Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 22316
Цитируемость
суммарная 275070
на статью 12.3
Индекс Хирша 159
G-индекс 266
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24171
Цитируемость
суммарная 286966
на статью 11.9
Индекс Хирша 167
G-индекс 276
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2019 года

Перечень 

Селективно настраиваемые фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения на метаморфных гетероструктурах

Калюжный,НА; Емельянов,ВМ; Евстропов,ВВ; Минтаиров,СА; Минтаиров,МА; Нахимович,МВ; Салий,РА; Шварц,МЗ
лаб. фотоэлектрических преобразователей (Андреева,ВМ)

Разработана МОС-гидридная технология метаморфных InGaAs гетероструктур и впервые созданы фотоэлектрические преобразователи мощного (до 15 Вт/см2) лазерного излучения (λ=1064 нм) с пиковым кпд более 50%. Метаморфные InGaAs/GaAs фотопреобразователи с расширенной до 1200 нм спектральной фоточувствительностью формируются на основе слоев твердых растворов In(Al)GaAs с содержанием индия 12—26%. Технология роста компенсирующих механические напряжения метаморфных слоев, обеспечила эффективный загиб дислокаций на их границах (вне зависимости от их числа). При этом значения рабочего напряжения в исследованном диапазоне составов «x» полностью соответствуют теоретическим значениям для ширины запрещенной зоны InxGa1-xAs материалов. Для достижения предельных значений тока и напряжения фотопреобразователя выполнена многофакторная оптимизация всех активных и функциональных слоев гетероструктуры. Найдены составы широкозонных материалов, позволяющие устранить потенциальные барьеры в зонной диаграмме и реальной структуре. На основе расчета диффузионных длин неосновных носителей заряда и исследования оптических характеристик приборов оптимизированы толщины активной области, найдены граничные значения In(Al)GaAs составов, для которых абсолютные значения диффузионного тока насыщения (и рабочего напряжения) максимальны при сохранении высокой спектральной чувствительности на λ=1064 нм.

Иллюстрации

Структура InGaAs/GaAs фотопреобразователя и ПЭМ изображение, демонстрирующее загиб дислокаций в метаморфных буферных слоях.

Спектральные зависимости фото-чувствительности InGaAs/GaAs фотопреобразователя

Фотоэлектрические параметры преобразователя лазерного излучения (Λ=1064 нм).

Публикации

  1. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M. A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, and M.Z. Shvarts, ?Thermal and resistive losses in InGaAs metamorphic laser (? = 1064 nm) power converters with over 50% efficiency?, AIP Conference Proceedings 2149, 050006 (2019)
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе