| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 423
-
Название: Анод на основе нанокомпозита аминированыйграфен-наночастицы кремния и способ его получения Патент РФ: #2859578 от 7 апреля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Рабчинский,МК; Новожилова,МВ; Рыжков,СА; Нгуен,ДЗ; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Червякова,ПД; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Прасолов,НД; Швидченко,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Новожилова,МВ; Рыжков,СА; Нгуен,ДЗ; Халтурин,БГ; Савельев,СД; Иншаков,ЕА; Червякова,ПД; Кириленко,ДА; Антонов,ГА; Байдакова,МВ; Павлов,СИ; Прасолов,НД; Швидченко,АВ Подразделения: - лаб. двумерных материалов для устройств микроэлектроники (Прасолова,НД)
- лаб. новых функциональных материалов для химических источников тока (Апраксина,РВ)
- лаб. физики коллоидов (Швидченко,АВ)
-
Название: Солнечный фотоэлектрический субмодуль для космического аппарата Патент РФ: #2858474 от 17 марта 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Калиновский,ВС; Теруков,ЕИ; Контрош,ЕВ; Прудченко,КК; Аболмасов,СН; Толкачев,ИА; Андреев,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Калиновский,ВС; Теруков,ЕИ; Контрош,ЕВ; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Андреев,ВМ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Способ тестирования чипов наоснове полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления Патент РФ: #2856789 от 24 февраля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Давидюк,НЮ; Минтаиров,СА; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Давидюк,НЮ; Минтаиров,СА; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
- лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
-
Название: Имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2855878 от 4 февраля 2026 г. Тип: Изобретение Авторы: Шварц,МЗ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Ловыгин,ИВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Шварц,МЗ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
-
Название: Программа обработки и анализа данных диагностики диверторного томсоновского рассеяния токамака Глобус-М2 Свидетельство РФ: #2026610561 от 14 января 2026 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Ермаков,НВ; Мухин,ЕЕ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ермаков,НВ; Мухин,ЕЕ Подразделения: - лаб. лазерной диагностики плазмы и взаимодействия плазмы с поверхностью (Мухина,ЕЕ)
-
Название: Автономный источник электрической энергии на основе монокристаллического алмаза,активированного углеродом-14 Патент РФ: #2854307 от 29 декабря 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Бочаров,СН; Бураков,БЕ; Гусев,ГА; Дементьева,ЕВ; Заморянская,МВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Кравец,ВА; Орехова,КН; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Трофимов,АН; Андреев,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бураков,БЕ; Гусев,ГА; Дементьева,ЕВ; Заморянская,МВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Кравец,ВА; Орехова,КН; Прудченко,КК; Толкачев,ИА; Трофимов,АН; Андреев,ВМ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
-
Название: Устройство для коллимации выходного излучения полупроводникового лазера Патент РФ: #2854286 от 29 декабря 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Источник электродвижущей силы Патент РФ: #240267 от 29 декабря 2025 г. Тип: Полезная модель Авторы: Яковлев,ЮП; Шутаев,ВА; Гребенщикова,ЕА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Яковлев,ЮП; Шутаев,ВА; Гребенщикова,ЕА Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: Способ изготовления композитной наноструктуры на основе серебра и монокристаллического кремния Патент РФ: #2853459 от 23 декабря 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Жарова,ЮА; Ермина,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Жарова,ЮА; Ермина,АА Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Программа предварительной обработки результатов электрохимических исследований химических источников тока на зарядно-разрядных стендах «Neware» Свидетельство РФ: #2025692035 от 19 ноября 2025 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Беляев,СС; Румянцев,АМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Беляев,СС; Румянцев,АМ Подразделения: - лаб. новых неорганических материалов (Красилина,АА)
- лаб. литий-ионной технологии (Жданова,ВВ)
-
Название: Способ изготовления излучателя на основе GaInAsSb Патент РФ: #2850741 от 13 ноября 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Куницына,ЕВ; Пархоменко,ЯА; Иванов,ЭВ; Пивоварова,АА; Андреев,ИА; Ильинская,НД; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Куницына,ЕВ; Пархоменко,ЯА; Иванов,ЭВ; Пивоварова,АА; Андреев,ИА; Ильинская,НД; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин Патент РФ: #2849000 от 22 октября 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Бондарев,АД; Пихтин,НА; Арсентьев,ИН; Слипченко,СО Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бондарев,АД; Пихтин,НА; Арсентьев,ИН; Слипченко,СО Подразделения: - лаб. полупроводниковых лазерных диодов (Слипченко,СО)
- лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Фотоэлектрическое концентраторное устройство Патент РФ: #2848580 от 21 октября 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Программа для построения карт ОДМР на базе конфокального микроскопа Свидетельство РФ: #2025687271 от 25 октября 2025 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Вейшторт,ИП; Бабунц,РА; Бундакова,АП; Крамущенко,ДД; Успенская,ЮА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Вейшторт,ИП; Бабунц,РА; Бундакова,АП; Крамущенко,ДД; Успенская,ЮА Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
- лаб. спин-фотонных полупроводниковых систем для квантовых технологий (Успенской,ЮА)
-
Название: Программа для полноволнового моделирования ВЧ волн в двумерно-неоднородной плазме токамака с учетом их поглощения по механизму Ландау при немаксвелловской функции распределения электронов по продольным скоростям Свидетельство РФ: #2025685801 от 26 сентября 2025 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Ирзак,МА; Нечаев,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Ирзак,МА; Нечаев,СА Подразделения: - лаб. теоретического моделирования плазменных процессов (Попова,АЮ)
-
Название: Программа для управления вакуумным комплексом термического отжига полупроводниковых пластин Свидетельство РФ: #2025684982 от 18 сентября 2025 г. Тип: Программы для ЭВМ Авторы: Бондарев,АД; Малевский,ДА; Фомин,ЕВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бондарев,АД; Малевский,ДА; Фомин,ЕВ Подразделения: - лаб. высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем (Маричева,АЕ)
- лаб. полупроводниковых лазерных диодов (Слипченко,СО)
- лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Method for producing single crystal diamond and single crystal diamond Патент М: #CN118251518B от 13 июня 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Осима,Рюдзи; Иидзука,Кандзи Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Method for producing single crystal diamond and single crystal diamond Патент М: #KR102777075B1 от 10 марта 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Осима,Рюдзи; Иидзука,Кандзи Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Method for producing single crystal diamond and the same Патент М: #TWI797028B от 21 марта 2023 г. Тип: Изобретение Авторы: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ; Осима,Рюдзи; Иидзука,Кандзи Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; DISCO CORPORATION Авторы - сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ; Вуль,АЯ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ изготовления сферических частиц гидроксилированного кремнезема с ультравысокой удельной поверхностью Патент РФ: #2845484 от 20 августа 2025 г. Тип: Изобретение Авторы: Еуров,ДА; Курдюков,ДА; Стовпяга,ЕЮ; Голубев,ВГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Еуров,ДА; Курдюков,ДА; Стовпяга,ЕЮ; Голубев,ВГ Подразделения: - лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
1
2
3
4
…
следующая »
последняя ⇥