| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:
Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.
Иллюстрации
а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 – блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца; с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе
Публикации