Конференция (школа-семинар)
по физике и астрономии
для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада

Санкт-Петербург, 29—30 октября 2009 года
seminar@mail.ioffe.ru

 

 

IOP publishing

ФотогалереяФизикА.СПб. фотогалерея

Карта проведения конференцииКарта проведения Конференции

Важные даты

20 июля 
— начало регистрации участников

21 сентября 
— срок подачи тезисов

5 октября 
— извещение о принятых докладах

12 октября 
— размещение программы на сайте

29—30 октября
— проведение конференции

2 ноября 
— размещение сборника трудов и фото-отчета о конференции на сайте

 

Молодежная конференция 2009 года продолжает традицию Итоговых семинаров по физике и астрономии по результатам конкурсов грантов для молодых ученых Санкт-Петербурга, проводившихсяв Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе и Научно-образовательном центрев течение более десяти лет, с середины 90-х.

Победители конкурса докладов

За лучший доклад

  • Яников Михаил Владимирович
  • Исследование особенностей процесса роста фотонно-кристаллических структур на основе опаловых матриц методом брэгговского отражения
  • Барсунова Ольга Юрьевна
  • Обнаружение малоамплитудных колебаний блеска уникальной затменной системы V718 Per
  • Грачева Ирина Евгеньевна
  • Диагностика полупроводниковых газочувствительных наноструктурированных композитов с многоуровневой системойпор методами атомно-силовой микроскопии и тепловой десорбции

За лучший стендовый доклад

  • Шнайдер Анна Александровна
  • Квазирешеточная модель. Учет короткодействующих частей межатомных потенциалов и вакансий
  • Богданов Андрей Андреевич
  • Разработка квантового каскадного лазера, работающего на моде поверхностного плазмон-поляритона с отрицательной дисперсией
  • Долиндо Наталия Ивановна
  • Аккреция межзвездной и межпланетной пыли как важный источник предбиологической органики на ранней Земле

За научные результаты, обладающие существенной новизной

и среднесрочной перспективой их эффективной коммерциализации

  • Тимофеева Мария Алексеевна
  • Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
  • Кудрявцев Андрей Александрович
  • Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур
  • Байрамов Фарид Бахыш оглы
  • Лазерная спектроскопия полупроводниковых наноструктур, функционализированных раковыми клетками MDA-MB-435, для нанобиометрических применений и ранней диагностики социально значимых болезней
  • Шаталина Евгения Сергеевна
  • Сравнительный анализ механизмов эмиссии носителей из In(Ga)As квантовых точек
  • Салий Роман Александрович
  • Германиевые p-n переходы, сформированные при МОС-гидридной эпитаксии для термофотовольтаических преобразователей и трехпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge
  • Усов Сергей Олегович
  • Создание светодиодов зеленого диапазона на основе соединений InGaN/GaN
  • Рожавская Мария Михайловна
  • Гетероструктуры InGaN/AlGaN для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона
  • Григорьев Роман Игоревич
  • Особенности режима синхронизациимод в лазерных диодах на квантовых ямах с расширенным волноводом
  • Черняк Кирилл Григорьевич
  • Пороговая бистабильность в поверхностно стабилизированной ячейке шевронного смектика С* во внешнем электрическом поле
  • Дробышевский Михаил Эдуардович
  • Особенности реакции фотоэлектронных умножителей на фоновое космическое излучение
  • Клионский Дмитрий Михайлович
  • Применение технологии Data Mining при анализе функционирования и контроле состояния сложных динамических объектов
  • Надточий Алексей Михайлович
  • Вертикально излучающий лазер на основе субмонослойных наноразмерных включений InAs/AlGaAs диапазона 850 нм для высокоскоростной (20 Гб/c) передачи данных
  • Подоскин Александр Александрович
  • Мощные импульсные диодные лазеры для систем оптического мониторинга
  • Грачева Ирина Евгеньевна
  • Диагностика полупроводниковых газочувствительных наноструктурированных композитов с многоуровневой системойпор методами атомно-силовой микроскопии и тепловой десорбции
  • Богданов Андрей Андреевич
  • Разработка квантового каскадного лазера, работающего на моде поверхностного плазмон-поляритона с отрицательной дисперсией
  • Кафидова Галина Александровна
  • Разработка и исследование дифференциальной модели оптического спекл-пульсометра
  • Савенко Алексей Юрьевич
  • Создание манипуляторов для объектов микро- и нано-технологии с помощью фокусированного ионного пучка
  • Карпова Светлана Сергеевна
  • Спектроскопия полной проводимости газочувствительных наноструктур для мультисенсорных систем
  • Резикян Арам Григорович
  • Электронная микроскопия с атомной фокусировкой
  • Няпшаев Илья Александрович
  • Атомно-силовая микроскопия мягких объектов с помощью наноколлоидного зонда

Программа

Устные сессии

Физико-Технический институт им. А. Ф. Иоффе

 

29 октября

 

09:00 – 10:00 Регистрация участников
10:00 – 10:15  Открытие
10:15 – 10:45 Варшалович Д.А. Пленарный доклад: 2009год — Международныйгод астрономии
10:45 – 11:50  Секция «Физика плазмы»
Председатель: проф. Владимир Александрович Рожанский (СПбГПУ)

Устные доклады

Время Докладчик Учреждение Название доклада
10:45 –
11:05
Куприенко Д.В. ФТИ Приглашенный доклад: Развитие томсоновской диагностики плазмы с помощью многопроходного лазерного зондирования
11:05 –
11:20
Косолапова Н.В. ФТИ Методика восстановления спектров микро-турбулентности плотности плазмы по данным радиальной корреляционной рефлектометрии
11:20 –
11:35
Пинчук М. Э. ИЭЭ РАН Рентгено-импульсное просвечивание сильноточного разрядав плотном газе

11:35 – 11:50 Устная презентация стендовых докладов
11:50 – 12:10 Перерыв, чай кофе

12:10 - 12:30 Сыромятников А.В. Приглашенный доклад: Элементарные возбужденияв двумерном антиферромагнетикев сильном магнитном поле
12:30 – 13:45  Секция «Полупроводниковые лазеры»
Председатель: член-корр.РАН Виктор Михайлович Устинов

Устные доклады

Время Докладчик Учреждение

Название доклада

12:30 –
12:45
Надточий А.М. ФТИ Вертикально излучающий лазер на основе субмонослойных наноразмерных включений InAs/AlGaAs диапазона 850 нм для высокоскоростной (20 Гб/c) передачи данных
12:45 –
13:00
Подоскин А.А. ФТИ Мощные импульсные диодные лазеры для систем оптического мониторинга
13:00 –
13:15
Гронин С.В. ФТИ Лазерные гетероструктуры на основе ZnSe с волноводом с плавным изменением показателя преломления для накачки электронным пучком.

13:15 – 13:45 Устная презентация стендовых докладов

13:45 – 14:45 Обед

 

14:45 – 16:20  Секция «Физика твёрдого тела и физика полупроводников»
Председатель: академик Роберт Арнольдович Сурис (ФТИ)

Устные доклады

Время

Докладчик

Учреждение

Название доклада

14:45 –
15:05
Дунаевский М.С. ФТИ Приглашенный доклад: Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных структур: диагностика и литография
15:05 –
15:20
Грачева Е.А. СПбГЭТУ Диагностика полупроводниковых газочувствительных наноструктурированных композитов с  многоуровневой системойпор методами атомно-силовой микроскопии и тепловой десорбции
15:20 –
15:35
Захаров М.А. НГУ Моделирование диаграмм состояния бинарных растворов эвтектического типа на основе обобщенной решеточной модели
15:35 –
15:50
Яников М.В. ПГПУ Исследование особенностей процесса роста фотонно-кристаллических структур на основе опаловых матриц методом брэгговского отражения

15:50 – 16:20 Устная презентация стендовых докладов
16:20 – 18:00 Первая стендовая сессия
18:30 – 21:00 Фуршет

 

Дом Ученыхв Лесном

 

30 октября  

 

10:00 – 10:30 Арсеев П.И. Пленарный доклад: «Нестационарные токи в туннельных структурах - пример квантовой кинетики»

10:30 – 11:35 Секция «Современная Космология» 
Председатель: проф. Александр Всеволодович Блинов (СПбГПУ)

Устные  доклады

Время

Докладчик

Учреждение

Название  доклада

10:30 – 10:50 Иванчик А.В. ФТИ Приглашенный  доклад:
Ключевые открытия космологии
10:50 – 11:05 Барсунова О.Ю. ГАО Обнаружение малоамплитудных колебаний блеска уникальной затменной системы V718 Per
11:05 – 11:20 Ловягин Н.Ю. СПбГУ Моделирование и выявление фрактальных структур в пространственном распределени и  галактик
11:20 – 11:35 Прохоренко  С.О. ИПАН Учёт  влияния лунных приливов в модели орбитально-вращательного движения Луны.

11:35 – 11:55 Устная презентация стендовых докладов

11:55 – 12:15 Перерыв,чай кофе

12:15 – 13:40 Секция «Физика твёрдого тела и физика полупроводников»  
Председатель: член-корр.РАН Петр Иварович Арсеев

Устные  доклады

Время Докладчик Учреждение Название доклада
12:15 – 12:35 Югова И.А. СПбГУ Приглашенный  доклад:
Синхронизация электронной спиновой прецессиив квантовых точках
12:35 – 12:50 Пшенай-Северин  Д.А. ФТИ Влияние туннелирования на термоэлектрическую эффективность наноструктурированных  полупроводниковых материалов
12:50 – 13:05 Саласюк А.С. ФТИ Долгоживущие  гиперзвуковые моды в трехмерных гиперзвуковых фотонно-фононных кристаллах на основе синтетических опалов.
13:05 – 13:20 Николаев  В.В. ФТИ Влияние размерной неоднородности ансамбля квантовых точек на форму плотности оптических переходов
13:20 – 13:40 Тарасенко С.А. ФТИ Приглашенный  доклад:
Взаимодействие акустических солитонов с носителями зарядав полупроводниках

13:40 — 14:20 Обед

14:20 – 15:30 Вторая стендовая сессия

15:30 – 16:00 Церемония закрытия, награждение лучших докладчиков, вручение дипломов по конкурсу У.М.Н.И.К.

Стендовые сессии

Физико-Технический институт им.А.Ф. Иоффе

 

29 октября

 

ПРОГРАММА ПЕРВОЙ СТЕНДОВОЙ СЕССИИ

16:20 – 18:00
Секция «Физика твердого тела и физика полупроводников»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

1.10 Тимофеева М.А. СПбГПУ Нелинейные эффекты при  росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
1.11 Чижова Е.В. ИАП РАН Элементное картирование поверхности методом рентгенофлуоресцентного микроанализа.
1.12 Кудрявцев А.А. ФТИ Квантование сверхтока и  андреевское отражениев кремниевых наноструктурах
1.13 Кудрявцев А.А. ФТИ Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур
1.14 Байрамов Ф.Б. ФТИ Лазерная спектроскопия полупроводниковых наноструктур, функционализированных раковыми клетками MDA-MB-435, для  нанобиометрических применений и ранней диагностики социально значимых болезней
1.15 Шаталина Е.С. АФТУ Сравнительный анализ механизмов эмиссии носителейиз In(Ga)As квантовых точек
1.16 Кукин А.В. СПбГЭТУ Формирование и свойства наночастиц аморфного кремния, получаемых методом лазерного электродиспергирования
1.17 Коняхин С.В. СПбГПУ Использование спектров экстинкции гидрозолей наноалмазов при характеризации частиц по размерам
1.18 Кудряшов Д.А. ФТИ Исследование технологии выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия на германиевой подложке методом газофазной эпитаксиииз металлорганических соединений
1.19 Плясцов С.А. СПбГПУ Влияние примеси на  диэлектрический отклик нанокомпозитного сегнетоэлектрика нитрита натрия.
1.20 Бельтюков Я.М. СПбГПУ Универсальные характеристики колебательных спектров аморфных твердых тел
1.21 Сарангов С.В. СПбГУ Компьютерное моделирование температурной зависимости спектров люминесценции массивов квантовых точек
1.22 Карпова С.С. СПбГЭТУ Спектроскопия полной проводимости газочувствительных наноструктур для мультисенсорных систем
1.23 Самосват Д.М. ФТИ Деструктивная интерференция Оже-рекомбинациив квантовых точках при низких температурах
1.24 Зеленцов К.С. АФТУ Определение эффективной высоты потенциального барьерав GaInP гетероструктурах с помощью метода спектроскопии полной проводимости.
1.25 Морозов А.А. СПбГУ Компьютерное моделирование колебательных спектров нанокристалловCdS 
1.26 Бурковский Р.Г. СПбГПУ Анизотропное диффузное рассеяниев сегнетоэлектриках релаксорах
1.27 Власова А.Н. СПбГПУ Влияние малых добавок метафосфата бария на структуру и свойства фторалюминатных стекол
1.28 Петров Д.В. ФТИ Взаимодействие волн пространственного заряда с магнитным полемв GaAs:Cr и InP:Fe
1.29 Русанов А.А. ФТИ Управление процессом выращивания кристаллов методом низкого уровня расплава
1.30 Николаев Д.А. СПбГЭТУ ВИМС-анализ низкоразмерных структур с помощью растрава косого шлифа
1.31 Шумилин А.В. ФТИ О влиянии диполь-дипольного взаимодействия ядер на амплитуду дипольногоэха в стеклахв  магнитном поле.
1.32 Петров М.И. АФТУ Исследование зарядопереносав силикатных стеклахв процессе термо-электрополевой модификации.
1.33 Устинов А.Б. СПбГПУ Электронная оже-спектроскопия с разрешением по спину системы Bi?FeNi3(110)
1.34 Потапова Н.М. НГУ Обобщённая решёточная модель гетерогенных состоянийв многокомпонентных растворах
1.35 Колесникова Е.В. ФТИ Формирование нанокластеров кремнияв аморфном диоксиде кремнияпод воздействием электронного зонда высокой удельной мощности.
1.36 Шнайдер А.А. НГУ Квазирешеточная модель. Учет короткодействующих частей межатомных потенциалов и вакансий
1.37 Трифонов С.В. ПГПУ Фазовый переходв  системе наночастиц йодав регулярной пористой матрицеAFI 

 

Секция «Полупроводниковые приборы и структуры»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

3.1 Салий Р.А. СПбГЭТУ Германиевые p-n переходы, сформированные при МОС-гидридной эпитаксии для термофотовольтаических преобразователей и трехпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge
3.2 Усов С.О. НТЦМЭ при ФТИ Создание светодиодов зеленого диапазона на основе соединений InGaN/GaN
3.3 Рожавская М.М. АФТУ Гетероструктуры InGaN/AlGaN для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
3.4 Мусалинов С.Б. АФТУ Факторы, влияющие на  ток короткого замыкания многопереходных солнечных элементов.
3.5 Блохин С.А. СПбФТНОЦ AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур с  вертикально-связанными InGaAs квантовыми точками
3.6 Гагис Г.С. ФТИ Получение и  исследование пятерных твёрдых растворов AlGaInAsSb и GaInAsPSb для оптоэлектронных устройств на длины волн 3-5 мкм

Секция «Полупроводниковые лазеры»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

4.5 Кузнецов А.М. АФТУ Численное моделирование оптическихмод резонатора для создания торцевых полупроводниковых лазеров нового типа
4.6 Григорьев Р.И. СПбГПУ Особенности режима синхронизациимод вЛД наКЯ с расширенным волноводом
4.7 Шашкин И.С. ФТИ Температурная делокализация носителей зарядав полупроводниковых лазерах
4.8 Богданов А.А. ФТИ Разработка квантового каскадного лазера, работающего на моде поверхностного плазмон-поляритона с  отрицательной дисперсией.
4.9 Дюделев В.В. ФТИ Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров с квантоворазмерной активной областью с несколькими уровнями размерного квантования.
4.10 Золотова К.К. СПбГПУ Исследование распространения пространственно-инвариантных (Бесселевых) пучковот  полупроводниковых лазеров с широким полоском

 

Секция «Актуальные проблемы современной науки и техники»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

5.1 Ходюк И.В. СПбГПУ Разработка, создание и  применение новых сцинтилляционных материалов
5.2 Гаин С.Д. СПбГПУ Сцинтилляционные свойства оптических керамик на основе BaF2, легированных Ce,Cd иSc 
5.3 Няпшаев И.А. ФТИ Атомно-силовая микроскопия мягких объектов с помощью наноколлоидного зонда.
5.4 Черняк К.Г. СПбГУ Пороговая бистабильностьв поверхностно стабилизированной ячейке шевронного смектика С* во внешнем электрическом поле
5.5 Ершов Т.Д. СПбГПУ Разработка квадрупольного масс-спектрометра для аналитических измеренийв медицине.
5.6 Ганго С.Е. СПбГИЭУ Филиалв г.Псков Измерение термо-э.д.с. микрообразцов импульсным методом
5.7 Нестеренок АВ. ФТИ Радиоуглеродв  антарктических льдах: образование мюонной компонентой космических лучей на  больших глубинах
5.8 Крестьянинов Д.А. СПбГПУ Электрофизическое компактирование дисперсных металлических сред
5.9 Дробышевский М.Э. ФТИ Особенности реакции фотоэлектронных умножителей на фоновое космическое излучение
5.10 Клионский Д.М. СПбГЭТУ Применение технологии Data Mining при анализе функционирования и контроле состояния сложных динамических объектов
5.11 Турубанов М.А. СПбГУАП Сканер-анализатор постоянного магнитного поля
5.12 Бычков А.Б. СПбГУ Схема расчета вероятностей фотовозбуждения и фотоионизации атома водородапод действием ультракоротких импульсов
5.13 Резикян А.Г. СПбГУ Электронная микроскопия с атомной фокусировкой
5.14 Метельский К.Е. СПбГУ Электрический разрядв  электродинамической дисперсной среде (ЭДДС) частиц металлов

 


Дом Ученыхв  Лесном

 

30 октября

 

ПРОГРАММА ВТОРОЙ СТЕНДОВОЙ СЕССИИ

14:20 – 15:30

Секция «Физика твердого тела и физика полупроводников»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

1.38 Кузнецова Я.В. ФТИ Разработка метода диагностики слоев и структур на основе AlInGaN локальными методами
1.39 Савенко А.Ю. СПбГЭТУ Создание манипуляторов для объектов микро- и нанотехнологии с помощью фокусированного ионного пучка
1.40 Москвин Е.В. ПИЯФ Кроссовер динамики критических флуктуацийв MnSi
1.41 Четвериков Ю.О. ПИЯФ Поверхностное взаимодействие Дзялошинского Морияв Y/Dy сверхрешетках

Секция «Современная космология»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

2.5 Смирнова В.В. СПбГУ Динамические характеристики миллиметровой части микроволновых солнечных радиовсплесков
2.6 Сиклицкая А.В. АФТУ Эволюция наноразмерной высокотетраэдрической компоненты межзвездной среды
2.7 Демидова Т.В. ГАО Численное моделирование фотометрической активности двойных систем на ранних стадияхих эволюции
2.8 Мильков Д.А. ГАО Векторная и одношаговая схемы прогнозов Параметров вращения Земли, выполненные с использованием искусственных нейронных сетей.
2.9 Долиндо Н.И. АФТУ Аккреция межзвездной и  межпланетной пыликак важный источник предбиологической органики на ранней Земле
2.10 Кауров А.А. СПбГПУ Трёхмерное распределение галактикиз каталога SDSS и анализ пространственной крупномасштабной структуры
2.11 Цветкова А.Е. ФТИ Гравитационное линзирование гамма-всплесков.
2.12 Смирнов Е.А. ГАО Прогнозирование движения астероида 2004MN4 «Апофис»
2.13 Судов Л.Н. СПбГУ Уравнение Кеплерав  близпараболическом случае
2.14 Вдовина М.А. ФТИ Лабораторное моделирование физико-химических процессов на поверхности Марса с целью определенияих пригодности для существования примитивных форм жизни

Секция «Актуальные проблемы современной науки и техники»


No стенда

Докладчик

Учреждение

Название доклада

5.15 Кафидова Г.А. СПбГПУ Разработка и  исследование дифференциальной модели оптического спекл–пульсометра
5.16 Воробьев С.И. ПИЯФ Исследование фазовых переходов и распределения локальных магнитных полей muSR-методом
5.17 Колтунов О.С. СПбГПУ Перспективы получения полей мегагауссного диапазонав двухмодульных квазибессиловых магнитных системах
5.18 Стогов А.Ю. ИЭЭ РАН Исследование физико-химических свойств оксидных наночастиц металлов и их водных дисперсий, получаемыхв результате электроразрядной обработки воды,от параметров электрических импульсных разрядов с целью получения наночастиц с заданными свойствами
5.19 Поняев С.А. ФТИ Управление сверхзвуковым потоком с помощьюМГД методов
5.20 Зубцов В.И. Полоцкий госуниверситет Разработка твёрдотельных пьезодатчиков контроля статического напряжённого состояния деформируемых сред

Организаторы

Программный комитет

Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе) - председатель
Варшалович Дмитрий Александрович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Воробьев Леонид Евгеньевич (СПбГПУ)
Карачинский Леонид Яковлевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе,СПб ФТНОЦ РАН)
Кучинский Владимир Ильич (СПбГЭТУ,ФТ И им. А.Ф.Иоффе)
Новожилов Виктор Юрьевич (СПбГУ)
Пихтин Никита Александрович (ООО «Эльфолюм»,ФТ И им. А.Ф. Иоффе)
Рудь Василий Юрьевич (СПбГПУ)
Соколовский Григорий Семенович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, IEEE LEOS)
Сурис Роберт Арнольдович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Тарасенко Сергей Анатольевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)

Организационный комитет

Соколовский Григорий Семенович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, IEEE LEOS) - председатель
Азбель Александр Юльевич (КЦФЕ)
Домрачева Яна Вениаминовна (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Дюделев Владислав Викторович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Карачинский Леонид Яковлевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе,СПб ФТНОЦ РАН)
Комаров Александр Владимирович (РоСМУ)
Лосев Сергей Николаевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Петров Павел Вячеславович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Поняев Сергей Александрович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)

Состав участников

Принять участие в работе Конференции приглашаются студенты, аспиранты, молодые ученые и специалисты высших учебных заведений и научных организаций Санкт-Петербурга и Северо-Запада. В каждый из рабочих дней Конференции будет проведено по одному пленарному докладу: академика Д. А. Варшаловича и члена-корреспондента РАН П. И. Арсеева. Все секции Семинара будут открываться приглашенными докладами молодых кандидатов и докторов наук, «задающим и тон» последующей сессии.

На планируемые сессии приглашены, соответственно:

«Физика твердого тела» —  к. ф.-м. н. А. В. Сыромятников (ПИЯФ),
«Физика полупроводников» —  к. ф.-м. н. И. А. Югова (СПбГУ), д. ф.-м. н. С. А. Тарасенко (ФТ И им. А. Ф. Иоффе),
«Физика поверхности» —  к. ф.-м. н. М. С. Дунаевский (ФТ И им. А. Ф. Иоффе),
«Физика плазмы» —  к. ф.-м. н. Д. В. Куприенко (ФТ И им. А. Ф. Иоффе).
«Современная космология» —  к. ф.-м. н. А. В. Иванчик (ФТ И им. А. Ф. Иоффе).

Конкурс УМНИКов

Начиная с 2006 года, Организационный комитет включился в работу по программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» (УМНИК) Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере. В рамках этой программы для участников Конференции будет организован конкурс, победители которого будут отмечены в номинации « За научные результаты, обладающие существенной новизной и среднесрочной перспективой их эффективной коммерциализации» и получат финансирование со стороны Фонда содействия для развития своих научных идей.

Место и дата проведения

Конференция состоится 29—30 октября в ФТ И им. А. Ф. Иоффе по адресу: ул. Политехническая, 26.

Язык

Языком проведения конференции является русский.

Формат докладов

Выступления докладчиков могут быть представлены в устной формеил и в виде стенда. Продолжительность устного доклада составляет 15 минут (из них 5 минут отводится на обсуждение). Для стендового доклада отводится площадь 1 м х 1 м. Устные доклады будут объединены по тематикам в несколько секций, заседания которых будут проводиться последовательно.

Публикации

Сборник трудов будет издан к началу Конференции и вручен всем зарегистрировавшимся докладчикам. В сборник войдут тезисы докладов, представленные не позднее 21 сентября (включительно).

Регистрация участников

Оргвзнос для участия в Конференции не предусмотрен. Для обеспечения допуска на территорию ФТ И им. А. Ф. Иоффе все участники должны пройти он-лайн регистрацию и сообщить свои паспортные данные (ФИО, номер, серия, кем и когда выдан), а также данные о месте учебы (студентам указать курс, аспирантам —год обучения) или работы (указать должность). По прибытии на Конференцию необходимо иметь при себе паспорт.