В изолирующем моноклинном кристалле оксиде галлия, выращенным в атмосфере кислорода, изучен эффект нестационарной фото-эдс на длине волны 457 нм. Кристалл является прозрачным для видимого света, тем не менее, формирование динамических решеток объемного заряда и регистрация сигнала нестационарной фото-эдс осуществляется без приложения внешних электрических полей к образцу. Фоточувствительный материал демонстрирует анизотропию вдоль направлений [100] и [010], а именно, наблюдается небольшое различие транспортных параметров и ярко выраженная поляризационная зависимость сигнала нестационарной фото-эдс. Для выбранной длины волны лазерного излучения определены фотопроводимость кристалла, чувствительность и длина диффузии электронов, проведено сравнение с аналогичными параметрами других широкозонных полупроводников

Публикации

1. M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, I.A. Sokolov, R.V. Romashko, and Y.N. Kulchin, Non-steady-state photo-EMF in β-Ga₂O₃ crystal at λ=457 nm, Opt. Express