Разработана технология и впервые получены управляемые квазиодномерные фотонные кристаллы на основе кремниевой матрицы щелевой структуры, заполняемой жидким кристаллом. Управление положением края запрещенной фотонной зоны обеспечивается приложением электрического поля или изменением температуры и может достигать 0.25 мкм в диапазоне длин волн порядка 10 мкм. Важнейшим достоинством полученных устройств является их совместимость с кремниевыми интегральными схемами.