| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
26 декабря 2014 г. состоялось заседание Ученого совета Отделения физики диэлектриков и полупроводников ФТИ, посвященное 60-летию создания Института полупроводников АН СССР (ИПАН). Открыл заседание директор ФТИ А.Г. Забродский, об истории Института полупроводников рассказал руководитель Отделения ФТИ Р.В. Парфеньев, ветераны выступили с воспоминаниями.
Институт полупроводников АН СССР официально был создан в ноябре 1954 г. и просуществовал в качестве самостоятельной организации до 1 января 1972 г., когда он был присоединён к ФТИ им. А.Ф. Иоффе.