|
Основные достижения 2012 годаПеречень
Графеновые материалы с изменяемой шириной запрещенной зоны
; ; ; ; ;
лаб. атомных столкновений в твердых телах (Зиновьева,АН)
лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Продемонстрирована возможность управления шириной запрещённой зоны оксида графена и оксида графита в широком энергетическом интервале от ближнего ультрафиолетового до инфракрасного диапазона. Получены плёнки графена на диэлектрической поверхности, соответствующие лучшим мировым аналогам по размерам составляющих микрокристаллитов. На поверхности двуокиси кремния сформированы плёнки гидрированного графена с шириной запрещённой зоны около 0.3 эВ, что открывает возможности для разработки терагерцового «графенового» транзистора.
Иллюстрации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Зависимость ширины запрещённой зоны плёнки оксида графита толщиной 2–3 монослоя от температуры обработки.
Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение свободной плёнки оксида графена, полученной термическим расщеплением интеркалированного графита.
Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение чешуйки гидрированного графена на SiO2 поверхности.
