Четырехстороннее соглашение подписано между признанным лидером в области разработки и исследования полупроводниковых наногетероструктур А3В5 и лазеров на их основе ФТИ им. А.Ф. Иоффе, первым в России постановщиком серийного производства ФИС Зеленоградским нанотехнологическим центром, университетом с многолетним уникальным опытом разработки кремниевых технологий ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» и крупнейшим российским разработчиком и производителем трансиверов Future Technologies. Проект подразумевает разработку и производство трансиверов для центров обработки данных со скоростью 100-400 Гбит/с с применением фотонных интегральных схем. Подробнее...