|
Основные достижения 2019 годаМалощумяшие гетерофотодиоды на основе InAsлаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs, полученные из двойных гетероструктур InAsSbP/InAs на подложках InAs c вырождением электронов в зоне проводимости, имеют красную границу фоточувствительности при 3.6 мкм и максимум чувствительности на длине волны 3.4 мкм (300К) — в области максимума поглощения углеводородов. В отличие от аналогов они имеют крайне малый уровень низкочастотного шума, например, S=10-25A2 см2/Гц (для f=10 Гц и фототока Фотодиоды могут применяться в низкотемпературных пирометрах, газоанализаторах углеводородов, например, анализаторов метана в шахтах, паров С2Н5ОН в выдохе человека, медицинских и научных исследованиях. Разработка готова к практическому применению, поскольку целый ряд организаций в России, например, Институт Технологий г. Бийска, уже провели работы по разработке анализаторов с использованием гетерофотодиодов на основе InAs. В настоящее время начинается финансирование международного проекта El Peacetolero для разработки анализаторов твердых тел с использованием упомянутых фотодиодов для применения на атомных станциях. В настоящее время ведется работа по получению российского патента на сенсор жидкостей и твердых тел, имеющий в своем составе разработанные фотодиоды, зарубежных патентов на разработку не имеется.
Публикации
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|