Прием в аспирантуру 2023 года

Web of Science®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 23549
Цитируемость
суммарная 307047
на статью 13,0
Индекс Хирша 167
G-индекс 279
Scopus®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 26705
Цитируемость
суммарная 334371
на статью 12,5
Индекс Хирша 175
G-индекс 293

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

  • Год:2019
    Авторы:Алексеев,ПА; Шаров,ВА; Дунаевский,МС; Кириленко,ДА; Берковиц,ВЛ
    Подразделения:

    Предложен и экспериментально подтвержден новый механизм, позволяющий менять проводимость InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на несколько порядков с помощью механической деформации. В рассматриваемых III-As ННК при х 0.85 проводимость сильно ограничена из-за фиксации уровня Ферми на поверхности атомами избыточного мышьяка и формирования приповерхностного обедненного слоя. При деформации смещение края зоны проводимости до уровня Ферми и ниже должно вызывать сильный рост проводимости ННК вследствие образования поверхностного проводящего канала. Предсказанный эффект наблюдается особенно ярко на In0.85Ga0.15As ННК, проводимость которых вырастает на три порядка при механической деформации ~ 4%. Подобное увеличение при данных уровнях деформации является рекордным, что позволит разработать сверхчувствительные тензорезисторы и сенсоры на основе III-As ННК.

    Иллюстрации

    Рис. 1. Слева — схема измерений вольт-амперных кривых ННК с помощью проводящего зонда атомно-силового микроскопа. При этом деформация ННК осуществляется смещением зонда вдоль поверхности подложки. Справа — вольт-амперные кривые, измеренные для In0.85Ga0.15As ННК в отсутствие деформации, и при деформации 4%.

    Публикации

    1. P. A. Alekseev, V. A. Sharov, M. S. Dunaevskiy, D. A. Kirilenko, I. V. Ilkiv, R. R. Reznik, G, E. Cirlin, and V. L. Berkovits ?Control of Conductivity of In x Ga1-x As Nanowires by Applied Tension and Surface States? Nano Lett. 19, 4463 (2019)