Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 23549 |
Цитируемость | |
суммарная | 307047 |
на статью | 13,0 |
Индекс Хирша | 167 |
G-индекс | 279 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 26705 |
Цитируемость | |
суммарная | 334371 |
на статью | 12,5 |
Индекс Хирша | 175 |
G-индекс | 293 |
Предложен и экспериментально подтвержден новый механизм, позволяющий менять проводимость InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на несколько порядков с помощью механической деформации. В рассматриваемых III-As ННК при х 0.85 проводимость сильно ограничена из-за фиксации уровня Ферми на поверхности атомами избыточного мышьяка и формирования приповерхностного обедненного слоя. При деформации смещение края зоны проводимости до уровня Ферми и ниже должно вызывать сильный рост проводимости ННК вследствие образования поверхностного проводящего канала. Предсказанный эффект наблюдается особенно ярко на In0.85Ga0.15As ННК, проводимость которых вырастает на три порядка при механической деформации ~ 4%. Подобное увеличение при данных уровнях деформации является рекордным, что позволит разработать сверхчувствительные тензорезисторы и сенсоры на основе III-As ННК.
Иллюстрации
Рис. 1. Слева — схема измерений вольт-амперных кривых ННК с помощью проводящего зонда атомно-силового микроскопа. При этом деформация ННК осуществляется смещением зонда вдоль поверхности подложки. Справа — вольт-амперные кривые, измеренные для In0.85Ga0.15As ННК в отсутствие деформации, и при деформации 4%.
Публикации