http://www.ioffe.ru

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Российской академии наук

Центр физики наногетероструктур

index.html

Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

rfflag.jpg/ukflag.jpg

line

line

О группе

Сотрудники

Публикации

Оборудование

Подготовка
кадров

Сотрудничество

Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы

Ключевые специалисты:
Руководитель группы: Цацульников Андрей Федорович, д.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.:  +7 (812) 297-3182
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: andrew@beam.ioffe.ru

Лундин Всеволод Владимирович, к.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.:  +7 (812) 297-6866
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru

Сахаров Алексей Валентинович, к.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.:  +7 (812) 297-3182
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: val@beam.ioffe.ru

  Впервые в России работы по росту нитридов III группы методом МОС-гидридной эпитаксии из металлорганических соединений были начаты в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в 1995 году. К настоящему времени создан существенный задел в области разработки технологии различных типов гетероструктур, включая приборные гетероструктур для опто- и микроэлектроники. Сотрудники лаборатории имеют опыт эксплуатации различных типов установок МОС-гидридной эпитаксии, включая зарубежные установки компаний Aixtron (Германия) и Veeco (США). Совместно с Научно-технологическим центром микроэлектроники и субмикронных гетероструктур разработана и успешно эксплуатируется эпитаксиальная установка Dragon-125 собственной оригинальной конструкции. Разработка технологии и оборудования поддерживается компанией ООО "Софт-Импакт"STR Group, Inc, которая является мировым лидером в области моделирования процессов МОС-гидридной эпитаксии.

Основные направления научной деятельности: