Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 21800
Цитируемость
суммарная 262469
на статью 12
Индекс Хирша 157
G-индекс 260
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23709
Цитируемость
суммарная 275078
на статью 11.6
Индекс Хирша 164
G-индекс 270
 

Основные достижения 2019 года

Перечень 

Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения

Илларионов,ЮЮ; Банщиков,АГ; Соколов,НС; Векслер,МИ
лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
лаб. спектроскопии твердого тела (Феофилова,СП)

Одним из путей дальнейшей миниатюризации элементов микроэлектроники является использование транзисторов с пленками двумерных материалов в качестве токонесущего канала. Однако предыдущие попытки реализации такого подхода не привели к желаемым результатам из-за большой плотности дефектов на интерфейсе 2D-полупроводник(MoS2) — аморфный диэлектрик. В настоящей работе показана возможность создания перспективных транзисторных структур на основе гетеросистемы MoS2/CaF2 на Si(111). Изготовленные образцы полевых транзисторов демонстрировали первоклассные характеристики (крутизна ~ 90мВ/дек, отношение токов включения/выключения до 107) [1] и достаточную надежность [2]. Это достигнуто за счет ультратонкого слоя кристаллического CaF2 с поверхностью (111), обладающей минимумом свободной энергии (и потому стабильной) и ван-дер-ваальсовым типом связи на границе с 2D-полупроводником, что позволяет выращивать бездефектные слои MoS2 даже при несоответствии параметров решетки полупроводника и флюорита.

Иллюстрации

Рис.1 (а) Условная схема сечения транзистора.(b) TEM изображениео бласти канала вблизи истокового электрода. (с) SEM изображение приборов. (d) Ток стока и туннельная утечка через фторид кальция. Типичные входные(е) и выходные(f) характеристики приборов.

Публикации

  1. Yu.Yu. Illarionov et al., Ultrathincalciumfluorideinsulatorsfortwo-dimensionalfield-effecttransistors, NatureElectronics, v. 2, pp. 230-235 (2019).
  2. Yu.Yu. Illarionovet al., Reliability of scalable MoS2 FETs with 2 nm crystalline CaF2 insulators, 2D Materials, v. 6, Paper No. 045004 (2019).
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе