Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17168
Цитируемость
суммарная 176537
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183144
на статью 9.8
Индекс Хирша 132
G-индекс 221
 

Основные достижения 2013 года

Перечень 

Люминесцентная связь в многопереходных гетероструктурах: её природа, механизмы и потенциальные возможности для повышения эффективности (кпд) солнечных элементов

Шварц,МЗ; Евстропов,ВВ; Емельянов,ВМ; Минтаиров,МА; Лантратов,ВМ; Тимошина,НХ
лаб. фотоэлектрических преобразователей (Андреева,ВМ)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
лаб. наноструктурных солнечных элементов (Луке Лопеса,АИ)

Для находящихся в оптическом контакте фотовольтаических p-n переходов (субэлементов), входящих в состав монолитной многопереходной гетероструктуры, исследован эффект люминесцентной связи, определяемый появлением наведенного тока в узкозонном субэлементе вследствие поглощения люминесценции из широкозонного субэлемента. Разработана физическая модель эффекта и определены закономерности процессов самопоглощения, переизлучения, одноциклирования и рециклирования электролюминесцентного излучения, установлены факторы, влияющие на результативность связи, и предложены способы ее увеличения и использования для диагностики многопереходных СЭ и составляющих их отдельных субэлементов. Предложен метод экспериментального исследования эффекта люминесцентной связи в многопереходных GaInP/GaAs/Ge СЭ при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Проведена оценка величины результативности люминесцентной связи внутри InGaP-GaAs и GaAs-Ge оптопар, и показано, что излучательная рекомбинация в GaInP может повышать фототок GaAs субэлемента на 5-9%, а в переизлучение из GaAs ? обеспечивать прирост фототока Ge субэлемента на 50-55%.

© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика