Акусто-электронным бесконтактным методом в структуре p-GeSi/Ge/GeSi определена высокочастотная проводимость в квантующих магнитных полях до 18Т при низких температурах. Установлены параметры дырочного двумерного газа. Прыжковая проводимость в минимумах осцилляций проводимости описывается 2-х узельной моделью. При Т=0.3К в наклонном магнитном поле обнаружено увеличение проводимости в минимумах осцилляций при росте продольной составляющей поля, объясняемое уменьшением g-фактора и увеличением циклотронной эффективной массы дырок.