Brunkov P.N., Tsatsul`nikov A.F. Phase separation and nonradiative carrier recombination in active regions of light-emitting devices based on InGaN quantum dots in a GaN or AlGaN matrix
// Semiconductors. 2009. - V.43. №6. - P. 807-811.
DOI: 10.1134/S1063782609060220.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Кютт Р.Н., Леденцов Н.Н. Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN // Физика Твердого Тела. 2009. - Т. 51. №8. - С. 1523-1529.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Zavarin E. E., Kyutt R. N., Ledentsov N. N. Optical and X-ray diffraction studies of multilayer structures based on InGaN/GaN solid solutions
// Physics of the Solid State. 2009. - V.51(8). - P. 1615-1621.
DOI: 10.1134/S1063783409080162.
Создание светодиодов зеленого диапазона на основе соединений InGaN/GaN / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, Н. А. Черкашин, Н. Н. Леденцов // Тезисы конференции (школы‐семинара) по физике и астрономии для молодых ученых Санкт‐Петербурга и Северо‐запада «ФизикА.СПб» (Санкт-Петербург, 26–28 октября 2009г.). – Санкт-Петербург, 2009. – C. 66-68.
Лабораторная MOVPE установка для III-N соединений Постановка задачи и опыт создания / В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. Е. Николаев, Д. В. Давыдов, А. Ф. Цацульников // Тезисы докладов Международного семинара по опто- и наноэлектронике (С-Петербург, 27 октября 2008 г.). – С-Петербург, 2008. – C. 46.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Е.Ю. Лундина, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках // Письма в Журнал Технической Физики. 2008. - Т. 34. №21. - С. 39-45.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. E. Nikolaev, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul’nikov InGaAlN Heterostructures for LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates
// Technical Physics Letters. 2008. - V.34. №11. - P. 924–926.
DOI: 10.1134/S1063785008110072.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, М.А.Яговкина, А.Ф.Цацульников Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота // Письма в Журнал Технической Физики. 2008. - Т. 34. №21. - С. 7-14.
W.V. Lundin, E.E.Zavarin, M.A.Sinitsyn, M.A.Yagovkina, A.F.Tsatsul’nikov Vapor phase epitaxy of aluminum nitride from trimethylaluminum and molecular nitrogen
// Technical Physics Letters. 2008. - V.34. №11. - P. 908–911.
DOI: 10.1134/S1063785008110023.
MOVPE of AlN using molecular nitrogen as nitrogen precursor / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, M.A.Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008). – Metz, 2008.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, E.Yu. Lundina, A.V.Sakharov, A.F. Tsatsulnikov Formation of textured sapphire substrates by self-arrangement process and wet etching for InGaAlN LEDs,
Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic
Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008) // Journal of
Crystal Growth. 2008. - V. 310. №23. - P. 5151-5153.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.055.
E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Kondratyev, A.S. Segal, A.V. Lobanova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev Hydrogen effects in III-nitride MOVPE,
Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic
Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008) // Journal of
Crystal Growth. 2008. - V. 310. №23. - P. 4862-4866.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.099.
A. Kondratyev, R. Talalaev, A. Segal1, E. Yakovlev, W. Lundin, E. Zavarin, M. Sinitsyn, A. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev Effect of Metallic Surface Coverage on Material Quality in III-Nitride MOVPE
// Physica Status Solidi (c). 2008. - V. 5. №6. - P. 1691-1694.
DOI: 10.1002/pssc.200778589.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Леденцов Н.Н. Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №6. - С. 736-741.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Lundin V. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Sinitsyn M. A., Ledentsov N. N. Energy Characteristics of Excitons in Structures Based on InGaN Alloys
// Semiconductors. 2008. - V.42. №6. - P. 720-725.
DOI: 10.1134/S1063782608060146.
В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №2. - С. 233-238.
W.V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul’nikov Effect of hydrogen on anisotropy of the p -GaN growth rate in the case of side-wall MOCVD
// Semiconductors. 2008. - V.42. №2. - P. 232-237.
DOI: 10.1134/S1063782608020218.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №2. - С. 187-191.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Lundin W.V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Ledentsov N. N. Photoluminescence of localized excitons in InGaN quantum dots
// Semiconductors. 2008. - V.42. - P. 188-191.
DOI: 10.1134/S1063782608020115.
В.С.Сизов, А.Ф.Цацульников, В.В.Лундин Нановключения InGaN в матрице AlGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №7. - С. 804-809.
V. S. Sizov, A. F. Tsatsul’nikov, V. V. Lundin Energy InGaN Nanoinclusions in an AlGaN Matrix
// Semiconductors. 2008. - V.42. №7. - P. 788–793.
DOI: 10.1134/S1063782608070075.
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Е.Ю. Лундина, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 35-36.
МО ГФЭ AlN из триметилалюминия и молекулярного азота / В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, М.А.Яговкина, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 33-34.
Влияние водорода на рост нитридов методом МО ГФЭ / Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, А.С. Сегаль, А.В. Лобанова, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников, А.Е. Николаев // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 61-62.
О роли водорода в формировании эпитаксиальных слоев GaN / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, Н.А. Черкашин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 65-66.
Ультрафиолетовые светодиоды, выращенные на подложках AlN / В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников, Т.Ю.Чемекова, Е.Н.Мохов, О.В. Авдеев, С.С. Нагалюк, Ю.Н. Макаров // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 100-101.
Исследования транспорта носителей и безызлучательной рекомбинации в слоях квантовых точек InGaN/GaN(AlGaN) / В.С. Сизов, А. В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В. В. Лундин // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 200-201.
Energy characteristics of excitons in InGaN/GaN heterostructures
/ S.O. Usov, A.F. Tsatsul’nikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E.
Zavarin, M.A. Sinitsyn, N.N. Ledentsov // Proceedings of the SPIE
Photonics Europe 2008 (Strasbourg, France, 7-10 April, 2008) // SPIE
Proceedings. Optical Micro- and Nanometrology in Microsystems
Technology II. 25 April 2008. - V. 6995. - P. 699515/1-12.
DOI: 10.1117/12.780789.
Usov S.O., Tsatsul’nikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Ledentsov N.N. Studies of Photoluminescence Spectra of InGaN/GaN Heterostructures / Photoluminescence Research Progress // Edited by Harry K. Wright and Grace V. Edwards. - Nova Science Publishers Inc., 2008. P. 307-323. Chap. 7. ISBN 978-1-60456-538-6.
Usov S.O., Tsatsulnikov A.F., Lundin V.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sizov D.S., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Arakcheeva E.M., Ledentsov N.N. Analysis of the local indium composition in an ultrathin InGaN layers
// Semicond. Sci. Technol. 2007. - V. 22. - P. 528-532.
DOI: 10.1088/0268-1242/22/5/012.
Анализ опыта запуска и эксплуатации полупромышленной MOVPE устновки AIX2000HT В ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 163-164.
Создание установки для выращивания III-N соединений методом ГФЭМОС / Заварин Е.Е., Лундин В.В., Синицын М.А., Цацульников А.Ф. // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 16-17.
Исследование температурных зависимостей спектров фотолюминесценции квантовых точек InGaN / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.М. Аракчеева, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 137-138.
Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Zavarin E.E., Tsatsul`nikov A.F., Musikhin Yu.G., Vlasov A.S., Ledentsov N.N., Mintairov A.M., Sun K., Merz J. Investigations of InGaN/GaN and InGaN/InGaN QDs grown in a wide pressure MOCVD reactor
// International Journal of Nanoscience. 2007. - V.6. №5. - P.
327-332.
DOI: 10.1142/S0219581X07004882.
Non-polar a-(In)GaN heterostructures / W.V.Lundin, E.E.Zavarin, A.E.Nikolaev, M.A.Sinitsyn, A.V.Sakharov, D.S.Sizov, R.A. Talalaev , A.V. Lobanova, and A.F.Tsatsulnikov // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Bratislava, Slovakia, 3-6 June, 2007). – Bratislava, 2007. – PP. 57-60.
MOVPE growth of III-N heterostructures for optoelectronic and electronic applications on SiC substrates / W.V.Lundin, A.E.Nikolaev, E.E.Zavarin, M.A.Sinitsyn, A.V.Sakharov, A.F.Tsatsulnikov // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Bratislava, Slovakia, 3-6 June, 2007). – Bratislava, 2007. – PP. 147-149.
Исследование свойств высокосоставных InGaN нановключений в матрице AlGaN / В.С. Сизов, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 135-136.
Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в квантовых ямах InGaN/GaN, легированных Eu. / В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, В.В. Лундин // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 129-130.
Гетероструктуры InGaAlN для HEMT-транзисторов / А.В.Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 46-47.
Структуры на основе нитрида галлия для оптоэлектроники и микроэлектроники / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, М.А. Синицын // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 39-40.
Неполярные a-(In)GaN гетероструктуры / Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, М.А.Синицын, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, Д.С.Сизов, М.М.Кулагина, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 22-23.
Разработка технологии выращивания эпитаксиальных III-N структур на SiC подложках для синих светодиодов методом MOCVD / В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 14-15.
Исследование температурных зависимостей спектров фотолюминесценции квантовых точек InGaN / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.М. Аракчеева, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 137-138.
Д.С.Сизов, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов, В.В.Лундин, Ю.Г.Мусихин, В.С.Сизов, Р.А.Сурис, А.Ф.Цацульников Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2007. - Т. 41. №5. - С. 595-608.
D. S. Sizov, E. E. Zavarin, N. N. Ledentsov, V. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, V. S. Sizov, R. A. Suris, A. F. Tsatsul’nikov Nonequilibrium Population of Charge Carriers in Structures with InGaN Deep Quantum Dots
// Semiconductors. 2007. - V.41. №5. - P. 595–589.
DOI: 10.1134/S1063782607050193.
Усов С.О. Эффекты локализации экситонов в квантовых точках InGaN // Сборник Международной зимней школы по физике полупроводников / Научные сообщения молодых ученых (С.-Петербург, Зеленогорск, 1 - 5 марта 2007г.). – Зеленогорск, 2007. – C. 19-20.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, M.A. Sinitsin, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Kondratyev, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency
// Journal of Crystal Growth. 2006. - V. 287. №2. - P. 605-609.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.084.
В.С.Сизов, Д.С.Сизов, Г.А.Михайловский, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области // Физика и Техника Полупроводников. 2006. - Т. 40. №5. - С. 589-596.
V. S. Sizov, D. S. Sizov, G. A. Mikhailovskiœ, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov The Study of Lateral Carrier Transport in Structures with InGaN Quantum Dots in the Active Region
// Semiconductors. 2006. - V.40. №5. - P. 574–580.
DOI: 10.1134/S1063782606050113.
Баранов Е.Е., Емельянов А.М., Лундин В.В., Петров В.Н., Сахаров В.И., Соболев Н.А., Титков А.Н., Шеек Е.И., Шмидт Н.М. Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига // Журнал Технической Физики. 2006. - Т. 76. №12. - С. 61-64.
Baranov E.E., Emel`yanov A.M., Lundin W.V., Petrov V.N., Sakharov V.I., Serenkov I.T., Sobolev N.A., Titkov A.N., Shek E.I., Shmidt N.M. Correlation between luminescent properties and structure organization in AlGaN/GaN superlattices annealed after erbium ion implantation
// Technical Physics. 2006. - V.51. №12. - P. 1600–1603.
DOI: 10.1134/S1063784206120085.
Single versus ensemble quantum dot emission in near-field spectra of InGaN QWs / A. M. Mintairov, J. L. Merz, D. S. Sizov, V. S. Sizov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Vlasov, N. N. Ledentsov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Nonequilibrium carrier statistics in deep InGaN quantum dots / D. S. Sizov, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, V. S. Sizov, A. F. Tsatsul'nikov, A. M. Mintairov, R. A. Suris, N. N. Ledentsov and J. Merz // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Investigations of a local indium composition in an ultrathin InGaN layers / S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006) // P. 281-282.
Passivation of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure by a nano-crystalline GaN layer deposited under electron cyclotron resonance plasma conditions / S. Shapoval, A. Kovalchuk, V. Sirotkin, V. Zemlyakov, V. Krasnik, K. Dudinov, V. Lundin, E. Zavarin, A. Sakharov, A. Tsatsulnikov, V. Ustinov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Mintairov A.M., Merz J.L., Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Usov S.O., Zavarin E.E., Tsatsul’nikov A.F., Musikhin Yu. G., Vlasov A.S., Ledentsov N.N. Near-field photoluminescence spectroscopy of InGaN quantum dots
// Material Research Society Symposium Proceedings. 2006. - V. 892 -
P. 843-848.
DOI: 10.1557/PROC-0892-FF32-06.
Onushkin G.A., Zakgeim A.L., Zakgeim D.A., Rozhansky I.V., Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sizov D.S. Micro-EL studying of high power blue LEDs
// Physica Status Solidi (C). 2006. - V. 3. №6. - P. 2149-2152.
DOI: 10.1002/pssc.200565161.
Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Zavarin E.E., Tsatsul`nikov A.F., Vlasov A.S., Musikhin Yu.G., Ledentsov N.N., Mintairov A.M., Sun K., Merz J. Localization of non-equilibrium carriers in deep InGaN quantum dots and its impact on the device performance
// Physica Status Solidi (a). 2006. - V. 3. №6. - P. 2043–2047.
DOI: 10.1002/pssc.200565465.
Усов С.О. Кластеры индия в структурах с InGaN квантовыми ямами и квантовыми точками // Сборник Международной зимней школы по физике полупроводников / Научные сообщения молодых ученых (С.-Петербург, Зеленогорск, 24 - 27 февраля 2006г.). – Зеленогорск, 2006. – C. 17-18.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, Д.С.Сизов Влияние газа-носителя на процесс газотранспортной эпитаксии нитрида галлия из металлорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2005. - Т. 31. №7. - С. 52-56.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, D. S. Sizov Influence of the Carrier Gas Composition on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Gallium Nitride
// Technical Physics Letters. 2015. - V.31. №4. - P. 293–294.
DOI: 10.1134/1.1920375.
In-situ investigations of GaN chemical unstability during MOCVD / Zavarin E.E., Sizov D.S., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Talalaev, R.A., Kondratyev A.V., Bord O.V. // Proceedings of the international symposium EUROCVD 15: fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Bochum, Germany, 5-9 September, 2005). – Bochum, 2005. - V.2005-09. – PP. 299-305.
Reactor pressure and residence time effects in GaN MOVPE / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Kondratyev, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev // Proceedings of the 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Lausanne, Switzerland, 5-8 June, 2005). – Lausanne, 2005. – PP. 353-355.
Effect of Hydrogen on GaN and AlGaN Growth by MOVPE / W.V.Lundin, R.A.Talalaev, E.E.Zavarin, D.S.Sizov, M.A.Sinitsyn, A.F.Tsatsulnikov // Proceedings of the 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Lausanne, Switzerland, 35-8 June, 2005). – Lausanne, 2005. – PP. 331-333.
О некоторых аспектах влияния технологии обработки сапфировых подложек на эффективность электролюминесценции светодиодных структур / А.Ю. Игнатов, В.В. Гринько, М.М. Сабельникова, В.С. Постолов, В.И. Поляков, Г.А. Онушкин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 12-13.
Waferscan – новая система сканирующей in-situ рефлектометрии для планетарных реакторов / Д.С.Сизов, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 46-47.
Влияние водорода на процесс роста GaN и AlGaN методом ГФЭ МОС / В.В.Лундин, Р.А.Талалаев, Е.Е.Заварин, Д.С.Сизов, М.А.Синицын, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 50-51.
Исследование деформаций в гексагональных сверхрешетках GaN/Al(Ga)N методом рамановской спектроскопии / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, М.А. Яговкина, М.П. Щеглов, Е.Е. Заварин, М.А. Синицин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 66-67.
Зарядовые аккумуляционные слои, индуцированные адсорбцией Cs и Ba на поверхности n-GaN(0001): фотоэмиссионные исследования / Г.В.Бенеманская, В.С.Вихнин, Г.Э.Франк-Каменецкая, В.В.Лундин, Н.М.Шмидт // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 78-79.
Структурные исследования сверхрешеток AlGaN/GaN имплантантированных ионами ER3+ / Р.Н.Кютт, Н.А.Соболев, Г.Н.Мосина, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 90-91.
Исследование инжекции носителей в InGaN/GaN светодиодах и роль утечек в ВАХ и эффективности излучения / Д.С. Сизов, Г.А. Онушкин, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, А.М. Аракчеева, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 96-97.
Пространственное распределение локализованных состояний и характеристики излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN / В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 101-102.
Полупрозрачные омические контакты для мощных нитридных светодиодов и проблемы однородности электролюминесценции / Г.А.Онушкин, В.В.Лундин, Е.Ю. Лундина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 132-133.
Д.С.Сизов, В.С.Сизов, В.В.Лундин, А.Ф.Цацульников, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №11. - С. 1350-1353.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov Studies of the electron spectrum in structures with InGaN quantum dots using photocurrent spectroscopy
// Semiconductors. 2005. - V.39. №11. - P. 1304–1307.
DOI: 10.1134/1.2128455.
А.М.Емельянов, Н.А.Соболев , Е.И.Шек, В.В.Лундин, А.С.Усиков, Е.О.Паршин Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №9. - С. 1080-1082.
A.M. Emel’yanov, N.A. Sobolev, E.I. Shek, V.V. Lundin, A.S. Usikov, E.O. Parshin Influence of an increase in the implantation dose of erbium ions and annealing temperature on photoluminescence in AlGaN/GaN superlattices and GaN epitaxial layers
// Semiconductors. 2005. - V.39. №9. - P. 1045–1047.
DOI: 10.1134/1.2042596.
Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №4. - С. 492-496.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.V. Fomin, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov A study of carrier statistics in InGaN/GaN LED structures
// Semiconductors. 2005. - V.39. №4. - P. 467-471.
DOI: 10.1134/1.1900264.
Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №2. - С. 264-268.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.V. Fomin, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov Kinetics and inhomogeneous carrier injection in InGaN nanolayers
// Semiconductors. 2005. - V.39. №2. - P. 249–253.
DOI: 10.1134/1.1864208.
A. I. Besyulkin, A. P. Kartashova, A. G. Kolmakov, V. V. Krivolapchuk, W. V. Lundin, M. M. Mezdrogina, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, A. A. Sitnikova, A. L. Zakgeim, E. E. Zavarin, R. V. Zolotareva Surface control of light-emitting structures based on III-nitrides
// Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 2. №2. - P. 837-840.
DOI: 10.1002/pssc.200460340.
Мощные синие InGaN флип-чип светодиоды с отражающими контактами сделанные из российских материалов / Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Онушкин Г.А., Закгейм Д.А., Смирнова И.П., Гуревич С.А., Закгейм А.Л., Васильева Е.Д., Иткинсон Г.В. // Сборник статей 5-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» (Минск, Беларусь, 1-5 Июня 2005г.). – Минск, 2005. – C. 139-142.
И.П. Сошников, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Фомин, D. Litvinov, E. Hahn, D.Gerthsen Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах // Физика и Техника Полупроводников. 2005 - Т. 39. №1. - С. 112-114.
I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.A. Zavarin, A.V. Fomin, D. Litvinov, E. Hahn, D. Gerthsen Special Features of Structural Interaction in (AlGaIn)N / GaN Heterostructures Used as Dislocation Filters
// Semiconductors. 2005. - V.39. №1. - P. 100–102.
DOI: 10.1134/1.1852655.
Смирнов М.Б., Карпов С.В., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Заварин Е.Е., Лундин В.В. Колебательные спектры сверхрешеток AlN/GaN: теория и эксперимент // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №4. - С. 716-727.
Smirnov M.B., Karpov S.V., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Zavarin E.E., Lundin V.V. Vibrational spectra of AlN/GaN superlattices: Theory and experiment
// Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №4. - P. 742-753.
DOI: 10.1134/1.1913991.
Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М., Родин С.Н. Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №7. - С. 1203-1206.
Krivolapchuk V.V., Kozhanova Y.V., Lundin V.V., Mezdrogina M.M., Rodin S.N. Parameters of thulium-doped gallium nitride crystals with wurtzite structure
// Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №7. - P. 1245-1248.
DOI: 10.1134/1.1992599.
Криволапчук В.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М. Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №7. - С. 1338-1342.
Krivolapchuk V.V., Lundin V.V., Mezdrogina M.M. The role of built-in electric fields in the InGaN/GaN quantum-well emission
// Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №7. - P. 1388-1392.
DOI: 10.1134/1.1992623.
Davydov V.Y., Smirnov A.N., Smirnov M.B., Karpov S.V., Yagovkina M.A., Besulkin A.I., Lundin W.V. Optical phonons in hexagonal GaN/AlN and GaN/AlGaN superlattices
// Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 2. №7. - P. 2389-2393.
DOI: 10.1002/pssc.200461454.
A.G. Milekhin, M.Yu. Ladanov, W.V. Lundin, A.I. Besulkin, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, C. Himcinschi, M. Friedrich, D.R.T. Zahn IR reflection of optical phonons in GaN/AlGaN superlattices,
Proceedings of the 11th International Conference on Phonon
Scattering in Condensed Matter (Phonons2004) (St Petersburg, Russia,
25-30 July 2004) // Physica Status Solidi (c). 2004. - V. 1. №11. -
P. 2733–2736.
DOI: 10.1002/pssc.200405306.
D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson Fabrication of high-power flip-chip blue and white LEDs operating under high current density
// Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 1. №10. - P. 2401–2404.
DOI: 10.1002/pssc.200404993.
A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov Aluminum incorporation control in AlGaN MOVPE: experimental and modeling study
// Journal of Crystal Growth. 2004. - V. 272. №1-4. - P. 420–425.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.016.
В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №6. - С. 705-708.
Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Growth of AlGaN epitaxial layers and AlGaN/GaN superlattices by metal-organic chemical vapor deposition
// Semiconductors. 2004. - V.38. №6. - P. 678–682.
DOI: 10.1134/1.1766372.
Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн, В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №9. - С. 1036-1038.
N.M. Shmidt, M.E. Levinshtein, W.V. Lundin, A.I. Besyul’kin, P.S. Kop’ev, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur Low-Frequency Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layers with Different Degrees of Order of Mosaic Structure
// Semiconductors. 2004. - V.38. №9. - P. 998–1000.
DOI: 10.1134/1.1797474.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г. Гладышев, А.В. Сахаров, М.Ф. Кокорев, Н.М. Шмидт, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Р. Каканаков Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №11. - С. 1364-1367.
Выращивание эпитаксиальных структур на основе GaN методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 22-23.
Исследование вхождения алюминия при вариации параметров роста в ГФЭ МОС AlGaN / А.В. Кондратьев, Р.А. Талалаев, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.В. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 32-33.
Химическая нестабильность GaN в водород – азот - аммиачных смесях и ее влияние на процесс роста при эпитаксии из металло-органических соединений / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, Д.С. Сизов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 47-48.
Рамановские спектры гексагональных сверхрешеток GaN/AlN в микроскопической и феменологической моделях / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 52-53.
Спектры фотоэмиссии эпитаксиальных слоев GаN с разным структурным совершенством / Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Г.Е. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 73-74.
Свойства эпитаксиальных структур для светодиодов на основе GaN / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, В.С. Сизов, А.В. Фомин, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, A. Hoffmann, D. Bimberg // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 80-81.
Стационарные и время разрешенные спектры фото- и электролюминесценции в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Д.С. Сизов, А.В. Иванов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 82-83.
Исследование спонтанного излучения в структурах, содержащих сверхтонкие слои InGaN в матрице GaN / Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, Г.А. Онушкин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 92-93.
Исследование микроэлектролюминесцентных характеристик мощных AlGaInN меза- планарных светодиодов / Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 96-97.
Корреляция низкочастотного шума в эпитаксиальных слоях нитрида галлия со степенью их структурного совершенства / Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн, В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 118-119.
Эффект фотоусиления в HEMT- структурах AlGaN/GaN / Д.С. Сизов, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, В.С. Сизов, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 135-136.
Эффективность светодиодов на основе MQW InGaN/GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Е.Е. Заварин, А.Л. Закгейм, А.П. Карташова, А.Г. Колмаков, В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 145-146.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, A.V.Fomin, D.S. Sizov MOCVD growth of AlGaN epilayers and AlGaN/GaN SLs in a wide composition range
/ edited by Shur M.S., Žukauskas A. // UV Solid-State Light Emitters
and Detectors. NATO Science Series (Series II: Mathematics, Physics
and Chemistry). - Springer, Dordrecht. 2005. - V. 144. - P. 223-231.
DOI: 10.1007/978-1-4020-2103-9_17.
V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.V. Baidakova, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, H. Harima, K. Kisoda Lattice dynamics and Raman spectra of strained hexagonal GaN/AlN and GaN/AlGaN superlattices
// Proceedings of the 5th International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS-5) (Nara, Japan, 25-30 May 2003) // Physica
Status Solidi (c). 2003. - V. 0(7). - P. 2035-2038.
DOI: 10.1002/pssc.200303311.
P. Girard, Ph. Cadet, M. Ramonda, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, W.V. Lundin, M.S. Dunaevskii, A.N. Titkov Atomic and electrostatic force microscopy observations on gallium nitride
// Physica Status Solidi (a). 2016. - V. 195. №3. - P. 508-515.
DOI: 10.1002/pssa.200306144.
Особенности системы протяженных дефектов в нитридах III группы / А.В. Анкудинов, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов, В.В. Лундин, В.В. Ратников, Н.М. Шмидт, А.А. Ситникова, А.Н. Титков, А.С. Усиков, Е.В. Якимов, Р.В. Золотарева // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 92.
Сверхрешетки GaN/AlN и GaN/AlxGa1 – xN: динамика решетки / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов, И.Н. Гончарук, М.П. Щеглов, М.В. Байдакова, В.В. Лундин // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 310.
Исследование влияния начальной стадии роста на структурные и оптические свойства GaN / Е.Е. Заварин, Д.С. Сизов, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 456.
Низкотемпературная методика приготовления поверхности GaN(0001) / О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 462.
Оптические свойства нитридов III-группы с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, А.П. Карташова, А.Г. Колмаков, В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 467.
Спектры и кинетика спада фотолюминесценции в кристаллах GaN, легированных Er и Sm / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 472.
Мозаичная структура и оптические свойства III-нитридов / Н.М. Шмидт, А.Н. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, G. Aliev, D. Wolverson, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 17-18.
Распределение областей с эффективной безызлучательной рекомбинацией в эпитаксиальных слоях GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Н.М. Шмидт, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.С. Усиков, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов, Е.В. Якимов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 19-20.
Приповерхностные дефекты с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях GaN / О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов, Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, В.В. Лундин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 23-24.
Спектры и кинетика спада фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Sm / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Ю.В. Жиляев, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 30-31.
Фотолюминесценция в имплантированных ионами Er сверхрешетках AlGaN/GaN и монокристаллических слоях GaN / Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 32-33.
Динамика решетки и спектры КРС гексагональных сверхрешеток GaN/AlN и GaN/AlGaN / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, Р.Н. Кютт, М.В. Байдакова, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 49-50.
Формирование минизон в сверхрешетках p-AlGaN/GaN / М.Ф. Кокорев, Д.В. Пахнин, В.В. Лундин, Jim. Y. Chi // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 51-52.
Параметры эпитаксиальных слоёв III-нитридов и приборных структур, связанные с качеством подготовки сапфировых подложек / Н.М. Шмидт, А.А. Анкудинов, С.Ю. Белова, А.Н. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, В.В. Ратников, А.В. Сахаров, А.А. Титков, А.С. Усиков, С.П. Черных // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 70-71.
Начальные стадии роста GaN c использованием низкотемпературных слоев (Al)GaN и AlN / Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 91-92.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlN и гетероструктур AlN/GaN на сапфировых подложках методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 93-94.
Гетероструктуры с высокой подвижностью электронов на основе III-N, выращенные методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г. Гладышев, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов., М.Ф. Кокорев // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 103-104.
Приготовление поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с ОЭС / О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 133-134.
Формирование зарощенных мезаполосковых III-N структур с помощью комбинации сухого и жидкостного травления с последующим заращиванием / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, С.А. Гуревич, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, Н.Н. Леденцов, Jim Y. Chi and Ru Chin Tu // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 135-136.
Optical phonons in hexagonal GaN/AlN and GaN/AlxGa1-xN superlattices: Theory and experiment / V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, H. Harima // Proceedings of the 11th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 23-28 June 2003). - Saint-Petersburg, 2003. – P. 72-74.
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, M.G. Mil'vidskii, S.J. Pearton, A.S. Usikov, N.M. Shmidt, A.V. Osinsky, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin Deep levels studies of AlGaN/GaN superlattices
// Solid-State Electronics. 2003. - V. 47. №4. - P. 671-676.
DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00319-2.
Гетероструктуры GaN/AlGaN с высокой подвижностью электронов, полученные МОГФЭ / А.И.Бесюлькин, А.Г.Гладышев, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, А.В.Сахаров, М.А.Синицын, Н.М.Шмидт, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов, М.Ф.Кокорев // Тезисы докладов «XIII Отраслевого координационного семинара по СВЧ технике» ФГУП «НПП Салют» (Нижний Новгород, 27-29 августа 2003г.). – Нижний Новгород, 2003.
W.V.Lundin, A.S.Usikov Influence of MOCVD growth conditions on properties of III-nitride multylayer structures / edited by T.Paskova, B.Monemar // Vacuum Science and Technology: Nitrides as Seen by the Technology. - Kerala, India. 2002. - P. 167-182. ISBN: 81-7736-198-8.
I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen Quantum dot origin of luminescence in InGaN-GaN structures
// Physical Review B. 2002. - V. 66. №15. - P. 155310.
DOI: 10.1103/PhysRevB.66.155310.
I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsulnikov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Time-resolved studies of InGaN/GaN quantum dots
// Physica Status Solidi (a). 2002. - V. 192. №3. - P. 49–53.
DOI: 10.1002/1521-396X(200207)192:1<49::AID-PSSA49>3.0.CO;2-B.
V.Yu. Davydov, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.A. Klochikhin, J. Aderhold, J. Graul, O. Semchinova, H. Harima Composition dependence of optical phonon energies and Raman line broadening in hexagonal AlxGa1-xN alloys
// Physical Review B. 2002. - V. 65. №12. - P. 125203.
DOI: 10.1103/PhysRevB.65.125203.
Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures
// Applied Physics Letters. 2002. - V. 80. №12. - P. 2099-2101.
DOI: 10.1063/1.1462868.
V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, H. Harima Raman spectroscopy as a tool for characterization of strained hexagonal GaN/AlxGa1-xN superlattices
/ Proceedings of the International Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July
2002) // Physica Status Solidi (b). 2002. - V. 234. №3. - P.
975-979.
DOI: 10.1002/1521-3951(200212)234:3<975::AID-PSSB975>3.0.CO;2-L.
A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.M. Shmidt, A.I. Pechnicov, Y. Shapovalova, G. Gainer Growth and characterization of LEDs structures by MOCVD on HVPE grown GaN templates
/ Proceedings of the International Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July
2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 39-42.
DOI: 10.1002/pssc.200390072.
A. Reznitsky, A. Klochikhin, S. Permogorov, L. Tenishev, W. Lundin, A. Usikov, M. Schmidt, C. Klingshirn Localization of Excitons at Small In Clusters in Diluted InGaN Solid Solutions
/ Proceedings of the International Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July
2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 280-283.
DOI: 10.1002/pssc.200390043.
N.M. Shmidt, G. Aliev, A.N. Besyul’kin, J. Davies, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, D. Wolverson, E.E. Zavarin Mosaic structure and optical properties of III-nitrides
/ Proceedings of the International Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July
2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 558–562.
DOI: 10.1002/pssc.200390113.
Исследование свойств слоев GaN, AlGaN и гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках GaN / А.С. Усиков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, А.В. Сахаров, А.И. Печников, И.П. Никитина, А.В. Фомин, В.В. Третьяков, В.А. Дмитриев // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 3-4.
Сверхрешетки AlGaN/GaN, выращивание и свойства / А В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, М.Ф. Кокорев, Р.Н. Кютт, В.Ю. Давыдов, В.В. Третьяков, Д.В. Пахнин, А.С. Усиков // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 10-11.
InGaN/AlGaN/GaN лазеры с оптическим возбуждением / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Ru Chin Tu, Jim Y. Chi // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 18-19.
Сине-зеленый оптически накачиваемый InGaN/AlGaN/GaN лазер / А.В. Сахаров, А.С. Усиков, В.В. Лундин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 19-20.
Оптические и акустические фононы в напряженных гексагональных сверхрешетках GaN/AlGaN / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, И.Е. Козин, И.Н. Гончарук, А.Н. Смирнов, Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 27-28.
Raman studies as a tool for characterization of strained hexagonal GaN/AlxGa1-xN superlattices / Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Goncharuk I.N., Kyutt R.N., Scheglov M.P., Baidakova M.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Smirnov M.B., Karpov S.V., Harima H. // Proceedings of the 10th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 17–21 June 2002). - Saint-Petersburg, 2002. – P. 164–167.
Исследование многослойных InGaN/AlGaN гетероструктур, выращенных методом МОГФЭ в различных режимах / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 Сентября 2001г.). – Нижний Новгород, 2001. – C. 387.
Локализация экситонов в твердых растворах со статистическим беспорядком или с частичным фазовым распадом: свидетельство образования фрактальных структур / А.Н. Резницкий, А.А. Клочихин, Л.Н. Тенишев, С.А. Пермогоров, В.В. Лундин, А.С. Усиков, С.В. Сорокин, С.В. Иванов, M.Schmidt, E.Kurtz, H.Kalt, C.Klingshirn // Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 Сентября 2001г.). – Нижний Новгород, 2001. – C. 135.
A.G. Kolmakov, V.V. Emtsev, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, A.N. Titkov, A.S. Usikov A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers
/ Proceedings of the 21st International Conference on Defects in
Semiconductors (Giessen, Germany, 16 - 20 July 2001) // Physica B.
2001. - V. 308-310. - P. 1141-1144.
DOI: 10.1016/S0921-4526(01)00917-6.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kyutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretyakov, D.V. Pakhnin, A.S. Usikov Growth and characterization of AlGaN/GaN superlattices
// Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №2. - P. 885-888.
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<885::AID-PSSA885>3.3.CO;2-B.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov. A.S. Usikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsulnikov, Ru Chin Tu, Sun Bin Yin, Jim Y. Chi Growth, optical and structural characterization of InGaN/GaN/AlGaN optically pumped lasers
// Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 73-77.
DOI: 10.1002/1521-396X(200111)188:1<73::AID-PSSA73>3.0.CO;2-5.
A.V. Sakharov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg Laser-like emission in the blue-green spectral range from InGaN/GaN/AlGaN structures under optical pumping
// Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 91-94.
DOI: 10.1002/1521-396X(200111)188:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-D.
A.V. Sakharov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, Ru Chin Tu, Sun Bin Yin, Jim Y. Chi Comparative study of InGaN/GaN structures grown by MOCVD using various growth sequences
// Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 95-98.
DOI: 10.1002/1521-3951(200111)228:1<95::AID-PSSB95>3.3.CO;2-H.
V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.E. Kozin, V.V. Emtsev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.S. Usikov Optic and acoustic phonons in strained hexagonal GaN/AlGaN multilayer structures
// Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №2. - P. 863-866.
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<863::AID-PSSA863>83.0.CO;2-%23.
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.S. Usikov, N.M. Shmidt, W.V. Lundin Deep centers spectra and scanning electron microscope studies of p-GaN films prepared by metallorganic chemical vapor deposition on sapphire
// Solid-State Electronics. 2001. - V. 45. №2. - P. 255-259.
DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00257-4.
N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S.Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin Correlation of mosaic-structure peculiarities with electric characteristics and surface multifractal parameters for GaN epitaxial layers
// Nanotechnology. 2001. - V. 12. №4. - P. 471-474.
DOI: 10.1088/0957-4484/12/4/318.
D.V. Davydov, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin Electron traps in undoped GaN layers subjected to gamma-irradiation and annealing
/ edited by G. Pensl, D. Stephani, M. Hundhausen // Materials
Science Forum. - Kerala, India. 2001. - V. 353-356. -P. 799-802.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.799.
A Georgakilas, K Amimer, P Tzanetakis, Z Hatzopoulos, M Cengher,B Pecz, Zs Czigany, L Toth, M.V Baidakova, A.V Sakharov, V.Yu Davydov Correlation of the structural and optical properties of GaN grown on vicinal (0 0 1) GaAs substrates with the plasma-assisted MBE growth conditions
// Journal of Crystal Growth. 2001. - V. 227–228. - P. 410–414.
DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00734-5.
B.M. Ataev, W.V. Lundin, V.V. Mamedov, A.M. Bagamadova, E.E. Zavarin Low-pressure chemical vapour deposition growth of high-quality ZnO films on epi-GaN/alpha-Al2O3
// Journal of Physics: Condensed Matter. 2001. - V. 13. №9. - P.
L211-L214.
DOI: 10.1088/0953-8984/13/9/103.
Б.М.Атаев, И.К.Камилов, В.В.Лундин, В.В.Мамедов, А.К.Омаев, Ш.-М.О.Шахшаев Получение гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/α-Al2O3 высокого совершенства методом химического транспорта // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. - Т. 27. №2. - С. 30-35.
B. M. Ataev, I.K. Kamilov, W. V. Lundin, V. V. Mamedov, A.K. Omaev, Sh.-M. O. Shakhshaev High-quality ZnO/GaN/α-Al2O3 heteroepitaxial structures grown by CVD
// Technical Physics Letters. 2001. - V.27. №1. - P. 55–57.
DOI: 10.1134/1.1345165.
Exciton localization by clusters in diluted bulk InGaN and two-dimensional ZnCdSe solid solutions / A. Klochikhin, A. Reznitsky, L. Tenishev, S. Permogorov, W. Lundin, A. Usikov, S. Sorokin, S. Ivanov, M. Schmidt, H. Kalt, C. Klingshirn // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 554-557.
Localized excitons in random and partly phase separated solid solutions: evidence of fractal structure of islands / A. Reznitsky, A. Klochikhin, L. Tenishev, S. Permogorov S. Sorokin, S. Ivanov, W. Lundin, A. Usikov, E. Kurtz, H. Kalt and C. Klingshirn // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 534-537.
Correlation of mosaic structure peculiarities with electric characteristics and surface multifractal parameters for GaN epitaxial layers / A.G. Kolmakov, N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2002). - Saint-Petersburg, 2002. – P. 135-138.
Raman studies of acoustical phonons in strained hexagonal GaN/AlGaN superlattices / V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, I. E. Kozin, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, R. N. Kyutt, M. P. Scheglov, A. V. Sakharov, V. V. Tretyakov, A. V. Ankudinov, M. S. Dunaevskii, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. S. Usikov // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 154-157.
Рост слоев и структур нитридов III группы эпитаксией из металлорганических соединений в физико-техническом институте / А.С. Усиков, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 2.
Исследование многослойных структур GaN/AlxGa1-xN методом раман-спектроскопии / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, И.Н. Гончарук, А.Н. Смирнов, А.С. Усиков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, М.В. Байдакова, М.П. Щеглов, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 10.
Влияние прерывания роста и состава газовой среды на оптические и структурные свойства InGaN/(Al)GaN многослойных структур / Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 75.
Светодиоды на основе InGaN/GaN/AlGaN гетероструктур / А.С. Усиков, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 79.
Особенности фазовой сепарации в светодиодных структурах InGaN/GaN/AlGaN / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Д.А. Бедарев, А.И. Бесюлькин, Н.Н. Леденцов, А.С. Усиков // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 82.
Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе GaN для установок очистки воды / Н.М. Шмидт, В.М. Андреев, А.А. Власов, Е.Е. Заварин, Ю.М. Задиранов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, О.В. Титкова, А.С. Усиков, В.М. Щеглов, В.П. Фоканов, А.В. Шалларь // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 118.
Н.М. Шмидт, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, А.В. Говорков, А.Я. Поляков, Н.Б. Смирнов Фотодетекторы ультрафиолетового диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN // Прикладная физика. 2000. - Т. 5. - С. 95-100.
N.M. Shmidt, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Govorkov, A.Ya. Polyakov, N.B. Smirnov Ultra-violet photodetectors based on GaN and AlxGa1-xN epitaxial layers
/ Proceedings of the 16th International Conference on
Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 25-27 May
2000) // Proceedings of the SPIE. 2000. - V. 4340. - P. 92-96.
DOI: 10.1117/12.407713.
N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M. Strassburg, R. Engelhardt, S. Rodt, R. Heitz, U.W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen Quantum dots formed by ultrathin insertions in wide-gap matrices
// Thin Solid Films. 2000. - V.367. №1-2. - P. 40-47.
DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00659-3.
I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, I.P. Soshnikov, D. Gerthsen, A.C. Plaut, J. Holst, A. Hoffmann, D. Bimberg Lasing in Vertical Direction in Structures with InGaN Quantum Dots
// Physica Status Solidi (a). 2000. - V. 180. №1. - P. 91-96.
DOI: 10.1002/1521-396X(200007)180:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-J.
Influence of Growth Interruptions and Gas Ambient on Optical and Structural Properties of InGaN/GaN Multilayer Structures / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A.Bedarev, A.F.Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), (Nagoya, Japan, 24-27 September 2000). - Nagoya, 2000.
Influence of the thick GaN buffer growth conditions on the electroluminescence properties of GaN/InGaN multilayer heterostructures / A.S. Usikov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, A.F.Tsatsul’nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), (Nagoya, Japan, 24-27 September 2000). - Nagoya, 2000.
Study of the III-nitrides MOCVD growth process with in-situ optical reflectance monitoring / W.V.Lundin, A.S.Usikov, E.E.Zavarin, D.A.Bedarev, A.I.Besulkin, A.V.Sakharov, N.N. Ledentsov, A.Hoffmann, D.Bimberg, Zh.I. Alferov // Booklet of the 4th European GaN Workshop (Nottingham, UK, 2-5 July 2000). - Nottingham, 2000. – P. 6.
Effect of annealing on phase separation in ternary III–N alloys / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, E.E. Zavarin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov // Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 19-23 June 2000). - Saint-Petersburg, 2000. – P. 216-218.
Optical phonons in hexagonal GaN/AlxGa1-xN multilayered structures / V.Yu. Davydov, A.A. Klochikchin, S.V. Goupalov, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.V. Baidakova, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele, O. Semchinova // Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 19-23 June 2000). - Saint-Petersburg, 2000. – P. 208-210.
И.Л. Крестников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, А.П. Карташова, А.С. Усиков, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, И.П. Сошников, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A.C. Plaut, A. Hoffmann, D. Bimberg Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/GaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №4. - С. 496-503.
I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, A. P. Kartashova, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, I. P. Soshnikov, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. C. Plaut, A. A. Hoffmann, D. Bimberg Lasing in the Vertical Direction in InGaN/GaN/AlGaN Structures with InGaN Quantum Dots
// Semiconductors. 2000. - V.34. №4. - P. 481-487.
DOI: 10.1134/1.1188011.
A.Y. Polyakov, A.S. Usikov, B. Theys, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, F. Jomard, N.M. Shmidt, W.V. Lundin Effects of proton implantation on electrical and recombination properties of n-GaN
// Solid-State Electronics. 2000. - V. 44. №11. - P. 1971-1983.
DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00159-3.
А.С. Усиков, В.В. Третьяков, А.В. Бобыль, Р.Н. Кютт , В.В. Лундин , Б.В. Пушный , Н.М. Шмидт Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №11. - С. 1300-1305.
A.S. Usikov, V.V. Tret’yakov, A.V. Bobyl’, R.N. Kyutt, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, N.M. Shmidt Internal microstrain and distribution of composition and cathodoluminescence over lapped Al(x)Ga(1-x)N epilayers on sapphire
// Semiconductors. 2000. - V.34. №11. - P. 1248-1254.
DOI: 10.1134/1.1325417.
A.F. Tsatsul’nikov, I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.P. Kartashova, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, A. Plaut Formation of GaAsN nanoinsertions in a GaN matrix by metal-organic chemical vapour deposition
// Semicondor Science and Technology. 2000. - V.15. №7. - P.
766-769.
DOI: 10.1088/0268-1242/15/7/318.
И.П. Сошников, В.В. Лундин, А.С. Усиков, И.П. Калмыкова, Н.Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №6. - С. 647-651.
I.P. Soshnikov, V.W. Lundin, A.S. Usikov, I.P. Kalmykova, N.N. Ledentsov, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen Specifics of MOCVD formation of InxGa1-xN inclusions in a GaN matrix
// Semiconductors. 2000. - V.34. №6. - P. 621-625.
DOI: 10.1134/1.1188041.
Н.А. Соболев, А.М.Емельянов, В.В.Лундин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, А.С. Усиков Влияние отжига на оптические и структурные свойства GaN:Er // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №6. - С. 674-676.
N.A. Sobolev, V.V. Lundin, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, A.S. Usikov, A.M. Emel’yanov Effect of annealing on the optical and structural properties of GaN:Er
// Semiconductors. 1999. - V.33. №6. - P. 624-626.
DOI: 10.1134/1.1187742.
Д.А. Бедарев, С.О. Когновицкий, В.В. Лундин Фотоиндуцированная самоорганизация галлиевых нанопроволок на поверхности GaN // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №10. - С. 13-18.
D.A. Bedarev, S.O. Kognovitskii, V.V. Lundin Photoinduced self-organization of gallium nanowires on a GaN surface
// Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №5. - P. 385-387.
DOI: 10.1134/1.1262491.
Growth and characterization of InGaN/GaN nanoscale heterostructures / W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov // Proceedings of the 7th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 14-18 June 1999). - Saint-Petersburg, 1999. – P. 485-488.
Surface-mode lasing from optically pumped InGaN/GaN heterostructures / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, V.A. Semenov, A. S. Usikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the 7th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 14-18 June 1999). - Saint-Petersburg, 1999. – P. 124-127.
I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, and Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Room-temperature photopumped InGaN/GaN/AlGaN vertical-cavity surface-emitting laser
// Applied Physics Letters. 1999. - V. 75. №9. - P. 1192-1194.
DOI: 10.1063/1.124638.
A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Surface-mode lasing from stacked InGaN insertions in a GaN matrix
// Applied Physics Letters. 1999. - V. 74. №26. - P. 3921-3923.
DOI: 10.1063/1.124224.
N. Shmidt, V. Emtsev, A. Kryzhanovsky, R. Kyutt, W. Lundin, D. Poloskin, V. Ratnikov, A. Titkov, A. Usikov, P.Girard Mosaic Structure and Si Doping Related Peculiarities of Charge Carriers Transport in III-V Nitrides
/ Proceedings of the Third International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) //
Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 581–586.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<581::AID-PSSB581>3.0.CO;2-G.
N. Shmidt, D. Davydov, V. Emtsev, I. Krestnikov, A. Lebedev, W. Lundin, D. Poloskin, A. Sakharov, A. Usikov, A. Osinsky Effect of Annealing on Defects in as-grown and g-ray Irradiated n-GaN Layers
/ Proceedings of the Third International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) //
Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 533–536.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<533::AID-PSSB533>3.0.CO;2-S.
I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Photopumped InGaN/GaN/AlGaN Vertical Cavity Surface Emitting Laser Operating at Room Temperature
/ Proceedings of the Third International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) //
Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 511–516.
DOI: (SICI)1521-3951(199911)216:1<511::AID-PSSB511>3.0.CO;2-7.
A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Optical Properties of Structures with Single and Multiple InGaN Insertions in a GaN Matrix
/ Proceedings of the Third International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) //
Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 435–440.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<435::AID-PSSB435>3.0.CO;2-O.
W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.V. Sakharov, V.V. Tretyakov, D.V. Poloskin, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann Growth and Characterization of Thick Si-doped AlGaN Epilayers on Sapphire Substrates
/ Proceedings of the Third International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) //
Physica Status Solidi (a). 1999. - V. 176. - P. 379–384.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<379::AID-PSSA379>3.0.CO;2-V.
А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова Лазерная генерация в вертикальном направлении в многослойных квантово-размерных InGaN/GaN гетероструктурах // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №12. - С. 1-9.
A.V. Sakharov, V.V. Lundin, V.A. Semenov, A.S. Usikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul’nikov, and M.V. Baidakova Lasing in the vertical direction in quantum-size InGaN/GaN multilayer heterostructures
// Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №6. - P. 462-465.
DOI: 10.1134/1.1262517.
А.Ф. Цацульников, Б.Я. Бер, А.П. Карташова, Ю.А. Кудрявцев, Н.Н. Леденцов, В.В. Лундин, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Ж.И. Алферов, A. Hoffmann Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №7. - С. 791-794.
A.F. Tsatsul’nikov, B.Ya. Ber, A.P. Kartashova, Yu.A. Kudryavtsev, N.N. Ledentsov, V.V. Lundin, M.V. Maksimov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov Investigation of MOVPE-grown GaN layers doped with As atoms
// Semiconductors. 1999. - V.33. №7. - P. 728-730.
DOI: 10.1134/1.1187770.
Characterization of the InGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD in argon ambient / A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, I.L. Krestnikov, M.V. Baidakova, V.V. Ratnikov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 57-60.
Growth and characterization of GaN and AlGaN layers doped with Si / W.V. Lundin N.M. Shmidt, A.S. Usikov, A. Kryzhanovskii, D.V. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.F. Sakharov, A.N. Titkov, V.V. Tretyakov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 53-56.
MOVPE growth of strain compensated Al0.15Ga0.85N/GaN Bragg mirrors on Al0.08Ga0.92N buffer layers / W.V. Lundin, A.S. Usikov, I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, M.V. Baidakova, V.V. Tret’iakov, N.N. Ledentsov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 49-53.
Catalytic effects in low-temperature MOVPE-growth of GaN nucleation layers on sapphire substrates / W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.V. Sakharov, V.V. Ratnikov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 45-48.
Incorporation of As in GaN layers during MOCVD growth / A.F. Tsatsul’nikov, B.Ya. Ber, A.P. Kartashova, Yu.A. Kudravtsev, N.N. Ledentsov, W.V. Lundin, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, A. Hoffmann, D.Bimberg // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 41-44.
Лазерная генерация в вертикальном направлении в гетероструктурах InGaN/GaN с распределенными Брэгговскими отражателями и без них / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, И.Л. Крестников, А.П. Карташова, В.А. Семенов, А.С. Усиков, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, А. Хоффманн, Д. Бимберг // Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 25-29 Октября 1999г.). – Новосибирск, 1999. – C. 266.
А.С. Усиков, В.В. Третьяков, В.В. Лундин, Ю.М. Задиранов, Б.В. Пушный, С.Г. Конников Исследование методом микрокатодолюминесценции ростовых особенностей эпитаксиальных GaN слоев на сапфире // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №7. - С. 9-17.
A.S. Usikov, V.V. Tret'yakov, V.V. Lundin, Yu.M. Zadiranov, B.V. Pushniy, S.G. Konnikov Investigation of the growth characteristics of epitaxial GaN layers on sapphire by microcathodoluminescence
// Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №4. - P. 253-256.
DOI: 10.1134/1.1262443.
В.Ю. Давыдов, В.В. Лундин, А.Н. Смирнов, Н.А. Соболев, А.С. Усиков, А.М. Емельянов, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №1. - С. 3-8.
V.Y. Davydov, W.V. Lundin, A.N. Smirnov, N.A. Sobolev, A.S. Usikov, A.M. Emel’yanov, M.I. Mockoviichuk, E.O. Parshin Influence of rapid high-temperature anneals on the photoluminescence of erbium-doped GaN in the wavelength interval 1.0-1.6 mm
// Semiconductors. 1999. - V.33. №1. - P. 1-5.
DOI: 10.1134/1.1187636.
N.M. Shmidt, A.V. Lebedev, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, V.V. Ratnikov, T.V. Shubina, A.A. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, G. Pozina, B. Monemar Effect of Si doping on structural, photo-luminescence and electric properties of GaN
/ Proceedings of the E-MRS’98 (Strasbourg, France, 16-19 June 1998)
// Materials Science and Engineering: B. 1999. - V. 59. №1-3. - P.
195-197.
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00400-0.
Патент РФ, № 2673515, патент на изобретение «Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы и устройство для его осуществления», Базаревский Д.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Талалаев Р.А., Цацульников А.Ф., Яковлев Е.В., дата приоритета 02.02.2017.
Патент РФ, № 169283, патент на полезную модель «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As», Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., дата приоритета 15.11.2016.
Патент РФ, № 169284, патент на полезную модель «Гетероструктурный полевой транзистор», Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., дата приоритета 15.11.2016.
Патент РФ, № 2650352, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 27.10.2016.
Патент РФ, № 2642472, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 05.10.2016.
Патент РФ, № 2650597, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 16.12.2015.
Патент РФ, № 2504048, патент на изобретение «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель», Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., дата приоритета 18.06.2012.
Патент РФ, патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель», Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., дата приоритета 18.06.2012.
Патент РФ, № 119165, патент на полезную модель «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)», Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Карпов С.Ю., дата приоритета 03.04.2012.
Патент РФ, № 102849, патент на полезную модель «Светоизлучающий кристалл», Лундин В.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Николаев А.Е., дата приоритета 06.10.2010.
Патент РФ, № 2426197, патент на изобретение «Нитридное полупроводниковое устройство», Ли С.С., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Хан Д.В., Парк Х.С., дата приоритета 04.03.2010.
Патент РФ, № 2414549, патент на изобретение «Способ выращивания слоя нитрида галлия и способ получения нитридного полупроводникового устройства», Ким Ч.С., Яковлев Е.В., Лундин В.В., Талалаев Р.А., дата приоритета 19.02.2009.
Патент РФ, № 2371806, патент на изобретение «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа», Парк Х.С., Синицын М.А., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Ли С.С., дата приоритета 20.03.2008.
Патент РФ, № 2369942, патент на изобретение «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника», Ли С.С., Синицын М.А., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Парк Х.С., дата приоритета 21.02.2008.
Patent on invention US patent 6993055 “Resonant cavity device array for WDM application and the fabrication method of the same”, Wang J.S., Wu Y.-T., Maleev N.A., Sakharov A.V., Kovsh A.R., priority date 13.12.2002.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2017630014 «Тестовый кристалл для контроля технологических параметров при изготовлении СВЧ микросхем на нитриде галлия», Цацульников А.Ф.
