• Год:2025
    Авторы:Мохов,ЕН; Нагалюк,СС; Казарова,ОП; Солтамов,ВА
    Подразделения:

    Монокристаллический нитрид алюминия представляет собой перспективный материал для со здания ультрафиолетовых оптоэлектронных и силовых приборов, благодаря широкой запрещенной зоне (Eg ≈ 6.1 eV). Развитие приборной базы на его основе сдерживается трудностями в реализации легирования p-типа, во многом ввиду малоизученности свойств акцепторных примесей. Традиционно используемая примесь магния в AlN характеризуется высокой энергией активации и низкой растворимостью.

    Предложен оригинальный метод легирования монокристаллического AlN бериллием путем высокотемпературной диффузии (Td = 1700−1800 oC). Установлено, что в ходе такой диффузии Be преимущественно ведет себя как акцепторная примесь, компенсирующая донорные центры. Использовались следующие методы: электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), оптическое поглощение в видимом и ультрафиолетовом диапазонах, регистрировались микро-Рамановские спектры, снимались LIBS-спектры. Оценка концентрации введенного бериллия дает значение на уровне 1019-1020 cm-3.

    Также нами была продемонстрировано, что Be обладает высоким коэффициентом диффузии D = 10−7−10−6 cm2/s в AlN, и его введение приводит к снижению оптического поглощения (ОП) последнего как в видимом, так и в ультрафиолетовом диапазонах. В результате диффузии Ве получены кристаллы AlN, характеризуемые коэффициентом ОП α < 30 cm−1 в спектральном диапазоне 240−700 nm, что находится на уровне лучших образцов объемного монокристаллического AlN. Настоящие результаты позволяют существенно повысить эффективность ультрафиолетовых светодиодов и других оптоэлектронных приборов на основе AlN.

    Введение бериллия в AlN путем диффузии является весьма простым и экономичным способом улучшения параметров кристалла. В литературе описан метод введения бериллия путем низкотемпературной эпитаксии. Но этот метод технологически сложен и позволяет получать только тонкие слои AlN:Ве. В описанном нами методе достигается однородное легирование кристаллов, толщиной более 1 см.

    Иллюстрации

    a)

    b)

    Рис. 1. а) Слева показан типичный вид кристаллов AlN до диффузии; видна выраженная янтарно-желтоватая окраска. Справа показан тот же образец, легированный Be, в результате диффузии при температуре 1800oC. Видно, что кристалл AlN:Be прозрачен, и наличие Be в кристалле приводит к визуальному исчезновению оптического поглощения в видимом диапазоне. b) Коэффициент поглощения в видимом (верхний рисунок) и ультрафиолетовом (нижний рисунок) диапазонах для исходных образцов AlN (1), образцов после отжига (2), а также после диффузии Be (3). Во вставках показаны спектральные диапазон 350–550 нм и 220–320 нм.

    Публикации

    1. [1] В.А. Солтамов, Е. Н. Мохов, С.С. Нагалюк, О.П. Казарова . ФТТ, 67, 6, 2025.