Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 23563 |
Цитируемость | |
суммарная | 307108 |
на статью | 13,0 |
Индекс Хирша | 167 |
G-индекс | 279 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 26705 |
Цитируемость | |
суммарная | 334371 |
на статью | 12,5 |
Индекс Хирша | 175 |
G-индекс | 293 |
Акусто-электронным бесконтактным методом в структуре p-GeSi/Ge/GeSi определена высокочастотная проводимость в квантующих магнитных полях до 18Т при низких температурах. Установлены параметры дырочного двумерного газа. Прыжковая проводимость в минимумах осцилляций проводимости описывается 2-х узельной моделью. При Т=0.3К в наклонном магнитном поле обнаружено увеличение проводимости в минимумах осцилляций при росте продольной составляющей поля, объясняемое уменьшением g-фактора и увеличением циклотронной эффективной массы дырок.