Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 21800
Цитируемость
суммарная 262469
на статью 12
Индекс Хирша 157
G-индекс 260
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23709
Цитируемость
суммарная 275078
на статью 11.6
Индекс Хирша 164
G-индекс 270
 

Основные достижения 2019 года

Перечень 

Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs

Карандашев,СА; Левинштейн,МЕ; Матвеев,БА; Ременный,МА
лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Андреева,ИА)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs, полученные из двойных гетероструктур InAsSbP/InAs на подложках InAs c вырождением электронов в зоне проводимости, имеют красную границу фоточувствительности при 3.6 мкм и максимум чувствительности на длине волны 3.4 мкм (300К) — в области максимума поглощения углеводородов. В отличие от аналогов они имеют крайне малый уровень низкочастотного шума, например, S=10-25A2 см2/Гц (для f=10 Гц и фототока
I=10-5A), соответственно, высокие значения обнаружительной способности, что позволяет создавать фотометрическую аппаратуру с высоким отношением сигнал/шум.

Фотодиоды могут применяться в низкотемпературных пирометрах, газоанализаторах углеводородов, например, анализаторов метана в шахтах, паров С2Н5ОН в выдохе человека, медицинских и научных исследованиях.

Разработка готова к практическому применению, поскольку целый ряд организаций в России, например, Институт Технологий г. Бийска, уже провели работы по разработке анализаторов с использованием гетерофотодиодов на основе InAs. В настоящее время начинается финансирование международного проекта El Peacetolero для разработки анализаторов твердых тел с использованием упомянутых фотодиодов для применения на атомных станциях.

В настоящее время ведется работа по получению российского патента на сенсор жидкостей и твердых тел, имеющий в своем составе разработанные фотодиоды, зарубежных патентов на разработку не имеется.

Публикации

  1. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev and M.A. Remennyi, Low frequency noise in reverse biased P-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes, Semicond. Sci. Technol.34 (2019) 015013 (5 pp).
  2. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev and M.A. Remennyi, Room temperature low frequency noise in n + -InAs/n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP double heterostructure infrared photodiodes, October 2019, Semiconductor Science and Technology 34(10):105015
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе