http://www.ioffe.ru

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Российской академии наук

Центр физики наногетероструктур

index.html

Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

rfflag.jpg/ukflag.jpg

line.jpg

line.jpg

Сотрудники

Публикации

Награды

События

Контакты

  Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур является подразделением Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Руководство лабораторией осуществляет Член-корреспондент РАН, Доктор физико-математических наук, профессор Виктор Михайлович Устинов.

ustinovmbem.jpg

  Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур была образована в ФТИ им. А.Ф Иоффе в 1999 г. Нобелевским лауреатом, академиком Ж.И. Алферовым (приказ № 705-к от 28.12.1999 г.).
  Развитие технологии получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 является одним из важнейших направлений современных нанотехнологий. Такие наногетероструктуры служат основой для создания полупроводниковых приборов для современной твердотельной электроники и оптоэлектроники.
  Основными направлениями работы лаборатории являются разработка технологии эпитаксиального роста А3В5 и III-N гетероструктур методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и газофазной эпитаксии из металл-органических соединений (ГФЭ МОС), создание и исследование приборов на основе таких гетероструктур.
  В настоящее время тематика лаборатории охватывает следующие фундаментальные и прикладные направления:

Исследования в лаборатории проводятся в сотрудничестве с другими подразделениями ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Российскими и зарубежными научными организациями. Результаты научно-исследовательской деятельности сотрудников лаборатории опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов. Исследования проводятся при финансовой поддержке национальных и международных организаций, таких как РФФИ, РАН (программы Президиума РАН), Министерства образования и науки РФ, и др. Достижения коллектива нашли отражение в приглашенных докладах на авторитетных российских и международных конференциях, в присуждении сотрудникам национальных и международных премий и зарегистрированных результатах интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патентах).
  Сотрудниками лаборатории были организованы ряд инновационных компаний, внедряющих разработки лаборатории: Innolum GmbH (Германия), VI Systems GmbH (Германия), ООО «Коннектор Оптикс» (С.-Петербург), ЗАО «Оптоган» (в настоящее время ООО «ЛЕД-Энергосервис», С.-Петербург), ООО «Монолюм» (С.-Петербург).
  Сотрудники лаборатории были инициаторами и входят в организационный и программный комитеты Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы».
  В штате лаборатории состоят 33 научных сотрудника, включая 3-х Членов - корреспондентов Российской Академии Наук, 6 докторов и 15 кандидатов наук. В научно-исследовательской работе, проводимой в лаборатории постоянно участвуют аспиранты ФТИ им. А.Ф.Иоффе и студенты Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова, Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого и Академического университета (СПбАУ РАН).

Старый сайт лаборатории Физики полупроводниковых гетероструктур.