26 сентября 2025 г. ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетил Глава Минобрнауки России, Валерий Николаевич Фальков. В ходе визита, Министр ознакомился с результатами работы молодежных лабораторий нашего Института — в лаборатории лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров В.Н. Фалькову были представлены разработки уникальных вертикально-излучающих лазеров для создания квантовых стандартов частоты, компактных оптических гироскопов и магнетометров и высокоскоростной передачи данных. В лаборатории материалов и процессов водородной энергетики – технологии получения многокомпонентных ферритов и создания керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ-радиоэлектроники.

Также Глава Минобрнауки посетил лабораторию квантовой фотоники, которая является лидером в России по молекулярно-пучковой эпитаксии и квантовой фотонике и успешно выполняет проекты Дорожной карты ГК «Росатом» по квантовым вычислениям и ОАО «РЖД» по квантовым коммуникациям 2025-2030 гг.

Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов также рассказал о планах по развитию нашего Института, о реализации проекта по созданию Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронной компонентной базы, основная задача которого – проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных аналогов импортной электроники и разработка новых полупроводниковых приборов.

«Институт достаточно динамично развивается. Мы как учредители готовы вас поддержать, в том числе по вопросам, связанным с инфраструктурным развитием. Но помимо этого, первое и самое главное – это идеи, люди, то видение, куда развивается Физтех», – сказал В.Н. Фальков.

Подробнее...

В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы», проводившегося на форуме «Микроэлектроника 2025» директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,  член-корреспондент РАН С.В. Иванов выступил с докладом о текущих разработках нашего Института в области широкозонной фотоники и электроники на основе перспективных материалов: нитрида галлия, карбида кремния и оксида галлия.

Подробнее в материале пресс-службы РАН

Под таким заголовком опубликовано интервью директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе, член-корр. РАН С.В. Иванова, которое он дал «Известиям» на полях Форума «Микроэлектроника-2025» и рассказал передовых разработках нашего Института в области оптической микроэлектроники.

Подробнее...

С 25 по 28 августа 2025 года состоялась XIX Межгосударственная конференция «Термоэлектрики и их применения»  (ISCTA 2025). Организаторами конференции выступили ФТИ им. А.Ф. Иоффе, АУ  им. Ж.И. Алфёрова, Объединённый Научный Совет РАН «Энергетические системы и комплексы», Российское Термоэлектрическое Общество.

В конференции приняли участие ученые, инженеры, аспиранты и студенты ведущих академических и отраслевых институтов и университетов, государственных и частных компаний, а также ученые из ближнего и дальнего зарубежья. Всего в конференции приняло участие 105 человек из 14 городов России и двух стран.

28 августа 2025 года в рамках конференции состоялся круглый стол «Актуальные прикладные проблемы в области термоэлектрического преобразования-взаимодействие науки и промышленности» на который были приглашены ведущие научные специалисты и руководители компаний занимающихся выпуском термоэлектрических преобразователей. В рамках этого мероприятия обсуждались вопросы практического взаимодействия научных лабораторий, ведущих исследования в области термоэлектрического преобразования, и организаций, ведущих прикладные разработки, в которых используются или могут быть использованы термоэлектрические технологии.

14 августа в офисе Частного учреждения ГК «Росатом» «Проектный центр ИТЭР» (г. Москва) состоялось подписание «Меморандума о взаимопонимании» относительно тесного сотрудничества в области физики плазмы, управляемого термоядерного синтеза (УТС) и сопутствующих диагностических технологий между Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе РАН, в лице директора С.В. Иванова, и Институтом физики плазмы Китайской академии наук (ФП КАН, AS IPP, Хэфэй), в лице директора ФП КАН Yuntao Song (Юнтао Сун). Данный Меморандум предполагает участие в совместных научных исследованиях по УТС, в том числе, разработке токамаков BEST и Глобус-3, развитии высшего образования в области УТС и обмене научными кадрами. На торжественной церемонии присутствовали Директор ЧУ «Проектный центр ИТЭР» А.В. Красильников, мэр г. Хэфэй Luo Yunfeng (Ло Юньфэй), а также директор АО «НИКИЭТ им. Н.А. Доллежаля» А.В. Каплиенко и президент Союза развития наукоградов России В.В. Сиднев. В ходе переговоров стороны также рассмотрели возможности расширения сотрудничества между ФТИ им. А.Ф. Иоффе и другими физическими институтами научно-технологического центра Хэфэя. Стороны обменялись также приглашениями к взаимным визитам руководства и специалистов ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ASIPP.

9 июня 2025 г. в стенах ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла научно-техническая конференция «Надёжность полупроводниковых лазеров и приборов на их основе. Современные методы повышения надёжности» организованная Институтом и компанией ООО «Остек-ЭК».

Конференция содержала как научные доклады, так и вопросы масштабирования научных достижений, внедрение разработанных подходов и методик в массовое производство. Активно обсуждались возможные форматы взаимодействия между научными лабораториями, представителями производства, организациями, предоставляющими высокотехнологичное оборудование, и конечными потребителями.

Спикерами на конференции являлись ведущие специалисты ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ООО «Остек-ЭК», АО «ЗНТЦ», Сколтех и ООО «ИННФОКУС».

Организаторы конференции в лице фирмы ООО «Остек-ЭК» и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (зав. лаб. Пихтин Н.А.) надеются на продолжение данного формата конференции и создания регулярных встреч.

29 мая 2025 года на общем собрании членов Российской академии наук состоялись выборы академиков РАН и членов-корреспондентов РАН.

Действительным членом РАН (академиком) избран руководитель Отделения физики плазмы, атомной физики и астрофизики Быков Андрей Михайлович.

Членами-корреспондентами РАН избраны с.н.с. лаб. новых неорганических материалов Альмяшева Оксана Владимировна и в.н.с. лаб. атомной радиоспектроскопии Вершовский Антон Константинович.

Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники от 23 апреля 2025 года в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Нелинейная динамика, эффекты памяти и кинетика фононов в системах с сильным беспорядком и нанокомпозитах» — канд. физ.-мат. наук  Бельтюкову Ярославу Михайловичу.

29 апреля 2025 года для наших дорогих ветеранов и блокадников в Институте состоялось торжественное мероприятие-концерт, посвященное 80-й годовщине Победы в Великой Отечественной войне, перед началом которого, с теплыми словами поздравлений выступил директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов.

Концерт был наполнен популярными музыкальными произведениями, которые исполнили гости из Санкт-Петербургской детской школы искусств имени С.М. Слонимского и Санкт-Петербургской детской школы искусств имени А.П. Бородина. По уже доброй традиции стихи собственного сочинения прочитала Ю.А. Кропотина, всеми любимые песни военных лет под гитару исполнили Б.А. Матвеев, С.В. Иванов и В.А. Еремичев. Свои подарки подготовили и дети наших сотрудников - рисунки, посвященные Дню Победы.

15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16–18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

12 апреля мы отмечаем годовщину первого полета человека в космос! День космонавтики – это день гордости за добросовестный труд и усилия наших ученых, инженеров и технологов, день гордости за нашу Родину, первой открывшей человеку путь к звездам! Под руководством Ю.А. Дунаева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе была разработана технология тепловой защиты для головных частей космических аппаратов и баллистических ракет. Эта технология решила «проблему номер один» и позволила успешно завершить полет Юрия Гагарина.

Подробнее о вкладе сотрудников нашего  Института в успех первого полета человека в космос можно узнать здесь.

1–4 апреля 2025 г. в Москве в Экспоцентре прошла ежегодная 19-я Международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики», в которой ФТИ им. А.Ф. Иоффе традиционно принял участие. В этом году свои последние разработки демонстрировали лаборатории Н.А. Пихтина (полупроводниковые лазеры и приборы на их основе), М.А. Ременного (фотоприемники и светодиоды), Г.С. Соколовского (квантово-каскадные лазеры), С.О. Слипченко (импульсные лазеры и тиристоры), А.В. Шамрая (модуляторы) и группы В.В. Забродского (лавинные фотодиоды). Кроме этого, сотрудники нашего Института приняли активное участие в деловой программе Выставки, выступая с докладами на научно-практических конференциях, круглых столах и заседаниях Советов по оптоэлектронике, радиофотонике и интегральной фотонике.

Приглашаем сотрудников нашего Института посетить выставку работ художника Игоря Бурмистрова «Свет времени», открытие которой состоится в четверг, 10 апреля, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

13–14 марта 2025 года в Москве прошла X Юбилейная Международная научно-практическая конференция «Дальний Восток и Арктика: устойчивое развитие» с числом участников около 300 чел., в которой официальным партнером Пленарной сессии выступил ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Организаторы мероприятия — Межрегиональное научно-технологическое, деловое и образовательное партнёрство «Устойчивое развитие Дальнего Востока и Арктики (МРПА)» и ООО «Системный консалтинг». Председатель Оргкомитета — зам. председателя Комитета Совета Федерации ФС РФ по федеративному устройству, региональной политике, местному самоуправлению и делам Севера А.И. Широков (https://arctic.s-kon.ru/).

Участниками конференции стали представители законодательной и исполнительной власти федерального и регионального уровней, учёные, предприниматели, руководители предприятий и организаций, специалисты-практики из Москвы, Санкт-Петербурга, Республики Саха (Якутия), Республики Карелия, Мурманска, Республики Коми, Ярославля, Владимира, Перми, Ханты-Мансийского АО — Югры, Тюмени, Омска, Новосибирска, Томска, Красноярска, Таймырского Долгано-Ненецкого муниципального района Красноярского края, Иркутска, Хабаровска, Владивостока, Благовещенска, Магадана, Сахалинской области, Камчатского края, ряда других регионов РФ, а также представители Республики Беларусь и представители Китайской Народной Республики. На пленарной сессии конференции с докладом о разработках ФТИ в области малой инновационной атомной энергетики выступил член-корреспондент РАН С.В. Иванов, директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН. Заместитель руководителя ОФПАФА ФТИ В.И. Кузнецов стал лауреатом Ежегодной премии «За развитие Дальнего Востока и Арктики» в номинации «За вклад в развитие науки и технологий».

15 марта 2025 года исполняется 95 лет со дня рождения академика Российской академии наук Жореса Ивановича Алфёрова  — выдающегося российского ученого, одного из крупнейших в мире экспертов в области физики полупроводников и полупроводниковой оптоэлектроники, лауреата Ленинской и двух Государственных премий, лауреата Нобелевской премии по физике 2000 года, вице-президента РАН, широко известного общественного и политического деятеля, члена Верховного Совета СССР, Государственной Думы РФ, председателя Санкт-Петербургского Научного Центра, почетного гражданина Санкт-Петербурга, старейшего физтеховца, отдавшего Физико-техническому институту им. А.Ф. Иоффе 50 лет жизни и возглавлявшего институт в сложнейший для нашей науки и страны период 1987–2003 годов, основателя в 2002 году и бессменного ректора первого в России Академического университета.

C 26 февраля по 2 марта 2025 года прошла традиционная Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2025». В этом году Зимняя школа была посвящена памяти Роберта Арнольдовича Суриса, а главной тематикой школы стала квантовая полупроводниковая электроника.

Победителями конкурса докладов молодых учёных стали:

В устной сессии:

I место Учаев Максим Викторович «Магнито-оптическая спектроскопия сверхтонкого взаимодействия для реализации сенсоров магнитного поля и температуры»;

II место Береснева Анастасия Тимофеевна «Лазерно-индуцированное возбуждение прецессии намагниченности и переключение направления обменного смещения в ФМ/АФМ системах»;

III место Михайленко Нина Олеговна «Оптическое выстраивание темных экситонов в магнитном поле в геометриях Фарадея и Фойгта в наноплателетах CdSe/CdS».

В стендовой сессии:

I место  Даутов Альберт Маратович «Синтез методом МПЭ ПА и свойства AlN нитевидных нанокристаллов на двумерном гексагональном нитриде бора»;

II место Ермина Анна Андреевна «Анизотропное внедрение наночастиц Ag в c-Si при высокотемпературной обработке»;

III место Исмаил Алмикдад «17-фс стабильный эрбиевый волоконный генератор с внерезонаторным управлением нелинейностью и дисперсией»;

III место Лендяшова Вера Вадимовна «Фотолюминесценция квантовых точек InAs на подложках GaAs/S».

Дорогие коллеги, дорогие физтеховцы!

От имени руководства Института сердечно поздравляю вас с Днем российской науки!

День российской науки — это не только наш общий профессиональный праздник, ведь сегодня отечественная наука на очередном витке истории становится ключевым фактором технологического развития, экономических преобразований, улучшения качества и уровня жизни наших сограждан, определяет обороноспособность и технологическую независимость нашей Родины.

Убежден, что ежедневный, самоотверженный и целенаправленный труд каждого из нас, от молодого специалиста до авторитетного ученого-профессионала, заведующего лабораторией, от сотрудника вспомогательных подразделений до руководителя соответствующих отделов и служб, труд на своем месте во благо общего дела — это главная составляющая сплоченности и единства коллектива нашего знаменитого Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе, залог устойчивого роста его достижений во имя развития человеческого познания и на благо процветания нашей страны.

В День российской науки хочется от всей души пожелать всем нам не останавливаться на достигнутом! Пожелать вам сил, здоровья, новых знаний на поприще создания и развития научно-технического потенциала нашей страны, привлечения талантливой молодежи и освоения новых исследовательских горизонтов, а также творческого вдохновения для научных открытий, успешного внедрения прорывных научных разработок в отечественную промышленность и, конечно, удачи и благополучия в нашем нелегком труде!

Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе

С.В. Иванов

5 февраля 2025 г. объявлены имена лауреатов премии Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых ученых за 2024 год:
«За разработку и внедрение технологии многокомпонентных ферритов и керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ радиоэлектроники» лауреатами премии стали сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе — зав. лаб. материалов и процессов водородной энергетики Попков Вадим Игоревич и с.н.с. Мартинсон Кирилл Дмитриевич.

Подробнее...

Сколько бы ни миновало лет с того дня, но 27 января был и останется для нас особенным днем – Днем полного освобождения Ленинграда от фашистской блокады.

Героическая оборона Ленинграда стала символом мужества советского народа! Ценой неимоверных лишений, героизма и самопожертвования воины и жители Ленинграда отстояли город. Память о блокадных днях, память о горести утрат, память о подвиге хранит и передает из поколения в поколение каждая ленинградская семья!

Глубокий поклон нашим ветеранам и труженикам тыла, блокадникам и ленинградцам, всем, кто пережил то время, кто отстоял свободу и независимость нашей Родины!

Физтех. Фрагменты блокадной хроники. 1941-1944

Блокадные будни

Приглашаем сотрудников нашего Института посетить выставку работ художника Юлии Линцбах «Фокус внимания», открытие которой состоится в пятницу, 17 января, в 16:00 в читальном зале Библиотеки.