Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20058
Цитируемость
суммарная 223445
на статью 11.1
Индекс Хирша 145
G-индекс 238
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 21515
Цитируемость
суммарная 236612
на статью 11
Индекс Хирша 154
G-индекс 251
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Видеозаписи защит Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 502
Среда, 30 ноября 2016
    
Колыхалова,ЕД, ФТИ
 Лаб. Соколовского,ГС
Динамические характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 212.238.04
Место выполнения работы: ЛЭТИ; ФТИ
Руководитель(и): Соколовский,ГС
Рассмотрение ВАК не завершено
Дополнительные документы 

  • Решение о приеме диссертации к защите
  • Текст диссертации
  • Отзыв руководителя (Григорий Семенович Соколовский)
  • Отзыв оппонента ( )
  • Отзыв оппонента ( )
  • Отзыв ведущей организации (СПб государственный политехнический университет)
  • Отзывы на автореферат
  • Решение о присуждении ученой степени
  • Заключение о присуждении ученой степени
Четверг, 17 ноября 2016
   
Бельтюков,ЯМ, ФТИ
 Лаб. Козуба,ВИ
Теория случайных матриц и колебательные свойства аморфных твердых тел
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Козуб,ВИ
Утверждена ВАК: 05 апреля 2017, протокол: 277/нк прил. 32
Дополнительные документы 

Четверг, 17 ноября 2016
   
Родина,АВ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
утверждена ВАК: 28 апреля 2017, протокол: 397/нк прил. 10
Дополнительные документы 

Четверг, 03 ноября 2016
   
Рожанский,ИВ, ФТИ
 Лаб. Аверкиева,НС
Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 05 апреля 2017, протокол: 276/нк прил. 19
Дополнительные документы 

Четверг, 20 октября 2016
   
Барышев,АВ, ВНИИА
 
Магнитооптические эффекты в магнитных и плазмонных наноструктурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ; Технологический университет г. Тоёхаси (Toyohashi University of Technology), Япония
Утверждена ВАК: 05 апреля 2017, протокол: 276/нк прил. 19
Дополнительные документы 

Четверг, 20 октября 2016
   
Поддубный,АН, ФТИ
 Лаб. Голуба,ЛЕ
Распространение, локализация и излучение света в наноструктурах и метаматериалах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности теоретическая физика (01.04.02), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 05 апреля 2017, протокол: 276/нк прил. 19
Дополнительные документы 

Четверг, 20 октября 2016
    
Луцев,ЛВ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Спинволновые возбуждения и спинзависимые электротранспортные явления в наноразмерных магнитных металл-диэлектрических гетероструктурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 212.232.33
Место выполнения работы: ФТИ
Рассмотрение ВАК не завершено
Дополнительные документы 

  • Решение о приеме диссертации к защите
  • Текст диссертации
  • Отзыв оппонента (Сергей Михайлович Дунаевский)
  • Отзыв оппонента (Юрий Константинович Фетисов)
  • Отзыв оппонента (Юрий Павлович Шараевский)
  • Отзыв ведущей организации (СПб государственный политехнический университет)
  • Отзывы на автореферат
  • Решение о присуждении ученой степени (протокол № 34.06-33-1-15 от 20 октября 2016)
  • Заключение о присуждении ученой степени
Четверг, 06 октября 2016
   
Усов,СО, НТЦ микроэлектроники
 Лаб. Устинова,ВМ
Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: НТЦ микроэлектроники; ФТИ
Руководитель(и): Цацульников,АФ
Утверждена ВАК: 03 марта 2017, протокол: 163/нк прил. 28
Дополнительные документы 

firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–19 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе