Исследование фотоэлектрических гетероструктур на основе GaSb и InP. Руководитель(и): Потапович,НС, лаб. фотоэлектрических преобразователей 2013–2015Тип: исследовательскийКод РФФИ: 13-08-00958
123
Широкозонные полупроводники SiC, GaN, AlN: рост, легирование, микроволново-оптическая диагностика Руководитель(и): Мохов,ЕН, лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи 2013–2015Тип: исследовательскийКод РФФИ: 13-02-00802
124
Теоретическое и экспериментальное исследование токов в канале пробоя полимерных диэлектрических пленок. Руководитель(и): Закревский,ВА, лаб. элементарных процессов разрушения 2013–2015Тип: исследовательскийКод РФФИ: 13-08-00448
125
Исследования по увеличению эффективности солнечных фотоэлектрических систем с учетом эффектов фотонного переноса возбуждения и "электрического" охлаждения Руководитель(и): Румянцев,ВД, лаб. фотоэлектрических преобразователей 2013–2015Тип: исследовательскийКод РФФИ: 13-03-00758
126
Развитие физических основ инженерии дефектов в технологии светодиодов с люминесценцией, обусловленной протяженными структурными дефектами, редкоземельными ионами и зона-зонными переходами, для кремниевой оптоэлектроники Руководитель(и): Соболев,НА, лаб. физики полупроводниковых приборов 2013–2015Тип: исследовательскийКод РФФИ: 13-02-00473