31 октября 2025 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны академик РАН, научный руководитель Государственного астрономического института им. П.К. Штернберга Анатолий Михайлович Черепащук (Россия) и профессор Университета Монпелье Алексей Николаевич Баранов (Франция).

Сегодня, 29 октября 2025 года, исполняется 145 лет со дня рождения выдающегося российского и советского учёного, организатора науки, обыкновенно именуемого «отцом советской физики», академика, вице-президента АН СССР, Героя Социалистического Труда, Лауреата Сталинской и Ленинской премий, одного из создателей отечественной школы физиков, пионера исследований полупроводников и инициатора исследований атомного ядра, основателя нашего Института — академика Абрама Фёдоровича Иоффе!

Подробнее...

Приглашаем Вас на открытие выставки работ художника Иосифа Зисмана «Форма цвета», которое состоится завтра, во вторник, 28 октября, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

В ГНЦ РФ «НПО «Орион» совместно с лабораторией фотоприемников на квантовых точках ФТИ им. А.Ф. Иоффе (рук. К.В. Рейх) и МФТИ, при поддержке Фонда перспективных исследований, создана первая в России фотоприемная матрица на коллоидных квантовых точках формата 640×512 с шагом пикселей 15 мкм, позволяющая регистрировать излучение в расширенном спектральном диапазоне от видимого до коротковолнового инфракрасного 0.4–2.0 мкм.

Подробнее...

26 сентября 2025 г. ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетил Глава Минобрнауки России, Валерий Николаевич Фальков. В ходе визита, Министр ознакомился с результатами работы молодежных лабораторий нашего Института — в лаборатории лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров В.Н. Фалькову были представлены разработки уникальных вертикально-излучающих лазеров для создания квантовых стандартов частоты, компактных оптических гироскопов и магнетометров и высокоскоростной передачи данных. В лаборатории материалов и процессов водородной энергетики – технологии получения многокомпонентных ферритов и создания керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ-радиоэлектроники.

Также Глава Минобрнауки посетил лабораторию квантовой фотоники, которая является лидером в России по молекулярно-пучковой эпитаксии и квантовой фотонике и успешно выполняет проекты Дорожной карты ГК «Росатом» по квантовым вычислениям и ОАО «РЖД» по квантовым коммуникациям 2025-2030 гг.

Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов также рассказал о планах по развитию нашего Института, о реализации проекта по созданию Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронной компонентной базы, основная задача которого – проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных аналогов импортной электроники и разработка новых полупроводниковых приборов.

«Институт достаточно динамично развивается. Мы как учредители готовы вас поддержать, в том числе по вопросам, связанным с инфраструктурным развитием. Но помимо этого, первое и самое главное – это идеи, люди, то видение, куда развивается Физтех», – сказал В.Н. Фальков.

Подробнее...

В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы», проводившегося на форуме «Микроэлектроника 2025» директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,  член-корреспондент РАН С.В. Иванов выступил с докладом о текущих разработках нашего Института в области широкозонной фотоники и электроники на основе перспективных материалов: нитрида галлия, карбида кремния и оксида галлия.

Подробнее в материале пресс-службы РАН

Под таким заголовком опубликовано интервью директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе, член-корр. РАН С.В. Иванова, которое он дал «Известиям» на полях Форума «Микроэлектроника-2025» и рассказал передовых разработках нашего Института в области оптической микроэлектроники.

Подробнее...

С 25 по 28 августа 2025 года состоялась XIX Межгосударственная конференция «Термоэлектрики и их применения»  (ISCTA 2025). Организаторами конференции выступили ФТИ им. А.Ф. Иоффе, АУ  им. Ж.И. Алфёрова, Объединённый Научный Совет РАН «Энергетические системы и комплексы», Российское Термоэлектрическое Общество.

В конференции приняли участие ученые, инженеры, аспиранты и студенты ведущих академических и отраслевых институтов и университетов, государственных и частных компаний, а также ученые из ближнего и дальнего зарубежья. Всего в конференции приняло участие 105 человек из 14 городов России и двух стран.

28 августа 2025 года в рамках конференции состоялся круглый стол «Актуальные прикладные проблемы в области термоэлектрического преобразования-взаимодействие науки и промышленности» на который были приглашены ведущие научные специалисты и руководители компаний занимающихся выпуском термоэлектрических преобразователей. В рамках этого мероприятия обсуждались вопросы практического взаимодействия научных лабораторий, ведущих исследования в области термоэлектрического преобразования, и организаций, ведущих прикладные разработки, в которых используются или могут быть использованы термоэлектрические технологии.

14 августа в офисе Частного учреждения ГК «Росатом» «Проектный центр ИТЭР» (г. Москва) состоялось подписание «Меморандума о взаимопонимании» относительно тесного сотрудничества в области физики плазмы, управляемого термоядерного синтеза (УТС) и сопутствующих диагностических технологий между Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе РАН, в лице директора С.В. Иванова, и Институтом физики плазмы Китайской академии наук (ФП КАН, AS IPP, Хэфэй), в лице директора ФП КАН Yuntao Song (Юнтао Сун). Данный Меморандум предполагает участие в совместных научных исследованиях по УТС, в том числе, разработке токамаков BEST и Глобус-3, развитии высшего образования в области УТС и обмене научными кадрами. На торжественной церемонии присутствовали Директор ЧУ «Проектный центр ИТЭР» А.В. Красильников, мэр г. Хэфэй Luo Yunfeng (Ло Юньфэй), а также директор АО «НИКИЭТ им. Н.А. Доллежаля» А.В. Каплиенко и президент Союза развития наукоградов России В.В. Сиднев. В ходе переговоров стороны также рассмотрели возможности расширения сотрудничества между ФТИ им. А.Ф. Иоффе и другими физическими институтами научно-технологического центра Хэфэя. Стороны обменялись также приглашениями к взаимным визитам руководства и специалистов ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ASIPP.

9 июня 2025 г. в стенах ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла научно-техническая конференция «Надёжность полупроводниковых лазеров и приборов на их основе. Современные методы повышения надёжности» организованная Институтом и компанией ООО «Остек-ЭК».

Конференция содержала как научные доклады, так и вопросы масштабирования научных достижений, внедрение разработанных подходов и методик в массовое производство. Активно обсуждались возможные форматы взаимодействия между научными лабораториями, представителями производства, организациями, предоставляющими высокотехнологичное оборудование, и конечными потребителями.

Спикерами на конференции являлись ведущие специалисты ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ООО «Остек-ЭК», АО «ЗНТЦ», Сколтех и ООО «ИННФОКУС».

Организаторы конференции в лице фирмы ООО «Остек-ЭК» и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (зав. лаб. Пихтин Н.А.) надеются на продолжение данного формата конференции и создания регулярных встреч.

29 мая 2025 года на общем собрании членов Российской академии наук состоялись выборы академиков РАН и членов-корреспондентов РАН.

Действительным членом РАН (академиком) избран руководитель Отделения физики плазмы, атомной физики и астрофизики Быков Андрей Михайлович.

Членами-корреспондентами РАН избраны с.н.с. лаб. новых неорганических материалов Альмяшева Оксана Владимировна и в.н.с. лаб. атомной радиоспектроскопии Вершовский Антон Константинович.

Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники от 23 апреля 2025 года в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Нелинейная динамика, эффекты памяти и кинетика фононов в системах с сильным беспорядком и нанокомпозитах» — канд. физ.-мат. наук  Бельтюкову Ярославу Михайловичу.

29 апреля 2025 года для наших дорогих ветеранов и блокадников в Институте состоялось торжественное мероприятие-концерт, посвященное 80-й годовщине Победы в Великой Отечественной войне, перед началом которого, с теплыми словами поздравлений выступил директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов.

Концерт был наполнен популярными музыкальными произведениями, которые исполнили гости из Санкт-Петербургской детской школы искусств имени С.М. Слонимского и Санкт-Петербургской детской школы искусств имени А.П. Бородина. По уже доброй традиции стихи собственного сочинения прочитала Ю.А. Кропотина, всеми любимые песни военных лет под гитару исполнили Б.А. Матвеев, С.В. Иванов и В.А. Еремичев. Свои подарки подготовили и дети наших сотрудников - рисунки, посвященные Дню Победы.

15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16–18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

12 апреля мы отмечаем годовщину первого полета человека в космос! День космонавтики – это день гордости за добросовестный труд и усилия наших ученых, инженеров и технологов, день гордости за нашу Родину, первой открывшей человеку путь к звездам! Под руководством Ю.А. Дунаева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе была разработана технология тепловой защиты для головных частей космических аппаратов и баллистических ракет. Эта технология решила «проблему номер один» и позволила успешно завершить полет Юрия Гагарина.

Подробнее о вкладе сотрудников нашего  Института в успех первого полета человека в космос можно узнать здесь.

1–4 апреля 2025 г. в Москве в Экспоцентре прошла ежегодная 19-я Международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики», в которой ФТИ им. А.Ф. Иоффе традиционно принял участие. В этом году свои последние разработки демонстрировали лаборатории Н.А. Пихтина (полупроводниковые лазеры и приборы на их основе), М.А. Ременного (фотоприемники и светодиоды), Г.С. Соколовского (квантово-каскадные лазеры), С.О. Слипченко (импульсные лазеры и тиристоры), А.В. Шамрая (модуляторы) и группы В.В. Забродского (лавинные фотодиоды). Кроме этого, сотрудники нашего Института приняли активное участие в деловой программе Выставки, выступая с докладами на научно-практических конференциях, круглых столах и заседаниях Советов по оптоэлектронике, радиофотонике и интегральной фотонике.

Приглашаем сотрудников нашего Института посетить выставку работ художника Игоря Бурмистрова «Свет времени», открытие которой состоится в четверг, 10 апреля, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

13–14 марта 2025 года в Москве прошла X Юбилейная Международная научно-практическая конференция «Дальний Восток и Арктика: устойчивое развитие» с числом участников около 300 чел., в которой официальным партнером Пленарной сессии выступил ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Организаторы мероприятия — Межрегиональное научно-технологическое, деловое и образовательное партнёрство «Устойчивое развитие Дальнего Востока и Арктики (МРПА)» и ООО «Системный консалтинг». Председатель Оргкомитета — зам. председателя Комитета Совета Федерации ФС РФ по федеративному устройству, региональной политике, местному самоуправлению и делам Севера А.И. Широков (https://arctic.s-kon.ru/).

Участниками конференции стали представители законодательной и исполнительной власти федерального и регионального уровней, учёные, предприниматели, руководители предприятий и организаций, специалисты-практики из Москвы, Санкт-Петербурга, Республики Саха (Якутия), Республики Карелия, Мурманска, Республики Коми, Ярославля, Владимира, Перми, Ханты-Мансийского АО — Югры, Тюмени, Омска, Новосибирска, Томска, Красноярска, Таймырского Долгано-Ненецкого муниципального района Красноярского края, Иркутска, Хабаровска, Владивостока, Благовещенска, Магадана, Сахалинской области, Камчатского края, ряда других регионов РФ, а также представители Республики Беларусь и представители Китайской Народной Республики. На пленарной сессии конференции с докладом о разработках ФТИ в области малой инновационной атомной энергетики выступил член-корреспондент РАН С.В. Иванов, директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН. Заместитель руководителя ОФПАФА ФТИ В.И. Кузнецов стал лауреатом Ежегодной премии «За развитие Дальнего Востока и Арктики» в номинации «За вклад в развитие науки и технологий».

15 марта 2025 года исполняется 95 лет со дня рождения академика Российской академии наук Жореса Ивановича Алфёрова  — выдающегося российского ученого, одного из крупнейших в мире экспертов в области физики полупроводников и полупроводниковой оптоэлектроники, лауреата Ленинской и двух Государственных премий, лауреата Нобелевской премии по физике 2000 года, вице-президента РАН, широко известного общественного и политического деятеля, члена Верховного Совета СССР, Государственной Думы РФ, председателя Санкт-Петербургского Научного Центра, почетного гражданина Санкт-Петербурга, старейшего физтеховца, отдавшего Физико-техническому институту им. А.Ф. Иоффе 50 лет жизни и возглавлявшего институт в сложнейший для нашей науки и страны период 1987–2003 годов, основателя в 2002 году и бессменного ректора первого в России Академического университета.

C 26 февраля по 2 марта 2025 года прошла традиционная Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2025». В этом году Зимняя школа была посвящена памяти Роберта Арнольдовича Суриса, а главной тематикой школы стала квантовая полупроводниковая электроника.

Победителями конкурса докладов молодых учёных стали:

В устной сессии:

I место Учаев Максим Викторович «Магнито-оптическая спектроскопия сверхтонкого взаимодействия для реализации сенсоров магнитного поля и температуры»;

II место Береснева Анастасия Тимофеевна «Лазерно-индуцированное возбуждение прецессии намагниченности и переключение направления обменного смещения в ФМ/АФМ системах»;

III место Михайленко Нина Олеговна «Оптическое выстраивание темных экситонов в магнитном поле в геометриях Фарадея и Фойгта в наноплателетах CdSe/CdS».

В стендовой сессии:

I место  Даутов Альберт Маратович «Синтез методом МПЭ ПА и свойства AlN нитевидных нанокристаллов на двумерном гексагональном нитриде бора»;

II место Ермина Анна Андреевна «Анизотропное внедрение наночастиц Ag в c-Si при высокотемпературной обработке»;

III место Исмаил Алмикдад «17-фс стабильный эрбиевый волоконный генератор с внерезонаторным управлением нелинейностью и дисперсией»;

III место Лендяшова Вера Вадимовна «Фотолюминесценция квантовых точек InAs на подложках GaAs/S».