Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники

Web of Science®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Год:	2016
Авторы:	Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
Подразделения:	лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)

Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:

Наносекундный диодный размыкатель тока позволяет за 1,5-2 нс размыкать ток с плотностью 5-10 кА/см2. Предназначен для создания сверхмощных генераторов наносекундных импульсов.
Диодный ударно-ионизационный обостритель импульсов тока, формирующий мощный высоковольтный импульс, который нарастает за время <100 пс и имеет высокую стабильность повторения импульсов.

Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.

Иллюстрации

а) исследуемая конструкция диодной p⁺N₀n⁺ – структуры: 1 – блокирующий p⁺N₀ – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p^+- слой, 4 – n⁺ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N₀ кольца; с – форма распределения напряженности поля на p⁺N₀ – переходе

Публикации

Решение о выдаче патента на полезную модель по заявке 2016101357/08 (001875) от 18.01.2016 г. «Полупроводниковый субнаносекундный обостритель импульсов», авторы И.В. Грехов, А.Г. Люблинский.
И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, И.А Смирнова Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах, ЖТФ, 2015 г., т.85, вып.11, стр.104-108.
И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, Е.И. Белякова Мощный диодный наносекундный размыкатель на основе p-кремния (p-SOS), ЖТФ, т.86, вып.3, стр.108-109.
Патент на полезную модель 160232 ?Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока?, авторы: И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.Г. Люблинский, приоритет от 19.05.2015 г.