Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18663
Цитируемость
суммарная 201548
на статью 10.8
Индекс Хирша 140
G-индекс 229
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20446
Цитируемость
суммарная 218596
на статью 10.7
Индекс Хирша 147
G-индекс 241
 

Основные достижения 2013 года

Перечень 

Люминесцентная связь в многопереходных гетероструктурах: её природа, механизмы и потенциальные возможности для повышения эффективности (кпд) солнечных элементов

Шварц,МЗ; Евстропов,ВВ; Емельянов,ВМ; Минтаиров,МА; Лантратов,ВМ; Тимошина,НХ
лаб. фотоэлектрических преобразователей (Андреева,ВМ)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
лаб. наноструктурных солнечных элементов (Луке Лопеса,АИ)

Для находящихся в оптическом контакте фотовольтаических p-n переходов (субэлементов), входящих в состав монолитной многопереходной гетероструктуры, исследован эффект люминесцентной связи, определяемый появлением наведенного тока в узкозонном субэлементе вследствие поглощения люминесценции из широкозонного субэлемента. Разработана физическая модель эффекта и определены закономерности процессов самопоглощения, переизлучения, одноциклирования и рециклирования электролюминесцентного излучения, установлены факторы, влияющие на результативность связи, и предложены способы ее увеличения и использования для диагностики многопереходных СЭ и составляющих их отдельных субэлементов. Предложен метод экспериментального исследования эффекта люминесцентной связи в многопереходных GaInP/GaAs/Ge СЭ при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Проведена оценка величины результативности люминесцентной связи внутри InGaP-GaAs и GaAs-Ge оптопар, и показано, что излучательная рекомбинация в GaInP может повышать фототок GaAs субэлемента на 5-9%, а в переизлучение из GaAs ? обеспечивать прирост фототока Ge субэлемента на 50-55%.

Яндекс.Метрика
© 2005–19 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе