Они ознакомились с новыми разработками ученых института, обсудили с его руководством планы по дальнейшему стратегическому и инфраструктурному развитию института, а также пообщались с молодыми учеными. Среди гостей института были также заместитель Министра Минобрнауки России Д.С. Секиринский, курирующий деятельность научных организаций и государственную политику в сфере научно-технологического развития, а также Председатель Комитета науки и высшей школы Санкт-Петербурга.
 
ФТИ имени А.Ф. Иоффе является одним из крупнейших научных центров России — сегодня почти тысяча научных сотрудников проводит фундаментальные и прикладные исследования по большинству ключевых направлений современной физики. С 2022 года в институте создано 8 молодежных лабораторий, в их числе Лаборатория высокоэффективных солнечных фотоэнергосистем и Лаборатория полупроводниковых лазерных диодов. ФТИ имени А.Ф. Иоффе сотрудничает с рядом ведущих российских вузов, в частности, студенты Алферовского Университета, СПбПУ, НИУ ИТМО, СПбГЭТУ «ЛЭТИ» проходят обучение непосредственно в лабораториях института, совмещая изучение фундаментальных теорических дисциплин с работой на современном оборудовании в передовых научных лабораториях.

Научная биография А.Г. Забродского, выдающегося ученого в области физики полупроводников, связана с Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе, в котором он прошел все ступени карьеры: от студента дипломника и аспиранта до заведующего лабораторией и директора.

Исследования А.Г. Забродского относятся к широкому спектру актуальных проблем физики конденсированного состояния вещества. Он изучал неупорядоченные системы, установив, в частности, природу электронного эффекта переключения в компенсированных полупроводниках, и доказав существование кулоновской щели в изоляторном состоянии вещества и то, что переход изолятор-металл в компенсированных полупроводниках носит характер фазового перехода II рода и сопровождается ее схлопыванием. А.Г. Забродский участвовал в разработке глубокоохлаждаемых болометров и развил направление диагностики сверхпроводящих материалов на основе исследования эффектов магнитозависимого субмиллиметрового поглощения, предложил и развил метод спектроскопии электронных состояний в германии на основе исследования кинетики его нейтронного легирования, обусловленной реакцией захвата орбитального электрона. Он организовал в ФТИ и возглавил направление, связанное с разработкой микро- и нанотехнологий для водородной энергетики.

Будучи директором, А.Г. Забродский активно поддерживал в институте экспериментальные и теоретические исследования в области астрофизики и физики космоса, работы по международному термоядерному ректору (ITER), а также проект модернизации одного из ведущих в мире токамаков (Глобус-М).

Под руководством А.Г.Забродского ФТИ им. А.Ф. Иоффе принял участие в масштабном проекте развития солнечной энергетики. Результатом проекта стало создание солнечной энергетики на основе кремниевых гетероструктур.

По инициативе А.Г. Забродского в 1995 году были возрождены Международные зимние школы по физике полупроводников.

В 2015 г. по его предложению в институте было создано новое направление «Физика — наукам о жизни», объединившее физиков, химиков, врачей, биологов и агротехнологов. В 2026 году прошла Шестая международная конференция со школой молодых ученых «Физика — наукам о жизни», председателем Оргкомитета которой традиционно был А.Г. Забродский.

А.Г. Забродский является Главным редактором одного из старейших российских научных журналов — «Журнала технической физики». В непростое для научно-издательской деятельности время, находясь на посту директора, он создал в институте издательский отдел, в который перевел из обанкротившегося издательства Наука редакции журналов, учрежденных ФТИ совместно с РАН. Тем самым были обеспечены условия для сохранения и развития этих журналов. Как член Научно-издательского совета РАН и председатель одного из Тематических экспертных советов РАН А.Г. Забродский последовательно и твердо отстаивает интересы российских научных журналов.  

Вел Андрей Георгиевич и педагогическую работу, с 1993 года он был профессором кафедры экспериментальной физики СПбПУ, а в 2005 году основал и возглавил кафедру физики и современных технологий твердотельной электроники в СПбГЭТУ.

Достижения А.Г. Забродского отмечены орденами Почета и Дружбы, а также многими премиями, в том числе: Совета Министров СССР, Правительства РФ, Правительства Санкт-Петербурга и др.

Ученый совет, дирекция и коллектив Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе сердечно поздравляют Андрея Георгиевича с юбилеем и желают крепкого здоровья, благополучия и дальнейших ярких успехов!

Статья в журнале Успехи физических наук, посвященная А.Г. Забродскому

Академику Забродскому Андрею Георгиевичу - 80 лет! (сайт РАН)

Заседание Ученого Совета Института, посвященное 80-летию академика РАН А.Г. Забродского, которое состоится в пятницу, 26 июня, в 14:00, в Большом актовом зале:

I часть

• А.Г. Забродский «Физика и жизнь»

Краткие сообщения:

• Н.А. Поклонский «Прыжковая электропроводность: развитие теории и приложения»
• Е.И. Теруков «Солнечная энергетика РФ: современное состояние и перспективы развития»
• В.К. Гусев «Два поколения сферических токамаков ФТИ (Проект Глобус. Достижения и вызовы)»
• В.В. Жданов «Создание и развитие в ФТИ технологий накопителей электрической энергии»
• В.В. Гусаров «Возвращение химии и химиков в ФТИ»
• А.А. Шмидт «Журналу технической физики 95 лет»
• О.С. Васютинский «Создание направления "Физика - наукам о жизни": история, современное состояние и перспективы»
• С.А. Тарасенко «Зимние школы ФТИ в новейшей истории»

II часть

Поздравления

Российским научным фондом опубликован пресс-релиз о результатах совместной работы ученых Института геологии и геохимии им. А.Н. Заварицкого УрО РАН (г. Екатеринбург), нашего ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Института физики им. Л.В. Киренского, Института экспериментальной минералогии им. Д.С. Коржинского и Кольского научного центра. В вышедшей недавно статье в журнале Physica B: Condensed Matter рассказывается о выявленных у природного минерала кубанита (тройного сульфида меди и железа) свойствах, перспективных для применения в электронике и спинтронике.

Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2026 году премии присуждены:

в номинации физика и астрономия — премия им. А.Ф. Иоффе, за цикл работ «Исследования фундаментальных физических свойств и разработка новых оптических методик диагностики нитридов металлов III группы (AlN, GaN, InN), служащих основой для создания высокоэффективных оптоэлектронных устройств широкого спектрального диапазона и мощных СВЧ транзисторов» — докт. физ.-мат. наук Давыдову Валерию Юрьевичу;

в номинации электро- и радиотехника, электроника и информационные технологии – премия им. А.С. Попова, за цикл работ «Разработка адаптивных фотоприемников на динамических решетках объемного заряда в широкозонных полупроводниках» — докт. физ.-мат. наук Соколову Игорю Александровичу;

в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Полупроводниковые наноструктуры для генерации одиночных фотонов и квантовой фотоники» — канд. физ.-мат. наук Рахлину Максиму Владимировичу.

Премии вручил лично Губернатор Санкт-Петербурга А.Д. Беглов.

Свои поздравления лауреатам направил Председатель СПбО РАН академик А.И. Рудской.