Рассмотрены особенности перехода металл - диэлектрик в отщепленной примесной зоне двумерных полупроводников. Проведено исследование транспорта по локализованным примесным водородоподобным состояниям, полученным путем легирования ямы и барьеров. Выращены структуры GaAs/Al_0,3Ga_0,7As, 1-10 ям (10 and 15 nm) и барьеров (25-100 nm). Легирование — мелкий акцептор Be. С ростом концентрации в структурах GaAs/AlGaAS с двукратным заполнением примеси наблюдался переход изолятор (сильная локализация-SL) — грязный металл (слабая локализация-WL). Показано, что переход к грязному металлу WL происходит в отщепленной верхней примесной зоне Хаббарда. Величина эффективной массы в данной примесной зоне оценена m~3mo. Для структур второго типа реализована ситуация узкой примесной зоны за счет расположения фоновых компенсирующих центров вне области легированного слоя. В них наблюдались активационная зависимость проводимости ε₄, возрастание холловской подвижности с понижением температуры; смена знака низкотемпературного эффекта Холла; нелинейность пробойного типа, характеризуемого S-образной ВАХ. Эффекты объясняются переходом Андерсона, происходящим в примесной зоне с ростом концентрации примеси. Делокализация состояний в центре примесной зоны не приводит к металлической проводимости, поэтому данный переход назван «виртуальным».