Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17727
Цитируемость
суммарная 185664
на статью 10.5
Индекс Хирша 133
G-индекс 220
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19321
Цитируемость
суммарная 194865
на статью 10.1
Индекс Хирша 138
G-индекс 228
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 169, страниц: 34
Полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов
Патент РФ  #84158 от 10 октября 2008, тип: Полезная модель
Аристов,ЮВ; Коротков,СВ; Люблинский,АГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ, Коротков,СВ, Люблинский,АГ
Подразделения: Короткова,СВ, Короткова,СВ, Грехова,ИВ
Устройство для определения положения объекта
Патент РФ #75733 от 20 августа 2008, тип: Полезная модель
Гук,ЕГ; Подласкин,БГ; Васильев,АВ
Правообладатели: ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Гук,ЕГ, Подласкин,БГ
Подразделения: Подласкина,БГ, Подласкина,БГ
Устройство для получения потока плазмы
Патент РФ #2330393 от 27 июля 2008, тип: Изобретение
Воронин,АВ
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Воронин,АВ
Подразделения: Гусакова,ЕЗ
Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
Патент РФ #2326993  от 20 июня 2008, тип: Изобретение
Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
Правообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
Авторы-сотрудники ФТИ: Жиляев,ЮВ, Бессолов,ВН
Подразделения: Жиляева,ЮВ, Иванова,СВ
Способ очистки наноалмазов
Патент РФ #2322389 от 20 апреля 2008, тип: Изобретение
Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ, Вуль,АЯ, Яговкина,МА
Подразделения: Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Конникова,СГ
firstback10prev 31 32 33 34nextlast
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика