http://www.ioffe.ru

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Российской академии наук

Центр физики наногетероструктур

index.html

Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

rfflag.jpg/ukflag.jpg

line

line

О группе

Сотрудники

Публикации

Оборудование

Подготовка
кадров

Сотрудничество

Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы

  Группа располагает современным технологическим оборудованием для эпитаксиального роста наногетероструктур на основе нитридов III группы методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС):

  Конструктивное сходство всех трех перечисленных установок для МОС-гидридной эпитаксии позволяет достаточно легко переносить разработанные технологические приемы между ними.

  Исследования структурных, оптических и электрических свойств эпитаксиальных структур на основе III-N осуществляются с использованием широкого набора методик.

В распоряжении группы находятся несколько измерительных рабочих станций для исследования физических свойств наногетероструктур на основе III-N:

Помимо установок, находящихся в распоряжении группы, для исследования физических свойств гетероструктур применяется оборудование, как находящееся в Центре коллективного пользования “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” ФТИ им. А.Ф. Иоффе, в СПб АУ НОЦН РАН, НТЦ микроэлектроники РАН, так и в рамках сотрудничества с зарубежными лабораториями. Парк оборудования постоянно пополняется и обновляется.