|
Основные достижения 2012 годаГрафеновые материалы с изменяемой шириной запрещенной зонылаб. атомных столкновений в твердых телах (Зиновьева,АН)
лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Продемонстрирована возможность управления шириной запрещённой зоны оксида графена и оксида графита в широком энергетическом интервале от ближнего ультрафиолетового до инфракрасного диапазона. Получены плёнки графена на диэлектрической поверхности, соответствующие лучшим мировым аналогам по размерам составляющих микрокристаллитов. На поверхности двуокиси кремния сформированы плёнки гидрированного графена с шириной запрещённой зоны около 0.3 эВ, что открывает возможности для разработки терагерцового «графенового» транзистора.
Иллюстрации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|