2004

• Growth of AlGaN Epitaxial Layers and AlGaN/GaN Superlattices by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
  W. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. E. Zavarin, A. I. Besyul'kin, A. V. Fomin, and D. S. Sizov
  Semiconductors June 2004, Volume 38, Issue 6, pp. 678-682
  
  

Top

2003

Top

2002

• Quantum dot origin of luminescence in InGaN-GaN structures
  I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, Yu. G. Musikhin, D. Gerthsen
  Phys. Rev. B, , Vol 66, Iss 15, pp art. no.-155310
  
  
• Time-resolved studies of InGaN/GaN quantum dots
  I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. G. Musikhin, D. Gerthsen, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg
  Phys. Stat. Sol. A, Vol 192, Iss 1, pp 49-53
  
  
• Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures
  Yu. G. Musikhin, D. Gerthsen, D. A. Bedarev, N. A. Bert, W. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg
  Appl. Phys. Lett., Vol 80, Iss 12, pp 2099-2101
  
  
• Growth and characterization of LEDs structures by MOCVD on HVPE grown GaN templates
  A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.M. Shmidt, A.I. Pechnicov, Y. Shapovalova, G. Gainer
  Phys. Stat. Sol. C, Vol 0, Iss 1, pp.39-42
  
  

Top

2001

• Laser-like emission in the blue-green spectral range from InGaN/GaN/AlGaN structures under optical pumping
  A. V. Sakharov, A. S. Usikov, W. V. Lundin, D. A. Bedarev, A. F. Tsatsulnikov, E. E. Zavarin, A. I. Besulkin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg
  Physica Status Solidi A, 188(1), 91-94
  
  
• Growth and characterization of AlGaN/GaN superlattices
  W. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, E. E. Zavarin, A. I. Besulkin, M. F. Kokorev, R. N. Kyutt, V. Yu. Davydov, V. V. Tretyakov, D. V. Pakhnin, A. S. Usikov
  Phys. Stat. Sol. (a), 188(2), 885-888
  
  
• Growth, optical and structural characterization of InGaN/GaN/AlGaN optically pumped lasers
  W. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. S. Usikov, D. A. Bedarev, A. F. Tsatsulnikov, R. C. Tu, S. B. Yin, J. Y. Chi
  Phys. Stat. Sol. (a), 188(1), 73-77
  
  
• Comparative study of InGaN/GaN structures grown by MOCVD using various growth sequences
  A. V. Sakharov, A. S. Usikov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, R. C. Tu, S. B. Yin, J. Y. Chi
  Phys. Stat. Sol. (b), 228(1), 95-98
  
  

Top

2000

• Lasing in vertical direction in structures with InGaN quantum dots
  I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. S. Usikov, A. F. Tsatsulnikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, I. P. Soshnikov, D. Gerthsen, A. C. Plaut, J. Holst, A. Hoffmann, D. Bimberg,
  Phys. Stat. Sol. (a), 180(1), 91-96
  
  
• Formation of GaAsN nanoinsertions in a GaN matrix by metal-organic chemical vapour deposition
  A. F. Tsatsul'nikov, I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. P. Kartashova, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, A. Plaut
  Semicond. Sci. Technol., 15(7), 766-769
  
  
• Specifics of MOCVD formation of In_xGa_1-xN inclusions in a GaN matrix
  I. P. Soshnikov, W. V. Lundin, A. S. Usikov, I. P. Kalmykova, N. N. Ledentsov, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen
  Semiconductors, 34(6), 621-625
  
  
• Lasing in the vertical direction in InGaN/GaN/AlGaN structures with InGaN quantum dots
  I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, A. P. Kartashova, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, I. P. Soshnikov, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. C. Plaut, A. A. Hoffmann, D. Bimberg
  Semiconductors, 34(4), 481-487
  
  
• Internal microstrain and distribution of composition and cathodoluminescence over lapped Al_xGa_1-xN epilayers on sapphire
  A. S. Usikov, V. V. Tret'yakov, A. V. Bobyl', R. N. Kyutt, W. V. Lundin, B. V. Pushnyi, N. M. Shmidt
  Semiconductors, 34(11), 1248-1254
  
  

Top

1999

• Vertical-cavity surface-emitting lasers using InGaN quantum dots
  N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, I. P. Soshnikov, A. F. Tsatsul'nikov, D. Bimberg, and A. Hoffmann
  Compound Semiconductor 5 (9), November/December 1999, pp. 61-64.
  
  
• Optical properties of structures with single and multiple InGaN insertions in a GaN matrix
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, I. L. Krestnikov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. G. Musikhin, M. V. Baidakova, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Holst, A. Hoffmann, D. Bimberg, I. P. Soshnikov and D. Gerthsen
  Phys. Stat. Sol. (B) 216, pp. 435- 440.
  
  
• Photopumped InGaN/GaN/AlGaN vertical cavity surface emitting laser operating at room temperature
  I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, A. Hoffmann, D. Bimberg
  Phys. Stat. Sol. (B) 216, pp. 511-515.
  
  
• Surface-Mode Lasing from Stacked InGaN Insertions in a GaN Matrix
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, I. L. Krestnikov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. G. Musikhin, M. V. Baidakova, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, A. A. Hoffmannnd D. Bimberg.
  Appl. Phys. Lett. 74(26), 3921.
  
  
• Lasing in the vertical direction in quantum-size InGaN/GaN multilayer heterostructures
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, V. A. Semenov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, and M. V. Badakova
  Tech. Phys. Lett. 25(6), 462-465
  
  
• Investigation of MOVPE-grown GaN layers doped with As atoms
  A. F. Tsatsul'nikov, B. Ya. Ber, A. P. Kartashova, Yu. A. Kudryavtsev, N. N. Ledentsov, W. V. Lundin, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, and A. Hoffmann
  Semiconductors 33 (7), 728-730
  
  
• Room Temperature Photopumped InGaN/GaN/AlGaN Vertical Cavity Surface Emitting Laser
  I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, and Zh. I. Alferov N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg
  Appl. Phys. Lett. 74 (9), 1192-1194
  
  
• Growth and characterization of thick Si-doped AlGaN epilayers on sapphire substrates
  W. V. Lundin, A. S. Usikov, A. V. Sakharov, V. V. Tretyakov, D. V. Poloskin, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann
  Phys. Stat. Sol. (a), 176(1), 379-384
  
  

Top

1998

• Heterostructure for UV LEDs based on thick AlGaN layers
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. S. Usikov, U. I. Ushakov, Yu. A. Kudryavtsev, A. V. Lunev, Yu. M. Shernyakov, N. N. Ledentsov
  MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research Vol 3, Iss 28, pp 1-7
  
  
• Macro- and microstrains in MOCVD-grown GaN
  A. S. Usikov, V. V. Ratnikov, R. Kyutt, W. V. Lundin, B. V. Pushnyi, N. M. Shmidt, M. P. Scheglov
  MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research Vol 3, Iss 42, pp 1-8
  
  
• Some features of a nucleation layer growth process and its influence on the GaN epilayer quality
  W. V. Lundin, A. S. Usikov, B. V. Pushnyi, U. I. Ushakov, M. V. Stepanov, N. M. Shmidt, A. V. Sakharov, Yu. M. Zadiranov, S. M. Suturin, V. M. Busov
  Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials 1998, Vol 264-2, pp 1125-1128
  
  
• Optical and structural studies of thick AlGaN alloy layers and AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates
  W. V. Lundin, A. S. Usikov, B. V. Pushnyi, U. I. Ushakov, M. V. Stepanov, N. M. Shmidt, T. V. Shubina, A. V. Sakharov, N. N. Faleev, V. A. Solov'ev, A. A. Sitnikova, Yu. A. Kudryavtsev, B. Yu. Ber, Yu. M. Zadiranov
  Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials 1998, Vol 264-2, pp 1315-1318
  
  
• Electrical and optical properties of highly strained GaN epilayers
  A. S. Usikov, W. V. Lundin, B. V. Pushnyi, N. M. Shmidt, V. Yu. Davydov, A. V. Sakharov, T. V. Shubina, A. A. Toropov, N. N. Faleev, M. Scheglov, A. F. Tsatsul'nikov
  Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials 1998, Vol 264-2, pp 1393-1396
  
  

Top

1997

• Characteristics of stimulated emission from an optically pumped GaN/AlGaN double heterostructure
  M. V. Maximov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. S. Usikov, B. V. Pushnyi, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, V. P. Rozum
  Technical Physics Letters Vol 23, Iss 8, pp 597-599
  
  
• Study of initial stages of the GaN growth on sapphire substrates.
  W. V. Lundin, B. V. Pushnyi, A. S. Usikov, M. E. Gaevski, M. V. Baidakova, A. V. Sakharov,
  Compound Semiconductors, Iss 155, pp 319-322
  
  

Top