Экспериментально и теоретичеcки исследованы свойства 2D-дырок в размерно-квантованном аккумулирующем слое, возникающем на интерфейсах Те-ТеО₂ и Те-SiO₂. Установлен закон дисперсии дырок и его анизотропия, которые отличаются от 2D-спектров для кубических полупроводников отсутствием спинового вырождения валентной зоны вследствие сильного спин-орбитального взаимодействия. Обнаружен эффект слабой локализации 2D-дырок на поверхности теллура при низких температурах и определена роль междолинных переходов, приводящих к снятию спинового вырождения. Установлено, что явления переориентации спина происходят также в системе нанокластеров теллура в решетке опала вследствие образования 2D-слоя на интерфейсе Те-SiO₂.