Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24970
Цитируемость
суммарная 322232
на статью 12.9
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27989
Цитируемость
суммарная 345341
на статью 12.3
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 362, страниц: 73
Программа для моделирования насыщения неустойчивости необыкновенной волны, приводящей к возбуждению одной локализованной волны, в результате каскада вторичных распадов и истощения накачки
Свидетельство РФ #2022667316 от 19 сентября 2022, тип: Программы для ЭВМ
Попов,АЮ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Попов,АЮ
Подразделения: Попова,АЮ
Программа для полноволнового моделирования распространения и поглощения ВЧ волн промежуточного частотного диапазона в двумерно-неоднородной плазме токамака
Свидетельство РФ #2022667315 от 19 сентября 2022, тип: Программы для ЭВМ
Ирзак,МА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Ирзак,МА
Подразделения: Попова,АЮ
Программа для моделирования генерации безындукционного тока в плазме токамака с помощью волн промежуточного частотного диапазона (медленных волн и геликонов) с учетом остаточного электрического поля
Свидетельство РФ #22022667127 от 14 сентября 2022, тип: Программы для ЭВМ
Теплова,НВ; Трошин,ГА; Гусаков,ЕЗ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Теплова,НВ, Трошин,ГА, Гусаков,ЕЗ
Подразделения: Гусакова,ЕЗ, Гурченко,АД, Гусакова,ЕЗ
Способ определения расстояния между nv дефектом и замещающим азотом n в кристалле алмаза
Патент РФ #2775869 от 11 июля 2022, тип: Изобретение
Бабунц,РА; Анисимов,АН; Яковлева,ВВ; Бреев,ИД; Бундакова,АП; Музафарова,МВ; Баранов,ПГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Бабунц,РА, Анисимов,АН, Яковлева,ВВ, Бреев,ИД, Бундакова,АП, Музафарова,МВ, Баранов,ПГ
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Мохова,ЕН, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе графена и способ его изготовления
Патент РФ #2775201 от 28 июня 2022, тип: Изобретение
Рабчинский,МК; Варежников,АС; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Столярова,ДЮ; Соломатин,МА; Савельев,СД; Кириленко,ДА; Стручков,НС; Брунков,ПН; Павлов,СИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Савельев,СД, Кириленко,ДА, Брунков,ПН, Павлов,СИ
Подразделения: Брункова,ПН, Брункова,ПН, Брункова,ПН, Брункова,ПН, Брункова,ПН, Брункова,ПН
firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе