Исследована высокочастотная проводимость двумерных дырок в гетероструктуре p-Si/SiGe акустическим бесконтактным методом в ультраквантовом пределе сильных магнитных полей. Обнаружено образование запиннингованного вигнеровского кристалла (стекла) при низком уровне легирования. Вывод сделан на основании сравнительного анализа температурных (температуры 0.3—0.8°К) и магнитополевых (магнитные поля до 14—18 Тл) зависимостей высокочастотной и статической проводимостей и вольтамперных характеристик. Нелинейность вольтамперных характеристик в ультраквантовом пределе соответствует модели прыжков по центрам пиннинга.