Прием в аспирантуру 2025

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 25425
Цитируемость
суммарная 326761
на статью 12,9
Индекс Хирша 169
G-индекс 286
Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 28655
Цитируемость
суммарная 364193
на статью 12,7
Индекс Хирша 180
G-индекс 304

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Наука и университеты

Десятилетие науки и технологий

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

  • Год:2024
    Авторы:Мохов,ЕН; Нагалюк,СС; Солтамов,ВА; Мурзаханов,ФФ; Мамин,ГВ; Садовникова,МА; Гафуров,МП
    Подразделения:

    Методом высокотемпературной сублимации были выращены уникальные образцы карбида кремния (SiC), обогащённые изотопом 28Si до 99%. В этих образцах созданы азотно-вакансионные дефекты (NV) с помощью облучения электронами и высокотемпературного отжига. Использование микроволновой спектроскопии показало уникальные свойства NV дефектов. Оптическая поляризация спиновых состояний при комнатной температуре составляет порядка 100%, время спада сигнала свободной индукции (когерентность) T2* = 1,5 мкс, что в пять раз превосходит T2* NV дефектов в SiC с естественным содержанием изотопов и аналогично времени когерентности одиночных NV дефектов в алмазах. Эти результаты однозначно показывают, что полупроводниковая платформа NV:28SiC конкурентоспособна с NV дефектами в алмазе. Результаты демонстрируют возможность создания высокотехнологичных квантовых сенсоров, приборов квантовой связи и вычислений на базе NV:28SiC и находятся на самом высоком научном уровне [1].

    Иллюстрации

    Рис. 1. (a) Кривая спин-решёточной релаксации (T1) NV дефектов, измеренная избирательно для одной сверхтонкой компоненты в спектре (выделена на правой вставке серым цветом). Левая вставка отображает последовательность микроволновых импульсов инверсного восстановления намагниченности, использованную для измерения. Кривая релаксации, снятая при температуре 300 K (изображена зелёным цветом), аппроксимирована экспоненциальной функцией (показана серым), что выявляет время релаксации T1= 0.1 мс. (b) Сигнал FID (спад свободной индукции) зарегистрирован при селективном возбуждении π/2 импульсом той же сверхтонкой компоненты.

    Работа выполнена в рамках Государственного задания, тема № FFUG-2024-0024.

    Направление ПФНИ: 1.3.2.4.

    Публикации

    1. [1] F. Murzakhanov etal., Coherence of NV defects in isotopically enriched 6H-28SiC at ambient conditions, Appl. Phys. Lett. 125, 204004 (2024).