Осуществлена оптимизация структуры энергетической зоны и транспортных свойств в системе полупроводниковых твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn для разработки новых термоэлектрических материалов с эффективностью ZT>1. Полученные термоэлектрические материалы n-типа превосходят по своим характеристикам в области высоких температур 600 ? 870 К все известные аналоги, экологически безопасны, не содержат дорогостоящих, дефицитных и токсичных компонентов. Натурные испытания подтвердили полученные результаты и позволили создать совместно с фирмой «Коматсу» (Япония) термоэлектрические модули с КПД - 12%.