| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 200024 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates
Монокристаллический нитрид алюминия представляет собой перспективный материал для со здания ультрафиолетовых оптоэлектронных и силовых приборов, благодаря широкой запрещенной зоне (Eg ≈ 6.1 eV). Развитие приборной базы на его основе сдерживается трудностями в реализации легирования p-типа, во многом ввиду малоизученности свойств акцепторных примесей. Традиционно используемая примесь магния в AlN характеризуется высокой энергией активации и низкой растворимостью.
Предложен оригинальный метод легирования монокристаллического AlN бериллием путем высокотемпературной диффузии (Td = 1700−1800 oC). Установлено, что в ходе такой диффузии Be преимущественно ведет себя как акцепторная примесь, компенсирующая донорные центры. Использовались следующие методы: электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), оптическое поглощение в видимом и ультрафиолетовом диапазонах, регистрировались микро-Рамановские спектры, снимались LIBS-спектры. Оценка концентрации введенного бериллия дает значение на уровне 1019-1020 cm-3.
Также нами была продемонстрировано, что Be обладает высоким коэффициентом диффузии D = 10−7−10−6 cm2/s в AlN, и его введение приводит к снижению оптического поглощения (ОП) последнего как в видимом, так и в ультрафиолетовом диапазонах. В результате диффузии Ве получены кристаллы AlN, характеризуемые коэффициентом ОП α < 30 cm−1 в спектральном диапазоне 240−700 nm, что находится на уровне лучших образцов объемного монокристаллического AlN. Настоящие результаты позволяют существенно повысить эффективность ультрафиолетовых светодиодов и других оптоэлектронных приборов на основе AlN.
Введение бериллия в AlN путем диффузии является весьма простым и экономичным способом улучшения параметров кристалла. В литературе описан метод введения бериллия путем низкотемпературной эпитаксии. Но этот метод технологически сложен и позволяет получать только тонкие слои AlN:Ве. В описанном нами методе достигается однородное легирование кристаллов, толщиной более 1 см.
Иллюстрации
a)
b)
Рис. 1. а) Слева показан типичный вид кристаллов AlN до диффузии; видна выраженная янтарно-желтоватая окраска. Справа показан тот же образец, легированный Be, в результате диффузии при температуре 1800oC. Видно, что кристалл AlN:Be прозрачен, и наличие Be в кристалле приводит к визуальному исчезновению оптического поглощения в видимом диапазоне. b) Коэффициент поглощения в видимом (верхний рисунок) и ультрафиолетовом (нижний рисунок) диапазонах для исходных образцов AlN (1), образцов после отжига (2), а также после диффузии Be (3). Во вставках показаны спектральные диапазон 350–550 нм и 220–320 нм.
Публикации